nand 閃存文章最新資訊

中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 NAND

東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲(chǔ)產(chǎn)品

　　東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。閃存峰會(huì)是全球最大的閃存討論會(huì)，于8月5至7日在美國(guó)加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì)議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。　　閃存峰會(huì)的展覽環(huán)節(jié)在會(huì)議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號(hào)展位布展。　　主要展品 ??? 1、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(eSSD)：　　??? 企業(yè)級(jí)讀密集型
關(guān)鍵字：東芝 NAND 固態(tài)硬盤

匯聚中國(guó)移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商第二屆閃迪年度客戶研討會(huì)圓滿舉行

　　全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布，來自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國(guó)深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國(guó)及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢(shì)和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請(qǐng)了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
關(guān)鍵字：閃迪智能手機(jī) NAND

終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)

　　TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長(zhǎng)9%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置

第二季NAND Flash品牌廠商分析與營(yíng)收排行

今年第二季NANDFlash品牌供貨商營(yíng)收達(dá)76.49億美元，季成長(zhǎng)5.6%，隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場(chǎng)表現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Intel NAND

三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

　　全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè)，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長(zhǎng)率為負(fù)的28%。　　NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來襲

　　并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過程中，一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國(guó)德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī)，嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權(quán)衡，就必須記錄下這一信息，并在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中，
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SanDisk宣布11億美元收購(gòu)Fusion-io

　　北京時(shí)間6月16日晚間消息，SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布，已同意以11億美元現(xiàn)金收購(gòu)閃存設(shè)備制造商Fusion-io Inc(FIO)。　　根據(jù)交易條款，SanDisk將為每股Fusion-io股票支付11.25美元，較該股上周五收盤價(jià)溢價(jià)21%。　　SanDisk預(yù)計(jì)此項(xiàng)交易將于其第三財(cái)季完成，并將幫助提高其下半財(cái)年調(diào)整后每股盈利。　　Fusion-io位于美國(guó)鹽湖城，主要為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)閃存產(chǎn)品和軟件;Sandisk位于加州
關(guān)鍵字： SanDisk 閃存

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

　　全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù)，使消費(fèi)類及企業(yè)級(jí)SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲(chǔ)系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無與倫比的性能。　　Marvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
關(guān)鍵字： Marvell 控制器 NAND

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業(yè)內(nèi)率先提供此產(chǎn)品[2]。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速M(fèi)IPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實(shí)現(xiàn)了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。　　傳輸速度的加快可縮短各
關(guān)鍵字：東芝嵌入式閃存

TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

　　據(jù)悉，TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。　　目前，在消費(fèi)用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注，而在工業(yè)用途方面，預(yù)計(jì)M.2的采用也會(huì)得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢(shì)是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時(shí)，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過了10年。　　因此，考
關(guān)鍵字： TDK 閃存 SNG4A

Spansion 對(duì)旺宏電子發(fā)起另外兩項(xiàng)專利訴訟

　　行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對(duì)旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項(xiàng)專利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴(kuò)大的存儲(chǔ)產(chǎn)品中，在過往以及當(dāng)前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書。　　涉案的四項(xiàng)專利主要與閃存的制造、結(jié)構(gòu)以及使用相關(guān)。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
關(guān)鍵字： Spansion 旺宏 ITC 閃存

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

　　科研投資　　日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說：2012年日本國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對(duì)應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計(jì)算，半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬億日元，兩者之比達(dá)到1：20，如此給力，誰不動(dòng)心?!但是，半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè)，沒有國(guó)家的大力支持，沒有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入，那是美夢(mèng)難圓的。　　半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的要素之一，它每年投資計(jì)劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND IC 201405

美光在上海加大研發(fā)，實(shí)現(xiàn)“中國(guó)設(shè)計(jì)”

　　2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國(guó)的前景，因?yàn)橹袊?guó)“十二五”計(jì)劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?！　∧壳懊拦庠谏虾Ｓ袃蓚€(gè)設(shè)計(jì)中心，主要是做硬件和集成電路設(shè)計(jì)，比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室，旨在與客戶實(shí)現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
關(guān)鍵字： NOR 智慧城市節(jié)能環(huán)保閃存

LSI Nytro新品支持橫向擴(kuò)展

　　全新Nytro產(chǎn)品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數(shù)據(jù)中心。企業(yè)級(jí)PCIe閃存和緩存解決方案在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用快速增長(zhǎng)?！　SI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計(jì)用于對(duì)磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴(kuò)展服務(wù)器和存儲(chǔ)環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個(gè)SAS/SATA連接接口。相對(duì)于現(xiàn)有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍?！　SI?&nb
關(guān)鍵字： Nytro LSI 閃存