power-fet 文章 最新資訊
Power Integrations推出新款AEC-Q100級900V InnoSwitch3-AQ反激式開關IC

- InnoSwitch3-AQ IC的效率高達90%,空載功耗低至15mW,并且可為400V和800V電池提供更大的電壓裕量 2021年5月14日訊–深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日宣布,其汽車級InnoSwitch?3-AQ反激式開關IC系列又增一款新品,它可提供900V額定開關,為400V和800V電動汽車逆變器、電池管理和恒溫控制應用提供充足裕量。InnoSwitch3-AQ產品系列將初級和次級控制器以及符合安全
- 關鍵字: Power Integrations InnoSwitch3-AQ 反激式開關
Power Integrations面向軌道交通推出新款SCALE-2即插即用型門極驅動器

- 2021年5月14日訊–深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司(納斯達克股票代號:POWI)今日宣布推出一款新型支持130x140mm單通道IGBT大功率(IHM)模塊的新款SCALE-2門極驅動器,可廣泛用于軌道交通和其他長期應用。新型SCALE-2即插即用型門極驅動器包含1SP0630V2M1R主驅動器、1SP0635D2S1R外圍驅動器和ISO6125R-33電源,它不僅能簡化系統(tǒng)開發(fā)和安裝過程,還可在需要多模塊并聯(lián)的大功率應用系統(tǒng)中極大地提高電氣和機械設計簡便性和靈活性?! ow
- 關鍵字: Power Integrations 軌道交通 門極驅動器
Power Integrations推出全新MinE-CAP IC

- Power Integrations推出全新MinE-CAP IC,可將AC-DC變換器的體積最多縮小40% 全新的MinE-CAP器件可大幅縮小輸入大容量電容的尺寸,減小高達95%的浪涌電流,無需NTC熱敏電阻并且避免相關損耗
- 關鍵字: Power Integrations AC-DC變換器
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小??稍诟哳l率(遠高于AM頻段的2 MHz范圍內)下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制,以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
- 關鍵字: EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
Power Integrations推出高度集成的InnoSwitch3反激式開關IC

- 適合純電動汽車和插電式混合動力汽車應用的InnoSwitch3-AQ已通過Q100認證;可在30 V至550 V直流輸入下高效工作。深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations今天宣布InnoSwitch?3-AQ已經開始量產,這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。
- 關鍵字: Power Integrations InnoSwitch3-AQ 電動汽車 混合動力汽車
谷歌宣布與IBM達成合作,在谷歌云上推出IBM Power Systems
- 近日,谷歌宣布與IBM達成合作,在谷歌云上推出IBM Power Systems,希望能說服更多企業(yè)向云端遷移。
- 關鍵字: 谷歌 IBM Power Systems
Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場,包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
- 關鍵字: Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
Power Integrations交付第一百萬顆基于氮化鎵的InnoSwitch3 IC

- 美國加利福尼亞州圣何塞,2019年9月30日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)日前宣布交付采用該公司PowiGaN?氮化鎵技術的第一百萬顆InnoSwitch?3開關電源IC。在安克創(chuàng)新深圳總部的活動現(xiàn)場,Power Integrations公司CEO Balu Balakrishnan親手將第一百萬顆氮化鎵IC交到了安克CEO陽萌手中。安克是業(yè)界知名的充電器和適配器生產廠商,致力于為全球零售商提供緊湊、強大的USB PD
- 關鍵字: Power Integrations 氮化鎵的InnoSwitch3 IC
Power Integrations推出全新LYTSwitch-6 LED驅動器IC

- 美國加利福尼亞州圣何塞,2019年9月3日訊 – 高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出LYTSwitch?-6系列安全隔離型LED驅動器IC的最新成員 —— 適合智能照明應用的大功率密度器件。新IC采用PowiGaN?技術,可通過簡單靈活的反激拓撲實現(xiàn)高達110 W輸出功率和94%轉換效率的設計。 ?新的LYTSwitch-6?IC具有極高的效率,無需使用散熱片 – 可大幅減小鎮(zhèn)流器的尺寸和重量,并降低
- 關鍵字: Power Integrations LYTSwitch-6 LED驅動器IC PowiGaN技術
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