mosfet 文章進(jìn)入mosfet 技術(shù)社區(qū)

TNY256型單片機(jī)開關(guān)電源及其應(yīng)用

1 TNY256的性能特點(diǎn)
關(guān)鍵字： MOSFET TNY256 單片機(jī) 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 模擬IC 電源

ZETEX推出帶診斷功能的自保護(hù)MOSFET ZXMS6002/3

ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負(fù)載，如電燈、電機(jī)及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對(duì)過熱、過流和過壓故障的保護(hù)功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現(xiàn)智能的
關(guān)鍵字： MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制工業(yè)控制

Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。　　最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負(fù)載，如電燈、電機(jī)及電磁鐵。　　ZXMS6002G具有針對(duì)過熱、過流和過壓故障的保護(hù)功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 封裝

飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì)，可為等離子體顯示板 (PDP) 應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆嵌入式系統(tǒng)

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)

摘要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題電源技術(shù) 功率模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝

擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動(dòng)DC-to-DC轉(zhuǎn)換器

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： LDO IC MOSFET

Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅(qū)動(dòng)操作

　　模擬信號(hào)處理及功率管理解決方案供應(yīng)商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)的N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET。　　這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關(guān)功能，可以使用兩個(gè)1.2V 電池或一個(gè)鋰離子電池驅(qū)動(dòng)。其超低柵極驅(qū)動(dòng)意味著可
關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 超低柵極驅(qū)動(dòng) 電源技術(shù) 模擬技術(shù)

飛兆半導(dǎo)體推出光隔離 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

能夠驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中高達(dá) 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成，為設(shè)計(jì)人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員，宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高達(dá)30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆半導(dǎo)體光隔離嵌入式系統(tǒng) 柵極驅(qū)動(dòng)器

常用MOSFET技術(shù)參數(shù)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET

利用MCU的內(nèi)部振蕩器為電源增加智能控制,

傳統(tǒng)上，開關(guān)電源（SMPS）是用一個(gè)基本的模擬控制環(huán)路來實(shí)現(xiàn)的，但數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）技術(shù)的最新發(fā)展使得采用全數(shù)字...
關(guān)鍵字：反饋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)

智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 汽車

英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件

英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件，助力電源制造商實(shí)現(xiàn)能效目標(biāo) 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電信設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標(biāo)準(zhǔn)電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導(dǎo)通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉(zhuǎn)換指標(biāo)上達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。許多電源產(chǎn)品，如用于服務(wù)器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機(jī)的電源產(chǎn)
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 節(jié)能器件模擬技術(shù) 英飛凌

單芯片大電流同步降壓方案助力簡化電源設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET

MOSFET熱模擬工具現(xiàn)提供免費(fèi)下載！

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET

簡易鋰電池保護(hù)IC測試電路的設(shè)計(jì)

由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達(dá)4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機(jī)、PDA和數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應(yīng)用中必須有相應(yīng)的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護(hù)IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護(hù)電路的設(shè)計(jì)中被廣泛采用。然而，目前無論是正向（獨(dú)立開發(fā)）還是反向（模仿開發(fā)）設(shè)計(jì)的國產(chǎn)鋰電池保護(hù)IC由于技術(shù)、工藝的原因，實(shí)際參數(shù)通常都與標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)有較大差別，在正向設(shè)計(jì)的IC中尤為突出，因此，測試鋰電池保護(hù)IC的實(shí)
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 鋰電池模擬技術(shù) 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

共1268條 83/85 |‹ « 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 »

mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]