nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

基于VxWorks的NAND FLASH驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)

0 引言
目前，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，計(jì)算機(jī)技術(shù)也得到飛速的發(fā)展，產(chǎn)生了很多新技術(shù)。但就計(jì)算機(jī)的基本結(jié)構(gòu)來說，還是基本采用了馮?諾依曼結(jié)構(gòu)。然而馮?諾依曼結(jié)構(gòu)的一個(gè)中心點(diǎn)就是存儲(chǔ)一控制，所以存儲(chǔ)器
關(guān)鍵字： VxWorks FLASH NAND 驅(qū)動(dòng)

東芝32納米即將量產(chǎn)　群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持

　　面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù)，東芝原本預(yù)計(jì)32納米制程產(chǎn)量，在年底可達(dá)產(chǎn)能30%，但以目前進(jìn)度來看，勢(shì)必會(huì)延后量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)，其控制芯片供應(yīng)商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準(zhǔn)備妥當(dāng)，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時(shí)可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外，群聯(lián)8月營(yíng)收將持續(xù)成長(zhǎng)，估計(jì)月增率可達(dá)10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚(yáng)。　　東芝43納米制程量產(chǎn)成熟，下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)
關(guān)鍵字：東芝 32納米 NAND

2013年閃存需求規(guī)模將達(dá)到08年的11倍

　　根據(jù)配備各種存儲(chǔ)器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預(yù)測(cè)了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢(shì)。預(yù)測(cè)結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動(dòng)半導(dǎo)體元件投資增長(zhǎng)的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。　　按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達(dá)到400億個(gè) 　　《日經(jīng)市場(chǎng)調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達(dá)到約400億個(gè)。這一規(guī)模相當(dāng)于2008年的11倍左右。支持需求增長(zhǎng)的產(chǎn)品是個(gè)人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場(chǎng)要到2
關(guān)鍵字：三星 DRAM NAND

20nm之后將采取三維層疊技術(shù)

　　在今后的2年～3年內(nèi)，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說，到2011年～2012年，通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術(shù)，NAND閃存很有可能實(shí)現(xiàn)128Gb的容量。　　但是，如果要實(shí)現(xiàn)超過128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。許多工程師也認(rèn)為，2011年～2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。但據(jù)SanDisk公司分析，當(dāng)工藝發(fā)展到20nm以下時(shí)，從
關(guān)鍵字： SanDisk 20nm NAND

美光：TMC模式不會(huì)成功

　　隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺(tái)面，美光(Micron)和臺(tái)塑集團(tuán)將加速送出整合計(jì)畫書，美光在臺(tái)代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會(huì)成功，即使成功亦不會(huì)解決臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺(tái)系DRAM廠并不會(huì)步上奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)后塵，因?yàn)榕_(tái)灣12寸廠產(chǎn)能相當(dāng)吸引人，不會(huì)像奇夢(mèng)達(dá)倒了都還找不到買主，而美光在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機(jī)會(huì)。　　現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲(chǔ)器公司作出發(fā)，采取爾必
關(guān)鍵字：美光 DRAM NAND

三星計(jì)劃升級(jí)美國(guó)內(nèi)存芯片工廠裁員500人

　　三星電子正計(jì)劃對(duì)美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進(jìn)行升級(jí)改造，這一過程中將裁員500人。　　三星奧斯汀半導(dǎo)體公司將投資5億美元將對(duì)該工廠進(jìn)行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。　　今年早些時(shí)候，三星奧斯汀半導(dǎo)體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當(dāng)?shù)負(fù)碛袃杉夜S，分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存芯片 DRAM NAND

智能手機(jī)微型投影機(jī)初露鋒芒，NAND閃存繁榮依舊

　　手機(jī)及其它移動(dòng)電子設(shè)備微型投影機(jī)發(fā)展驚人　　據(jù) iSuppli 公司，由于能夠克服移動(dòng)電子設(shè)備顯示屏尺寸的限制，嵌入到智能手機(jī)等產(chǎn)品中的微型投影機(jī)的出貨量未來四年將增長(zhǎng)約 60 倍。　　到 2013 年，內(nèi)嵌式微型投影機(jī)的出貨量將從今年的 5 萬部升至超過 300 萬部。附圖為 iSuppli公司對(duì)內(nèi)嵌式微型投影機(jī)全球出貨量的預(yù)測(cè)。　　iSuppli 對(duì)微型投影機(jī)的定義是：重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無需電池組的正投影機(jī)。雖然微
關(guān)鍵字：智能手機(jī) NAND

NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

　　NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對(duì)建新廠失去興趣。　　積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長(zhǎng)，其中包括最有潛力的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力——嵌入式移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)。　　Harari在閃存峰會(huì)的主題演講中
關(guān)鍵字： SanDisk NAND 閃存

