onsemi 文章進(jìn)入onsemi技術(shù)社區(qū)

友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統(tǒng)的65瓦PD電源方案_大幅精簡(jiǎn)線路與提高功率密度

NCP1345是次世代高度集成的準(zhǔn)共振Flyback, 適用于設(shè)計(jì)高性能電源轉(zhuǎn)換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉(zhuǎn)換器, 包括雙 VCC 架構(gòu), 允許直接連接到輔助繞組, 以進(jìn)行簡(jiǎn)化 VCC 管理零件計(jì)數(shù)減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側(cè)的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無(wú)論設(shè)計(jì)輸出電壓或輸出功率如何。準(zhǔn)共振 (QR）專(zhuān)有波谷鎖定電路，以確保穩(wěn)定的波谷切換,當(dāng)下降到第6
關(guān)鍵字： onsemi 電源轉(zhuǎn)換 NCP1345 氮化鎵

世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案

2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖以手機(jī)、電腦為代表的移動(dòng)智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹闹匾ぞ撸欢S著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來(lái)越多，設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)
關(guān)鍵字：大聯(lián)大友尚 onsemi GaN System PD快充電源

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案

致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NFAM5065L4B智能功率整合模塊（IPM）的4KW 650V工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的4KW 650V工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案的展示板圖近年來(lái)，隨著科技高速發(fā)展以及工業(yè)4.0的加速推進(jìn)，工業(yè)市場(chǎng)對(duì)于電機(jī)的需求與日俱增。根據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)調(diào)查顯示電機(jī)的耗電量約為全球電力供應(yīng)的50%。這在節(jié)能減排、實(shí)現(xiàn)“雙碳”的統(tǒng)一戰(zhàn)略目標(biāo)下，是一項(xiàng)亟待解決的問(wèn)題。為了提升電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)效率降低能源損
關(guān)鍵字：大聯(lián)大世平集團(tuán) onsemi 650V 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的100W PD電源適配器方案

2022年8月18日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1343芯片的100W PD電源適配器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的100W PD電源適配器方案的展示板圖在電池續(xù)航能力遲遲無(wú)法突破的今天，快速充電技術(shù)無(wú)疑成為各大廠商研發(fā)和宣傳的重點(diǎn)之一。近幾年，隨著USB Type-C接口的普及，Power Delivery（PD）協(xié)議不僅為包括智能手機(jī)在內(nèi)的
關(guān)鍵字：大聯(lián)大友尚集團(tuán) onsemi 100W PD電源適配器

大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案

2022年8月9日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）FAN65008B同步降壓IC的5G基站電源方案。圖示1-大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的展示板圖 5G時(shí)代的到來(lái)，從根本上顛覆了現(xiàn)有的傳統(tǒng)通訊方式，它加速了現(xiàn)實(shí)社會(huì)與互聯(lián)網(wǎng)空間的快速融合，讓人與人、人與機(jī)器的交互都步入了一個(gè)全新的水平。而發(fā)展5G的一重要目標(biāo)就是在提高信息傳輸速率、減少延遲的同時(shí)，節(jié)約能源、降低系統(tǒng)成本。隨著5G信號(hào)大
關(guān)鍵字：大聯(lián)大世平集團(tuán) onsemi 5G基站電源

基于onsemi高幀率相機(jī)模組ARX3A0與低功耗藍(lán)牙模組NCH-RSL10SIP的智能相機(jī)方案

物聯(lián)網(wǎng)，廣泛的定義包含任何可以連網(wǎng)的物件，包括從工廠機(jī)具、汽車(chē)、手機(jī)、智能手表等行動(dòng)裝置。近年的物聯(lián)網(wǎng)更特指結(jié)合各式感測(cè)器、軟體、AI等技術(shù)的互聯(lián)設(shè)備，能夠傳輸和接收各種數(shù)據(jù)達(dá)成大數(shù)據(jù)收集的應(yīng)用。大聯(lián)大友尚集團(tuán)針對(duì)智能監(jiān)控市場(chǎng)，推出基于SunplusIT SPCV1100A及安森美AR0330、RSL10的智能拍攝相機(jī)方案，支持安全監(jiān)控、溫濕度監(jiān)控及Amazon Recognition分析圖像。硬體設(shè)計(jì) :產(chǎn)品特點(diǎn) :低功耗藍(lán)芽模組 RSL10 SIP超低能耗 : RSL10 具有杰出的整體電源曲線，能針
關(guān)鍵字： onsemi ARX3A0 smart shot camera RSL10 BLE5

