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三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

韓國(guó)三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包
關(guān)鍵字： 3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤

現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD 存儲(chǔ)技術(shù)

隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲(chǔ)器的道路，IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動(dòng)態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
關(guān)鍵字： NAND DRAM

我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
關(guān)鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh

新春過后不久，Spansion又帶來了它的得意新作——Spansion® HyperBus™ 接口和基于該新接口的產(chǎn)品家族HyperFlash™ NOR閃存設(shè)備。據(jù)悉，搭載了
關(guān)鍵字：最快閃存突破接口

2013年 08月02日，中國(guó)北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今天宣布已經(jīng)完成對(duì)富士通半導(dǎo)體有限
關(guān)鍵字：富士通嵌入式閃存

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高，采購(gòu)意愿薄弱，
關(guān)鍵字： NAND Flash

由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢(shì)，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我
關(guān)鍵字： NFS PCIe NAS DRAM 閃存

在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下，2D或者說平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲(chǔ)領(lǐng)域。作為佐證，美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
關(guān)鍵字：美光企業(yè)級(jí)閃存 NAND

LSI SandForce詳細(xì)介紹了其下一代固態(tài)硬盤(SSD)控制器內(nèi)置的全新糾錯(cuò)方法，稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會(huì)上披
關(guān)鍵字： LSI 閃存 SSD

2013年 08 月 15 日，中國(guó)北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今日宣布起訴臺(tái)灣旺宏電子股份有限
關(guān)鍵字： Spansion 旺宏電子閃存

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
關(guān)鍵字：燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash

最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中獲益最多，取得領(lǐng)先地位。
關(guān)鍵字： 3D NAND 三星

　　存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。　　當(dāng)前，我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購(gòu)規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購(gòu)規(guī)模為66.7億美元
關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM