飛兆半導(dǎo)體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV 的ESD (HBM) 電壓保護(hù)，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用 (如筆記本電腦和手機(jī)) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench®工藝，這些低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON) 低于5mOhm的FDS8812NZ) 能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下，系統(tǒng)依然安全。

FDS881XNZ系列為設(shè)計工程師提供了多種選項，讓他們可根據(jù)其電池應(yīng)用的功率管理和負(fù)載開關(guān)要求進(jìn)行選擇。FDS8812NZ (RDS(ON) = 4mOhm) 針對高端筆記本電腦應(yīng)用，協(xié)助設(shè)計工程師解決將高端功能整合到筆記本電腦中所面臨的散熱難題。FDS8813NZ (RDS(ON) = 4.5mOhm) 非常適合于15” 以上顯示器的一體化筆記本電腦，而FDS8817NZ (RDS(ON) = 7mOhm) 則是通用于中低端產(chǎn)品和子筆記本電腦的理想產(chǎn)品。

FDS881XNZ系列的主要優(yōu)點包括：
    低導(dǎo)通阻抗RDS(ON) 解決方案，能提高工作效率，從而延長電池使用壽命。
    集成式ESD保護(hù)二極管 (HBM) 提供8kV ESD保護(hù)功能。
    堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，可耐受電壓尖峰的沖擊，避免輸出端出現(xiàn)突變電壓。

FDS881XNZ系列N溝道MOSFET系列采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝，是飛兆半導(dǎo)體廣泛的電池用MOSFET產(chǎn)品系列的又一重要成員。要了解飛兆半導(dǎo)體N溝道和 P溝道 MOSFET系列的更多信息，請訪問網(wǎng)頁：www.fairchildsemi.com/batterymosfets。

FDS881x系列采用無鉛 (Pb-free) 引腳，潮濕敏感度符合 IPC/JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) J-STD-020對無鉛回流焊的要求，所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計均符合歐盟的有害物質(zhì)限用指令 (RoHS)。



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