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2005年4月21日，瑞薩推出業(yè)界最小、最薄的高頻功率MOSFET

　　2005年4月21日，瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET，用于手持式無線電設(shè)備及類似設(shè)備中的傳輸功率放大，通過使用新工藝和新封裝，實(shí)現(xiàn)了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET Renesas

新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊SKHI22A/B

SKHI22A/B是德國西門康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動(dòng)模塊。
關(guān)鍵字： SKHI22A/B 模塊驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET 新型

一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器

介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計(jì)的電力電子驅(qū)動(dòng)器件――SCALE集成驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì) MOSFET IGBT 專為

基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計(jì)

摘要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽能逆變電源中的應(yīng)用，其脈沖波形隨設(shè)計(jì)線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果，從而解決了隨機(jī)燒毀功率管的技術(shù)問題。關(guān)鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過程中，有時(shí)隨機(jī)出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象，本文對這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1 SG35
關(guān)鍵字： MOSFET-90N10 SG3525A 逆變電源模擬IC 電源

2004年6月7日，瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

　　2004年6月7日，瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產(chǎn)品相比，HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低，將有助于設(shè)計(jì)小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]