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ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
關鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產品

功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時，功率MOSFET需要作為常“開”開關運行。在VGS=0V時作為常 "開 "開關的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關型應用中，發(fā)揮著開關的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
關鍵字： MOSFET MOS

安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構

自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
關鍵字：安森美 MOSFET 車載充電器

安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構

自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
關鍵字：安森美 onsemi MOSFET 車載充電器 800V電池架構

用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
關鍵字：安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅動器

Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列

奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業(yè)、開關電源、快充、USB-PD和電機控制應用。長期以來，品質因數(shù)Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關效率的重點。然而，一味地降低該品質因數(shù)導致產生了意外后果
關鍵字： Nexperia MOSFET

采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點

近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多個標準法規(guī)已經或即將強制規(guī)
關鍵字：英飛凌 MOSFET

干貨 | MOSFET結構及其工作原理詳解

01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Sta
關鍵字： MOSFET

用于車載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術的汽
關鍵字：安森美車載充電器 MOSFET

三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？

MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅由Vce來決定，即不能采用飽和Rc
關鍵字：三極管 MOSFET

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？

要能快速高效地為電動車更大的電池充電，電動車才能在市場普及并發(fā)展。2021 年，市場上排名前 12 位的電動汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進行充電。為確保合理的車輛充電時間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時，這些電動汽車需要 12.1 小時才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時間縮短至 7.3 小時，而使用 22 kW OBC 時，只需
關鍵字： MOSFET 車載充電器

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術鑒定

近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求，突破多項關鍵工藝技術，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產業(yè)鏈量產平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網等領域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
關鍵字：中國電科 55所碳化硅 MOSFET

SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢

SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現(xiàn)在是Littelfuse公司的一部分）在2012年開發(fā)。SMPD只有硬幣大小，具有幾項關鍵優(yōu)勢：·
關鍵字： Littelfuse SMPD MOSFET

安森美與Kempower就電動汽車充電樁達成戰(zhàn)略協(xié)議

2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰(zhàn)略協(xié)議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動汽車（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產品在內的各種功率半導體技術，開發(fā)電動汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。安森美為Kempower 的Satellit
關鍵字：安森美 Kempower 充電樁 EliteSiC MOSFET 電動汽車快充

Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為

奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應這些變化。這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
關鍵字： Nexperia 交互式數(shù)據(jù)手冊 MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]