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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

英特爾大連55億美元非易失性存儲(chǔ)項(xiàng)目提前投產(chǎn)

  • 　　經(jīng)過8個(gè)多月的努力，英特爾大連非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目7月初實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導(dǎo)體(大連)有限公司廠區(qū)內(nèi)看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項(xiàng)目建設(shè)供應(yīng)商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標(biāo)只有一個(gè)：全力加速非易失性存儲(chǔ)制造新項(xiàng)目的量產(chǎn)步伐。 　　去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲(chǔ)器制造工廠。該項(xiàng)目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項(xiàng)目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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NAND快閃記憶體價(jià)格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷

  • 　　NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡(luò)，加上智能手機(jī)搭載容量提高，帶動(dòng)近月價(jià)格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運(yùn)受惠，市場(chǎng)預(yù)期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續(xù)漲力道。 　　市場(chǎng)指出，上半年非蘋陣營智能手機(jī)產(chǎn)品銷售強(qiáng)勁，產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導(dǎo)致停工，帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲，主流產(chǎn)品在1個(gè)月內(nèi)漲幅超過2成。 　　市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠營運(yùn)增溫，創(chuàng)見表示，在漲價(jià)預(yù)期心理帶動(dòng)下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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三星西安廠事故導(dǎo)致NAND價(jià)格爆沖22%

  • 　　因中國大陸、中國臺(tái)灣智能手機(jī)廠商紛紛強(qiáng)化產(chǎn)品功能、帶動(dòng)記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動(dòng)使用于智能手機(jī)、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價(jià)格轉(zhuǎn)趨走揚(yáng)，指標(biāo)性產(chǎn)品6月份批發(fā)價(jià)在1個(gè)月期間內(nèi)飆漲22%。 　　報(bào)道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價(jià)格揚(yáng)升至每個(gè)2.75美元、為2年9個(gè)月以來首度走升，其中也有部分交易價(jià)格超過3美元，且進(jìn)入7月以來價(jià)格仍持續(xù)走揚(yáng)。據(jù)英國調(diào)查公司指出，2016年全球NA
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東芝要做64層3D閃存：三星48層情何以堪？

  • 　　三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名，而且已經(jīng)堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》報(bào)道，東芝正在謀劃多達(dá)64層的NAND閃存，比三星多三分之一! 　　7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產(chǎn)48層堆疊閃存，并計(jì)劃2016財(cái)年(截止到2017年3月底)內(nèi)量產(chǎn)。 　　這種閃存的成本和價(jià)格會(huì)比較高，但是因?yàn)槿萘靠梢宰龅母?，平均價(jià)格反而會(huì)更便宜，可用于從智能手機(jī)、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領(lǐng)域，初期主要供應(yīng)持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。
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東芝3D閃存芯片：存儲(chǔ)容量將提高三成

  • 　　目前，越來越多的智能手機(jī)廠商，開始大幅度提高手機(jī)閃存的容量，市場(chǎng)對(duì)于閃存的需求和技術(shù)要求越來越高。據(jù)悉，日本東芝和韓國三星電子在閃存技術(shù)上存在激烈競(jìng)爭(zhēng)，而東芝領(lǐng)先了一局，該公司即將大規(guī)模生產(chǎn)3D閃存。 　　   　　手機(jī)內(nèi)存越配越高 　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞周六報(bào)道，本財(cái)年內(nèi)(明年三月底之前)，東芝公司將會(huì)投產(chǎn)最新一代的3D閃存，這將領(lǐng)先于閃存老對(duì)手三星電子。 　　眾所周知的是，東芝因?yàn)樨?cái)務(wù)丑聞，公司運(yùn)營陷入了艱難境地，東芝也希望自己占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢(shì)的閃存業(yè)務(wù)，能夠提振全公司的表現(xiàn)。
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東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash

  • 　　據(jù)海外媒體報(bào)道，東芝(Toshiba)計(jì)劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財(cái)年開始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲(chǔ)器芯片。日經(jīng)亞洲評(píng)論(Nikkei Asian Review)報(bào)導(dǎo)，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。 　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價(jià)格較高，但每單位容量會(huì)比48層版的便宜。若應(yīng)用于智能型手機(jī)
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中國半導(dǎo)體業(yè)崛起策略：三駕馬車并用

  • 有關(guān)中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的討論已經(jīng)很久了，似乎路徑已經(jīng)清晰，關(guān)鍵在于執(zhí)行，以及達(dá)成何種效果。受現(xiàn)階段產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的影響，仍由政府資金主導(dǎo)，因此非市場(chǎng)化的因素尚在，產(chǎn)業(yè)的波浪式前進(jìn)似乎不可避免，中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展需要采用研發(fā)、兼并及合資與合作的三駕馬車，這三者都十分重要，需要齊頭并進(jìn)。
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三星48層3D V-NAND快閃存儲(chǔ)器揭密

  • 　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。 　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級(jí)單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計(jì)會(huì)在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 　　   　　圖1：三星T3 2TB S
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

  • 　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。 　　日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(bào)(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力

  • 　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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三星3D V-NAND 32層對(duì)48層 僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

  • 　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級(jí)技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計(jì)其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級(jí)SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲(chǔ)芯片且通過引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲(chǔ)單元，意味著每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

  • 　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯　價(jià)格走揚(yáng)

  • 　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開始增加。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆琋AND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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中國成為全球新建晶圓廠主要推手

  • 　　全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國。 　　根據(jù)SEMI的統(tǒng)計(jì)，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數(shù)以上都是在中國;而2016年全球半導(dǎo)體廠商晶片制造設(shè)備支出估計(jì)將可達(dá)到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達(dá)到407億美元。 　　   　　包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設(shè)備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預(yù)期，3D NAND快閃記憶體、10奈
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nand 閃存介紹

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