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oip 3d fabric 文章 最新資訊

TDK推出采用3D HAL技術并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

  • ●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
  • 關鍵字： TDK  3D HAL  位置傳感器  

3D ToF相機于物流倉儲自動化的應用優(yōu)勢

  • 3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現(xiàn)場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M模式與型態(tài)，導致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
  • 關鍵字： 3D ToF  相機  物流倉儲  自動化  臺達  

3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
  • 關鍵字： V-NAND  閃存  3D NAND  

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

  • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
  • 關鍵字： 3D DRAM  泛林  

被壟斷的NAND閃存技術

  • 各家 3D NAND 技術大比拼。
  • 關鍵字： NAND  3D NAND  

3D 晶體管的轉變

基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
  • 關鍵字： 3D 打印機  NXP  LPC5528  

Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 關鍵字： Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

DRAM迎來3D時代？

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術

  • 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備，雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側向
  • 關鍵字： 3D NAND  

平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
  • 關鍵字： 3D DRAM  存儲器  

外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

  • 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
  • 關鍵字： 存儲  3D DRAM  

芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”

  • 國內(nèi)EDA行業(yè)領導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關注。“3D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
  • 關鍵字： 芯和半導體榮  3D InCites  Herb Reiter  年度最佳設計工具供應商獎  

芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”

  • 國內(nèi)EDA行業(yè)領導者芯和半導體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計，這一事件引起了我們極大的關注?！?D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
  • 關鍵字： 芯和半導體  3D InCites  Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎  
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