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Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET

基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進的電信和計算設備。憑借數(shù)十年開發(fā)先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
關鍵字： Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET

[向?qū)捊麕а葸M]:您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎?

_____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質(zhì)比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質(zhì)的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發(fā)不良的導電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實現(xiàn)方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用，而且在汽車
關鍵字： MOSFET IGBT

碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域增量市場需求望爆發(fā)

據(jù)報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
關鍵字： SiC MOSFET

使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導致電池的壓降太大和下游設備的供電電壓不足。因此，通常需要將電流限制在一個特定值。大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換器都有過流限制器，以保護其免受額外電流造成的損壞。在一些DC-DC轉(zhuǎn)換器中，甚至可以調(diào)整閾值。圖1. 每個端口輸出電流為1 A的充電寶中的電流限制。在圖1中，還可以使用具有內(nèi)置甚至可調(diào)節(jié)限流器的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。在這種情況下，無需額外的限流器模塊。不過，也有許多應
關鍵字： ADI MOSFET

Ameya360：平面MOSFET與超級結MOSFET區(qū)別

今天,Ameya360給大家介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。因為接下來的幾篇將談超級結MOSFET相關的話題，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基礎上，根據(jù)其特征和特性對使用區(qū)分有個初步印象。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍?？梢钥闯?，Si-MOSFET在這個比較中，導通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件
關鍵字： MOSFET 超級結MOSFET

FPGA 和功率 MOSFET 缺貨現(xiàn)象下半年將持續(xù)

2023 年，半導體和電子元件價格正在穩(wěn)定，但仍有部分產(chǎn)品短缺。
關鍵字： FPGA MOSFET

詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝

電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小，從而有助于實現(xiàn)更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時散熱效果并不理想。由于器件的引線框架（包括裸露漏極焊盤）直接焊接到覆銅區(qū)，這導致熱量主要通過PCB進行傳播。而器件的其余部分均封閉在塑封料中，僅能通過空氣對流來散熱。因此，熱傳遞效率在很大程度上取決于電路板的特性：覆銅的面積大小、層數(shù)、厚度和布局。無論電路板是
關鍵字：安森美 MOSFET

銀河微電：功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術量產(chǎn)

銀河微電12月20日在互動平臺表示，功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術的量產(chǎn)；IPM模塊已完成一款封裝的量產(chǎn)，未來將根據(jù)市場情況逐步系列化；DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開發(fā)目標要求；CSP0603封裝已完成技術開發(fā)，未來芯片線改擴建時將進行成果轉(zhuǎn)化。
關鍵字：銀河微電 MOSFET

功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南

_____“?動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應用和學術研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進行?！卑凑毡粶y器件的封裝類型，功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)分為針對分立器件和功率模塊兩大類。長期以來，針對功率模塊的測試系統(tǒng)占據(jù)絕大部分市場份額，針對分立器件的測試系統(tǒng)需求較少，選擇也很局限。隨著我國功率器件國產(chǎn)化進程加快，功率器件廠商和系統(tǒng)應用企業(yè)也越來越重視功率器件動態(tài)參數(shù)測試，特別是針對分立器件的測試系統(tǒng)提出了越來越多
關鍵字： MOSFET

功率MOSFET零電壓軟開關ZVS的基礎認識

高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關損耗，提高系統(tǒng)效率。高頻高效是開關電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關損耗，提高系統(tǒng)效率。功率MOSFET開關損耗有2個產(chǎn)生因素：1）開關過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
關鍵字： MOSFET ZVS

高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望

碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應用領域需求廣泛，具有巨大的研究價值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術進展，總結了進一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現(xiàn)狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進入高壓、特高壓領域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
關鍵字： SiC MOSFET

東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支持車載設備對更大電流的需求

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產(chǎn)業(yè)對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結構，通過引入一個銅夾片將源極連接件和外
關鍵字：東芝 MOSFET

功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

功率半導體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應用領域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個細分領域性能要求
關鍵字：功率器件 IGBT MOSFET 國產(chǎn)替代

羅姆（ROHM）第4代：技術回顧

羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準他們之前取得成功的車載充電器市場。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進一步改進原有的雙溝槽結構，在不影響短路耐受時間的情況下，使單位面積導通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關損耗比我們的上一代碳
關鍵字：羅姆 ROHM MOSFET

Vishay推出的新款對稱雙通道MOSFET 可大幅節(jié)省系統(tǒng)面積并簡化設計

美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應
關鍵字： Vishay 對稱雙通道 MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]