- SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是，由于開關的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制
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Arrow 碳化硅 MOSFET
- PC、消費性市況在2022年第四季需求持續(xù)疲弱，且今年第一季客戶端仍舊處于保守態(tài)度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預期更加緩慢，供應鏈預期，最差情況可能要延續(xù)到今年第三季才可能逐步結束庫存去化階段。法人預期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠營運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場庫存去化速度緩慢。供應鏈指出，先前晶圓代工產能吃緊，客戶端重復下單情況在2
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庫存 MOSFET
- 眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。關于IGBT使用溝槽柵的原因及特點，可以參考下面兩篇文章：● 英飛凌芯片簡史● &n
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英飛凌 MOSFET
- 在本設計解決方案中，我們回顧了在工廠環(huán)境中運行的執(zhí)行器中使用的高邊開關電路的一些具有挑戰(zhàn)性的工作條件和常見故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監(jiān)控電路運行，并在發(fā)生這些情況時采取適當措施防止損壞。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個820
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技術田地 MOSFET
- 電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環(huán)境溫度。因此，他只能假設環(huán)境溫度。這就帶來了兩種后果：?? 每個電流
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MOSFET
- 電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉換都需要負載開關，它可以減小待機模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實現斷電控制。負載開關的作用是開啟和關閉電源軌，大部分負載開關包含四個引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當通過ON引腳使能器件時，導通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。東芝面向20V電源線路推出的MOSFET柵極驅動IC（集成電路）TCK421G就是一款負載開關，它是TCK42xG系列中的首款產品。該系列器件專門用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸
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TOSHIBA MOSFET
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球實現無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業(yè)內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
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羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動汽車逆變器
- 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世紀70年代
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功率半導體 MOSFET IGBT
- IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關頻率，降低了開關損耗和導通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲
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國星光電 碳化硅 NS62m MOSFET
- 新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅動和高壓化的技術發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動芯片方案。最后，本文根
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TI MOSFET OBC
- 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現在的SiC 器件性能卓越，能夠實現快速開關的單極組件，可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應用。與雙極 IGBT 相比，這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達 80%。英飛凌進一步優(yōu)化了
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儒卓力 MOSFET
- 近年來，工業(yè)應用對MOSFET 的需求越來越高。從機械解決方案和更苛刻的應用條件都要求半導體制造商開發(fā)出新的封裝方案和實施技術改進。從最初的通孔封裝（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面貼裝器件 (SMD)，再到最新的無引腳封裝，以及內部硅技術的顯著改進，MOSFET 解決方案正在不斷發(fā)展，以更好地滿足工業(yè)市場新的要求。本文介紹了 TOLT 的封裝方案、熱性能和電路板的可靠性。關鍵特性，主要優(yōu)勢和應用目標應用市場英飛凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封裝OptiMOS? 5 功率
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Arrow MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，該產品非常適用于可穿戴設備、無線耳機等可聽戴設備、智能手機等輕薄小型設備的開關應用。近年來，隨著小型設備向高性能化和多功能化方向發(fā)展，設備內部所需的電量也呈增長趨勢，電池尺寸的增加，導致元器件的安裝空間越來越少。另外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效地利用有限的電池電量，就需要減少用電元器件的功率損耗。針對這種需求，開發(fā)易于小型化而且特性優(yōu)異的晶圓級芯片尺寸封裝的MOSF
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ROHM MOSFET
- 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。前兩篇文章我們分別探討了SiC MOSFET的驅動電壓，以及SiC器件驅動設計中的寄生導通問題。本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時
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富昌電子 MOSFET
- 高壓功率系統(tǒng)設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
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SiC MOSFET 功率轉換
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