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單相逆變器智能功率模塊應用電路設計

1 引言智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
關(guān)鍵字： IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊

飛兆半導體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET

為汽車電子設計提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢飛兆半導體擴充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種面向電機控制應用的新型30/40V器件飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應用的效率、性能和線路板空間而設計，其應用包括動力轉(zhuǎn)向、集成啟動器/交流發(fā)電機，
關(guān)鍵字： 30/40V AEC-Q101 MOSFET 低壓飛兆半導體汽車電子汽車電子

降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇

同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)。控制器生產(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應用電路不同，要根據(jù)實際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。對功率MOSFET的要求同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅(qū)動MOSFET的控制器及外接開關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因為它們能滿足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。圖
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù)

飛兆半導體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品

飛兆半導體的 MicroFET™系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應用中節(jié)省空間并延長電池壽命擴展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內(nèi) 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
關(guān)鍵字： Fairchild MicroFET™ MOSFET 單片機飛兆嵌入式系統(tǒng)

Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ

　Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件，可用于簡單的線性調(diào)節(jié)器，在起動階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎(chǔ)的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動時間。　　Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線
關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 高電壓電阻電位器

擴展升壓穩(wěn)壓器輸入、輸出電壓范圍的級聯(lián) MOSFET

　IC 升壓穩(wěn)壓器面向需要將電池電壓升高的便攜系統(tǒng)應用，它往往有一個能驅(qū)動儲能電感的輸出晶體管。
關(guān)鍵字：電壓范圍 MOSFET 輸出輸入升壓穩(wěn)壓器擴展

能改進動圈表頭對小電流測量的MOSFET

以前曾經(jīng)有一個設計實例介紹了用動圈模擬表頭測量小于 1A電流的十分有趣和有用的方法（參考文獻 1）。
關(guān)鍵字： MOSFET 測量電流表頭改進

IR推出100V集成MOSFET解決方案

為PoE應用節(jié)省80%的占位空間國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET MOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡和通信基礎(chǔ)設施系統(tǒng)的IEEE802.3af標準，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節(jié)省了80%的空間，或相當于典型48端口電路板中3
關(guān)鍵字： IR MOSFET 解決方案

MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

　　一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應要求。　　與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負載點（POL）電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC 電源

功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實驗結(jié)果均表明該方法的正確性。
關(guān)鍵字：研究問題 MOSFET 功率

提高穩(wěn)壓器過流保護能力的 MOSFET

經(jīng)典的 LM317型可調(diào)輸出線性穩(wěn)壓器具有相當大的電流承受能力。此外，LM317還具有限流和過熱保護功能。
關(guān)鍵字： MOSFET 能力保護穩(wěn)壓器提高

起直流穩(wěn)壓(流)電子負載核心作用的功率 MOSFET

設計人員都用直流電子負載來測試電源，如太陽能陣列或電池，但商用直流電子負載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區(qū)內(nèi)使用，就可制作出自己的直流電子負載（圖 1）。
關(guān)鍵字：作用功率 MOSFET 核心負載穩(wěn)壓電子直流

2005年4月21日，瑞薩推出業(yè)界最小、最薄的高頻功率MOSFET

　　2005年4月21日，瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET，用于手持式無線電設備及類似設備中的傳輸功率放大，通過使用新工藝和新封裝，實現(xiàn)了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET Renesas

新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊SKHI22A/B

SKHI22A/B是德國西門康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動模塊。
關(guān)鍵字： SKHI22A/B 模塊驅(qū)動 IGBT/MOSFET 新型

一種專為IGBT和MOSFET設計的驅(qū)動器

介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設計的電力電子驅(qū)動器件――SCALE集成驅(qū)動器的性能特點和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
關(guān)鍵字：驅(qū)動器設計 MOSFET IGBT 專為

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]