基于onsemi AP0200AT+AR0147AT 的車(chē)載以太網(wǎng)攝像頭方案

此方案采用onsemi AP0200AT ISP芯片結(jié)合AR0147AT車(chē)規(guī)影像傳感器，應(yīng)用于車(chē)載以太網(wǎng)攝像頭; AP0200AT 是一款專(zhuān)用的汽車(chē)圖像協(xié)處理器，能夠?qū)崿F(xiàn)使用安森美半導(dǎo)體百萬(wàn)像素高動(dòng)態(tài)范圍（HDR）傳感器的靈活攝像頭平臺(tái)。傳感器和協(xié)處理器的雙芯片解決方案可實(shí)現(xiàn)多種攝像頭價(jià)格和性能點(diǎn)，能夠重用電路板設(shè)計(jì)，進(jìn)入市場(chǎng)快，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性。傳感器性能由于減少了一個(gè)單獨(dú)協(xié)處理器芯片的發(fā)熱而得以提高，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)高性能功能。AP0200AT 提供以太網(wǎng)輸出，最高可支持 2 百萬(wàn)像素傳感器。它包括一個(gè)空
關(guān)鍵字： onsemi AP0200AT AR0147AT 車(chē)載攝像頭

關(guān)于防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)的討論

　　防反接保護(hù)電路　　1，通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1示：　　這種接法簡(jiǎn)單可靠，但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A，如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管MUR3020PT，額定管壓降為0.7V，那么功耗至少也要達(dá)到：Pd=2A×0.7V=1.4W，這樣效率低，發(fā)熱量大，要加散熱器。　　2，另外還可以用二極管橋?qū)斎胱稣?，這樣電路就永遠(yuǎn)有正確的極性(圖2)。這些方案的缺點(diǎn)是，二極管上的壓降會(huì)消耗
關(guān)鍵字： Onsemi 二極管

安森美推出新款USB 2.0過(guò)壓保護(hù)器件

　　全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款帶集成電流保護(hù)和高速靜電放電(ESD)保護(hù)的過(guò)壓保護(hù)(OVP)器件——NCP362，用于便攜、電信、消費(fèi)和計(jì)算系統(tǒng)中的USB 2.0應(yīng)用。　　這集成器件加強(qiáng)USB端口的安全性，簡(jiǎn)化便攜電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，不需要使用獨(dú)立的OVP、過(guò)流保護(hù)(OCP)及瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)等元件; NCP362未面市前，設(shè)計(jì)人員仍需要采用這些元件來(lái)保護(hù)易受影響的便攜設(shè)備，使其免受源于USB主設(shè)備(host)、墻式適配器、人體及不恰當(dāng)
關(guān)鍵字： onsemi 過(guò)壓保護(hù) NCP362

安森美半導(dǎo)體 ATX電源參考設(shè)計(jì)

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出業(yè)界第一款通過(guò)測(cè)試、符合80 PLUS計(jì)算應(yīng)用性能要求的開(kāi)放式ATX參考設(shè)計(jì)。這款250瓦（W）的參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了ATX電源的所有功能模塊，包括功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源控制和穩(wěn)壓、后穩(wěn)壓及輸出整流。這款設(shè)計(jì)應(yīng)用了安森美半導(dǎo)體的多個(gè)先進(jìn)電源管理器件，并利用先進(jìn)的分立元件技術(shù)取得性能上的突破。安森美半導(dǎo)體電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品部副總裁Andy Williams說(shuō)：“這款通過(guò)認(rèn)證的80 PLUS ATX參考
關(guān)鍵字： ONSEMI 模擬IC 電源