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飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應(yīng)用(如筆記本電腦和手機)的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench工藝，這些低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式

飛兆半導(dǎo)體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應(yīng)用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench®工藝，這些低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展

1 引言　　人類的經(jīng)濟活動已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟時代，并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時期。電源是位于市電（單相或三相）與負(fù)載之間，向負(fù)載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備，是工業(yè)的基礎(chǔ)。　　電源技術(shù)是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件，綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對現(xiàn)代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動化、電力工程、國防及某些
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng)新高頻 MOSFET 模擬IC 電源

帶電流感應(yīng)的±4A數(shù)字控制兼容型單低端MOSFET驅(qū)動

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與應(yīng)用指南

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關(guān)鍵字： MOSFET 德州儀器

NEC電子推出8款汽車用功率MOSFET產(chǎn)品

　　NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)小型封裝產(chǎn)品的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售樣品。　　此次推出的新產(chǎn)品主要用于繼電器、電機等通過電流為數(shù)十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產(chǎn)品為40V耐壓、導(dǎo)通阻抗為業(yè)界最低的產(chǎn)品；另外4款產(chǎn)品與現(xiàn)有的60V耐壓品相比，導(dǎo)通阻抗最大可減至一半。　　對于汽車廠商及器件廠商等用戶而言，使用低導(dǎo)通阻抗產(chǎn)品可以減少電流流經(jīng)時產(chǎn)生的熱量，從而減輕電路設(shè)計時的負(fù)擔(dān)。　　新產(chǎn)品的樣品價格因耐壓及導(dǎo)通阻抗的不同而有
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高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算

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如何計算高功率電源中MOSFET的功耗

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功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： MOSFET 美國國家半導(dǎo)體

飛兆推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在
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Fairchild推出互補型40V MOSFET改進(jìn)LCD設(shè)計

飛兆半導(dǎo)體推出互補型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
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Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯

Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機控制及D類音頻系統(tǒng)。該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應(yīng)9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時間驅(qū)動1,000pF的負(fù)載。
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ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6

4月20日訊,半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社（總社設(shè)在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
關(guān)鍵字： MOSFET MPT6 ROHM 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝

ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列

ROHM株式會社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機、筆記本電腦、游戲機等小型、薄型機器的電源開關(guān)和電動機驅(qū)動器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨創(chuàng)的小型大功率封裝，低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
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帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器

　　Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調(diào)節(jié)，并且總輸出電流高達(dá)6A。2個PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。　　ISL65426的獨特電源模塊架構(gòu)允許對6個電流高達(dá)1A的模塊進(jìn)行分配，以便支持4個輸出配置選項之一。一個主電源模塊與各個同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個浮動從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩(wěn)壓器

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]