英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

　　英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲(chǔ)容量為每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特。這個(gè)存儲(chǔ)密度高于目前標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)存儲(chǔ)單元2比特的技術(shù)，從而將實(shí)現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。　　美光NAND閃存營(yíng)銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說，雖然在一個(gè)存儲(chǔ)單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度，但是，這種做法沒有基于更標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。固
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 34納米

臺(tái)灣媒體：奇夢(mèng)達(dá)資產(chǎn)拍賣大陸撿便宜

　　曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢(mèng)達(dá)進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時(shí)機(jī)!浪潮集團(tuán)將于8月中收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)中心，至于蘇州封測(cè)也傳出將由華潤(rùn)集團(tuán)接手，而這些收購(gòu)公司背后都有國(guó)資背景，顯見在官方撐腰并下指導(dǎo)棋的情況下，大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。　　德國(guó)內(nèi)存龍頭廠奇夢(mèng)達(dá)確定遭到市場(chǎng)淘汰，并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢(mèng)達(dá)的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國(guó)的弗吉尼亞與德國(guó)的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測(cè)廠。至于奇夢(mèng)達(dá)在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
關(guān)鍵字：奇夢(mèng)達(dá) 晶圓服務(wù)器 DRAM NAND

日本半導(dǎo)體和液晶生產(chǎn)復(fù)蘇廠家暑期加班應(yīng)對(duì)

　　據(jù)日本媒體報(bào)道，日本近期半導(dǎo)體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時(shí)間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數(shù)碼家電銷量增長(zhǎng)等因素，市場(chǎng)需求得到恢復(fù)，庫(kù)存調(diào)整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績(jī)有望得到好轉(zhuǎn)，也可能為日本國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)帶來一股活力。　　在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導(dǎo)權(quán)的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠也將于10月起按預(yù)定計(jì)劃開工。　　東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機(jī)等的&
關(guān)鍵字：夏普液晶面板半導(dǎo)體 NAND

東芝大砍6成芯片支出轉(zhuǎn)加強(qiáng)電力及基礎(chǔ)建設(shè)

　　8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長(zhǎng)將減緩，并尋求擴(kuò)張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù)，3年后其電力及基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)的獲利，將達(dá)電子產(chǎn)品部的2倍。　　東芝的半導(dǎo)體部門已連續(xù)3季出現(xiàn)營(yíng)業(yè)虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領(lǐng)域?qū)で蠊潭I(yíng)收來源，例如健康醫(yī)療及水處理等。　　東芝目前預(yù)期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門于2012年3月底結(jié)束的會(huì)計(jì)年度，獲利將達(dá)約1000億日元(10億美元);而屆時(shí)社會(huì)基礎(chǔ)建設(shè)業(yè)務(wù)獲利則可達(dá)2000億
關(guān)鍵字：東芝 NAND 晶圓

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)既樂觀又擔(dān)憂的7個(gè)理由

　　盡管最近市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI仍不修正半導(dǎo)體業(yè)陰沉的預(yù)測(cè)，即09年全球設(shè)備市場(chǎng)下降44.2%及半導(dǎo)體市場(chǎng)下降12.4%，而其CEO Hutcheson對(duì)于IC工業(yè)仍非常樂觀。　　根據(jù)與Hutcheson的對(duì)話及公司的最新報(bào)告，以下將結(jié)論刊出，共有4個(gè)正面意見及2個(gè)負(fù)面看法。以下是為什么分析師呈現(xiàn)樂觀或者擔(dān)心的原因。　　1. 看到回升　　7月的周報(bào)IC銷售額上升到33億美元，打破了三周來IC銷售額的陰沉局面，因?yàn)橥ǔ?月是典型的弱月份，所以這條消息具正面意見。依周與周的比較，IC銷
關(guān)鍵字： Cisco 通訊太陽(yáng)能 NAND

第二季度NAND Flash市場(chǎng)收入大漲33.6%

　　在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應(yīng)及新興市場(chǎng)庫(kù)存回補(bǔ)需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收都較上一季成長(zhǎng)，2009年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營(yíng)收為27億8千6百萬美元，較上一季的20億8千6百萬美元成長(zhǎng)33.6%QoQ。　　就2009年第二季NAND Flash品牌廠商營(yíng)收排行來看，Samsung營(yíng)收為10億3千7
關(guān)鍵字： Micron NAND

東芝閃存工廠遭雷擊出貨量下降價(jià)格上漲10%

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應(yīng)量驟降，帶動(dòng)近期microSD卡價(jià)格上漲逾10%。　　內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為，過去記憶卡價(jià)格一直嚴(yán)重偏低，業(yè)界趁此機(jī)會(huì)調(diào)漲終端記憶卡售價(jià)，但NAND Flash芯片價(jià)格上漲機(jī)率則不高。　　業(yè)內(nèi)人士表示，2009年初NAND Flash芯片價(jià)格持續(xù)上漲，記憶卡價(jià)格卻沒有跟上來，導(dǎo)致NAND Flas
關(guān)鍵字：東芝 NAND 晶圓

共1113條 62/75 |‹ « 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 » ›|

nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]