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海力士開始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

  • 　　韓國海力士聲稱，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術進行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。 　　該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進行疊層封裝完成。 　　海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
  • 關鍵字： 海力士  20納米  NAND  

第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。 　　三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠 　　從市場面觀察，由于第二季 DRAM 合
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存

  • 　　南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。 ? 　　Hynix Cheong-ju M11工廠 　　Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
  • 關鍵字： Hynix  NAND  20nm  

采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn)

  • 采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進行配置。
  • 關鍵字： 系統(tǒng)  開發(fā)  實現(xiàn)  SOPC  器件  Flash  存儲  采用  

DSP外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設計

  • 摘要：詳細介紹DSP與Flash存儲器的兩種硬件接口方式及在線編程，分析了兩種硬件接口方式下在線編程的區(qū)別，給出了相應的在線編程核心代碼并在實際電路上測試通過，可作為DSP嵌入式系統(tǒng)設計的參考。
    關鍵詞：在線編程
  • 關鍵字： 編程  軟硬件  設計  在線  存儲器  外部  Flash  DSP  

VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設計與實現(xiàn)

  • VxWorks文件系統(tǒng)、Flash的TFFS設計與實現(xiàn),0 引言

    在VxWorks的應用系統(tǒng)中，基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結構。

    一般情況下，磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng)，磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū)，扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的
  • 關鍵字： 設計  實現(xiàn)  TFFS  Flash  文件  系統(tǒng)  VxWorks  

U-Boot從NAND Flash啟動的實現(xiàn)

  • 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現(xiàn)從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結構和存儲特點，增加U-
  • 關鍵字： 實現(xiàn)  啟動  Flash  NAND  U-Boot  

日本半導體企業(yè)1Q財報喜憂參半

  • 　　日本半導體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。 　　東芝半導體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動，加上 NANDFlash均價跌幅趨緩，東芝半導體事業(yè)表現(xiàn)遠超過預期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

VLSI提高半導體預測 但CEO們?nèi)允侵斏鞯臉酚^

  • 　　VLSI提高IC預測，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。 　　同時由于經(jīng)濟大環(huán)境可能對于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對于產(chǎn)業(yè)抱謹慎的樂觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。 　　VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的，按VLSI的最新預測，2010年IC市場可能增長30%，但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導體設備增長96%。 　　而在之前的預測中認為2010年全球IC市場增長28.1%，其它預測尚未改變。
  • 關鍵字： 芯片制造  NAND  

分析師認為閃存熱 但是供應鏈不配套

  • 　　無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。 　　要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復蘇，預測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應鏈部分卻遭受困境。 　　按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。 　　這是好的消息而壞消息在供應鏈中也開始傳了出來。 　　Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
  • 關鍵字： 閃存  NAND  NOR  

蘋果砸中閃存

  • 　　iPhone、iPad等蘋果i家族產(chǎn)品的熱銷，正引發(fā)連鎖反應。 　　7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報記者專訪時表示，蘋果產(chǎn)品的熱銷消耗了整個閃存芯片市場不少庫存，目前行業(yè)正處于供不應求的局面。 　　受此拉動，閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個靚麗的財季。 　　近期陸續(xù)出爐的最新一季財報顯示，在iPhone以及iPad的拉動下，閃存芯片近期需求及價格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當季的銷售
  • 關鍵字： NAND  閃存芯片  iPhone  

三星電子第二季度凈利潤36億美元 同比增83%

  • 　　據(jù)國外媒體報道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業(yè)務大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。 　　在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示，公司第
  • 關鍵字： 三星電子  NAND  閃存芯片  

使用用CPLD和Flash實現(xiàn)FPGA的配置

  • 電子設計自動化EDA(ElectronicDesignAutomation)是指以計算機為工作平臺，以EDA軟件為開發(fā)環(huán)境，以硬件描...
  • 關鍵字： CPLD  FPGA  Flash  RAM  EDA  VHDL  

EUV要加大投資強度

  • 　　未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內(nèi)必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
  • 關鍵字： 半導體制造  DRAM  NAND  

并行NOR Flash在SOPC開發(fā)中的應用設計

  • 引言隨著FPGA技術的發(fā)展，出現(xiàn)了一種新概念的嵌入式系統(tǒng)，即SOPC（SystemOnProgrammableChip）。SOPC技...
  • 關鍵字： FPGA  SOPC  NOR  Flash  嵌入式  
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