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Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15018/MAX15019，用于驅(qū)動(dòng)高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳，允許高達(dá)125V的輸入電壓，該指標(biāo)優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容，理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中，保證足夠的安全裕量。　　MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流，傳輸延遲僅為35ns (典型值)，驅(qū)動(dòng)器之間能夠保證2ns (
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ST推出250A功率MOSFET 提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)能效

　　意法半導(dǎo)體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。　　新產(chǎn)品STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無(wú)裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括：開關(guān)損耗低，抗雪崩性能強(qiáng)。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
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性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰(zhàn)

　　不同應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對(duì)功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。　　天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司技術(shù)部部長(zhǎng)饒祖剛表示，性能不同的功率半導(dǎo)體器件滿足了差異化應(yīng)用的需求，而這些不同功率半導(dǎo)體器件對(duì)制造工藝提出了多重挑戰(zhàn)。　　功率器件要滿足差異化應(yīng)用需求　　功率半導(dǎo)體器件工作在大功率條件下，除了要具備低功耗的特點(diǎn)外，不同的應(yīng)用還提出了一些新需求。例如，在電動(dòng)車、混合動(dòng)力汽車這樣的應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體器件需要
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凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開關(guān)。　　這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
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凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC4447

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4447，該器件用來(lái)在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器加上功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器，就可組成一個(gè)完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。　　LTC4447 在一個(gè) 4V 至 6.5V 的電壓范圍內(nèi)對(duì)上端和下端 MOSFET 柵極進(jìn)行軌至軌驅(qū)動(dòng)，并可從一個(gè)高達(dá) 38V 的電
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Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級(jí)封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時(shí)業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。　　隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來(lái)越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會(huì)極大減少。為實(shí)現(xiàn)消費(fèi)者對(duì)用電池做電源的電子設(shè)備的更長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間的期望，
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凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開關(guān)。　　這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
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Linear推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開關(guān)。　　這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流
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凌力爾特推出60V高壓側(cè)電流檢測(cè) DC/DC 轉(zhuǎn)換器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側(cè)電流檢測(cè) DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3755，該器件為驅(qū)動(dòng)大電流 LED而設(shè)計(jì)。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應(yīng)用，如汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET，可以用標(biāo)稱 12V 的輸入驅(qū)動(dòng)多達(dá) 14 個(gè) 1A 的白光 LED，提供超過(guò) 50W 的功率。該器件具高壓側(cè)電流檢測(cè)，能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓?fù)渲?。LT3755 在升壓模
關(guān)鍵字：凌力爾特轉(zhuǎn)換器高壓側(cè)電流檢測(cè) LED MOSFET

Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關(guān)的8串白光LED (WLED)驅(qū)動(dòng)器

　　Maxim推出內(nèi)置MOSFET開關(guān)的8串白光LED (WLED)驅(qū)動(dòng)器MAX17061。器件采用內(nèi)部開關(guān)型電流模式升壓控制器驅(qū)動(dòng)LED陣列，最多可驅(qū)動(dòng)8串并聯(lián)的LED (每串可連接10個(gè)LED)。為保證均勻的LED亮度，每串LED采用一個(gè)電流源驅(qū)動(dòng)，各串之間的電流均衡精度可達(dá)±1.5%。另外，MAX17061還提供一路DPWM信號(hào)，用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號(hào)可通過(guò)PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時(shí)進(jìn)行控制。DPWM信號(hào)的頻率由外部電阻設(shè)置，進(jìn)一步增加
關(guān)鍵字： Maxim MOSFET WLED 驅(qū)動(dòng)器

汽車電子功率MOSFET

　　過(guò)去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象。且封裝很簡(jiǎn)單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動(dòng)車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應(yīng)用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標(biāo)配，在設(shè)計(jì)中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機(jī)、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。　　今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時(shí)代。本文將介紹和討論幾種推動(dòng)汽車
關(guān)鍵字：汽車電子 MOSFET 溝道型功率解決方案

使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計(jì)算應(yīng)用的高功耗問(wèn)題

　　對(duì)于主板設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō)，要設(shè)計(jì)處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來(lái)滿足計(jì)算機(jī)處理器永無(wú)止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標(biāo)從8.4版本升級(jí)到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。　　在過(guò)去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動(dòng)高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時(shí)，電流切換速率要求也有相當(dāng)大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
關(guān)鍵字： MOSFET VRM 英特爾低功耗芯片 PWB

瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件

　　2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高功效級(jí)別*1 和IEC61000-4-2的4級(jí)ESD標(biāo)準(zhǔn)*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無(wú)線設(shè)備發(fā)射器的功率放大器。　　這兩種產(chǎn)品可以放大轉(zhuǎn)換為高頻的音頻信號(hào)，以發(fā)射規(guī)定的輸出功率，并將該功率傳送給天線。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開始提供。　　這兩種產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)。
關(guān)鍵字：瑞薩科技 MOSFET 無(wú)線設(shè)備發(fā)射器功率放大器

高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新英飛凌專家詳解提升能效秘笈

　　環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經(jīng)使全球有識(shí)之士認(rèn)識(shí)到節(jié)能減排提高能效是未來(lái)科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項(xiàng)長(zhǎng)期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關(guān)電源高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個(gè)時(shí)髦詞匯，更是一個(gè)全球挑戰(zhàn)！”如何應(yīng)對(duì)這項(xiàng)挑戰(zhàn)？各個(gè)半導(dǎo)體紛紛從半導(dǎo)體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來(lái)動(dòng)作頻頻，近日，英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
關(guān)鍵字：英飛凌半導(dǎo)體 OptiMOS MOSFET 導(dǎo)通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝電源管理

IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。　　新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (
關(guān)鍵字： IR 同步降壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]