首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mobile dram

歐盟對三星等多家芯片制造商開出反壟斷罰單

  • 　　歐盟委員會19日裁定韓國三星等10家芯片制造商操縱市場價格的行為構成壟斷，并開出總額達3.31億歐元的罰單。 　　歐盟委員會當天發(fā)表聲明說，這些企業(yè)在動態(tài)隨機存儲器(DRAM)銷售上設定價格，其行為損害了市場競爭，違反歐盟反壟斷規(guī)定。 　　根據(jù)這一聲明，韓國三星電子公司被罰金額最高，為1.457億歐元，其次為歐洲第二大半導體生產(chǎn)商德國英飛凌科技公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司，分別被處以5670萬歐元和5150萬歐元罰金。據(jù)悉，韓國三星電子公司和韓國現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)公司去年在該存儲器全球市場中占據(jù)一半以上份
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  

最新DRAM廠商排名出爐 三星市占優(yōu)勢擴大

  • 　　市場調(diào)研機構Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市場份額公司排名情況。在Q1排名中市場份額擴大的優(yōu)勝者是三星，美光及力晶及茂德。Q1 市場份額減少的失意者為海力士，爾必達，南亞和威邦。 　　Q1的市場排名中依銷售額計，三星居首位，接下來為海力士，爾必達，美光，力晶，南亞，威邦，茂德，東芝和鈺創(chuàng)科技。 　　臺灣的茂德與力晶半導體由于產(chǎn)能利用率近滿載，它們的銷售額大幅增加。Gartner的分析師Andrew Norwood認為力晶受益于其技術向Elpida的65nm XS技術過渡, 所以超
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

三星斥156億美元巨資擴大產(chǎn)能 競爭對手咋舌

  • 　　三星電子前日宣布，今年的擴張資本支出將增加到18兆韓元(折合156億美元)。計劃將以11兆韓元擴充內(nèi)存芯片產(chǎn)能，還將以5兆韓元與2兆韓元分別投入液晶顯示器 (LCD)，以及電視與手機業(yè)務。此外，加上研發(fā)支出，預計三星今年支出總額將達26兆韓元，較去年激增67%，如此大手筆讓人咋舌。 　　據(jù)悉，三星半導體業(yè)務總裁權五鉉3月在出席GSA內(nèi)存大會時還表示，三星不會盲目擴大DRAM顆粒產(chǎn)量，但會重視產(chǎn)品價值，穩(wěn)定產(chǎn)品價格。他還督促DRAM制造商不要一味的追求產(chǎn)能，而是應該把注意力放在工藝升級和高端產(chǎn)品的研發(fā)
  • 關鍵字： 三星  DRAM  面板  

三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)社長權五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應該要節(jié)制擴產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規(guī)模最大的投資計畫，主要以半導體產(chǎn)業(yè)為主，這對全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說是投下一顆震撼彈，而臺系DRAM廠的反應則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出，三星此舉是看好未來3年PC市場成長率，但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍! 　　權五鉉3月中旬
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  

三星電子2010年整體投資將達26兆韓元

  • 　　三星電子在16號半導體生產(chǎn)線開工儀式上表示，2010年整體投資將達到26兆韓元。該生產(chǎn)線位于韓國華城，將主要用于生產(chǎn)下一代存儲產(chǎn)品，2011年建成投產(chǎn)后預計能月產(chǎn)12英寸半導體晶片20萬片以上。 　　2010年三星電子26兆韓元投資計劃主要包括：半導體領域11兆韓元、液晶領域5兆韓元、手機顯示領域2兆韓元以上、整體研發(fā)8兆韓元。經(jīng)過此輪投資三星電子將實現(xiàn)30納米DRAM大規(guī)模量產(chǎn)、擁有能夠月產(chǎn)7萬片的第四條8代液晶面板生產(chǎn)線、擁有全球最大規(guī)模的AMOLED生產(chǎn)線等。這是三星集團繼前不久宣布向新產(chǎn)業(yè)投
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  AMOLED  

5月DRAM合約價出爐　DDR2持平DDR3小漲

  • 　　原本進入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。 　　2010年5月合約價相當難談，幾乎到了快要難產(chǎn)的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  

光刻設備交貨延期推遲DRAM 40納米戰(zhàn)局

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉進45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉進63納米制程作為應變。DRAM業(yè)者皆認為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對決時間點，會是在2011年! 　　瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預計在9月之前會有5~6臺
  • 關鍵字： 三星電子  DRAM  40納米  

三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關

  • 　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。 　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
  • 關鍵字： Samsung  NAND  DRAM  

美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術

  • 　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。 　　完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
  • 關鍵字： 美光  DRAM  NAND  NOR  

Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭

  • 　　DRAM價格走揚，帶動全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長6.9%;其中，南韓三星市占率達32.3%，穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。 　　集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過，在電腦系統(tǒng)廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡，價格也持續(xù)走揚。 　　根據(jù)統(tǒng)計，第一季DDR3合約季均價上漲16%，現(xiàn)貨季均價也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面，第1季合約季均價上漲5%，現(xiàn)貨季均價則持平表現(xiàn)。 　　而在產(chǎn)品價格走揚，加上各
  • 關鍵字： 三星  DRAM  DDR3  

集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9%

  • 　　根據(jù)集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現(xiàn)貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現(xiàn)貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價持平，持續(xù)維持在高檔價格。 　　由于計算機系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉進至DDR3，使買方亦努力拉
  • 關鍵字： Samsung  DRAM  DDR3  

海力士：一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

  • 　　以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。 　　然而，海力士半導體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。 　　該公司補充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。 　　海力士半導體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
  • 關鍵字： 海力士  NAND  DRAM  

追隨三星之路　爾必達推出32GB容量模塊

  • 　　日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊，應用于服務器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等，DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，逐漸由主流規(guī)格2Gb，延伸至4Gb容量。 　　爾必達22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
  • 關鍵字： Samsung  DRAM  40納米  

追趕65納米

  • 　　在渡過困難的09年后,全球半導體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場相繼出現(xiàn)存儲器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導扭虧為盈, 預計2010年全球DRAM增長40%,可達319億美元。 　　以臺積電為首的代工業(yè)也是看好, 預計今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進制程取消淡季的固定優(yōu)惠，實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  模擬電路  

DRAM供不應求因素 供給和需求分析

  • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)自谷底回春，不淡擺脫過去虧損連連的情況，或是各廠要求政府要紓困，幾乎每家DRAM業(yè)者都開始賺錢，且DRAM供不應求情況越來越嚴重，價格也不斷上漲，現(xiàn)在DDR3和DDR2價格1顆3美元的情況發(fā)生在傳統(tǒng)淡季，實在少見，且缺貨的情況短期內(nèi)無法紓解。 　　市場分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面，除了三星電子(SamsungElectronics)實力和財力雄厚外，廠的資本支出頂多只能應付制程微縮的需求，沒有多余的資金可蓋新廠房。 　　再者，2010年各廠轉進50或是4
  • 關鍵字： DRAM  40納米  
共1915條 87/128 |‹ « 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 » ›|

mobile dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mobile dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mobile dram的理解，并與今后在此搜索mobile dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473