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存儲器市場高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次

  • 　　按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 　　IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。 　　同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。 　　三星在本月初時，它將擴大今年半導(dǎo)體的投資達96億美元， 也即表示
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金士頓創(chuàng)辦人稱：看好DRAM下半年銷售

  • 　　6月3日消息，據(jù)臺灣媒體報道，全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺表示，DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低，再加上智能手機等新的應(yīng)用產(chǎn)品，帶動DRAM需求，他認為下半年的DRAM市況應(yīng)該會好。 　　孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來越少，各大廠多進入制程轉(zhuǎn)換的階段，總產(chǎn)出量恐比實際預(yù)期要低。而在智能手機、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。 　　南韓三星電子大舉提高資本支出的計劃，讓臺系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認為，目前全球的
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力晶王其國：DRAM制程難度提升　摩爾定律放緩

  • 　　力晶總經(jīng)理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊，未來DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上，會因為財務(wù)問題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過于求的問題，尤其是相當(dāng)看好智能型手機(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級的應(yīng)用，對于未來DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。 　　王其國表示，過去摩爾定律認為每隔18個月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進
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存儲器市場高漲 引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變

  • 　　按IC Insight報告，在DRAM 及NAND市場高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 　　IC Insight的McLean的5月最新報告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠，它們的排名至少前進了一位，其中 Elpida前進了6位，列于第10。 　　同時列于第2的三星電子，估計2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達50%以上。 　　三星在本月初時，它將擴大今年半導(dǎo)體的投資達96億美元， 也即表示
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內(nèi)存市場地位穩(wěn)固 三星加大NAND芯片產(chǎn)能

  • 　　據(jù)報道，臺灣DRAM內(nèi)存制造商認為，三星目前已經(jīng)將重點放在了拉大與競爭對手在NAND閃存市場差距。由于在DRAM市場的地位十分穩(wěn)固，三星未來將不 會繼續(xù)加強該市場的投資，因此其它DRAM廠商在這方面的影響將會比較小。三星此前在全球NAND閃存市場的份額一度達到50%，但目前 已經(jīng)滑落到了40%，而且排在第二的東芝也是在身后緊追不舍。為了拉大與東芝的差距，三星可能將會將其NAND閃存芯片生產(chǎn)集中在新建的Line-16生 產(chǎn)線上。 　　外界還認為，受到操縱內(nèi)存價格事、可能遭受反壟斷調(diào)查影響，三星未來在D
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三星砸錢瞄準(zhǔn)東芝　臺DRAM廠喘口氣

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)宣布投下巨額資本支出計畫，在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪，尤其臺系DRAM廠憂心忡忡，擔(dān)心還沒打仗就先輸了一半，不過，近期存儲器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎?，三星這場充滿殺敵言論的喊話動作，真正用在DRAM產(chǎn)能擴充上應(yīng)是相當(dāng)有限，主要還是與東芝(Toshiba)NAND Flash龍頭保衛(wèi)戰(zhàn)，三星才有輸不得的壓力，加上三星針對LED、電池、太陽能、生物科技、醫(yī)療等5大新興事業(yè)體拓展雄心，對于DRAM產(chǎn)業(yè)威脅將低于預(yù)期。 　　三星在5月中旬宣布全球半導(dǎo)
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南北韓戰(zhàn)事升溫　三星命懸一線

  • 　　才剛對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對立情勢升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點。業(yè)界聚焦重點放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個人計算機(PC)和消費性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。 　　全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星 　　根據(jù)DIGITIMES
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DRAM模塊大者越大　金士頓全球市占突破40%

  • 　　存儲器模塊產(chǎn)業(yè)2009年享受低價庫存變黃金的榮景，但2010年營運則面對嚴峻挑戰(zhàn)，惟產(chǎn)業(yè)大者越大的趨勢不變，根據(jù)市調(diào)機構(gòu) iSuppli最新統(tǒng)計，金士頓2009年全球市占率已達40.3%，幾乎是第2到8名的總和，威剛則以7.4%位居全球第2，而2009年DRAM模塊產(chǎn)業(yè)規(guī)模約175億美元，整體出貨量約6.32億支，預(yù)計2010年會提升至242億美元之多。 　　2009年DRAM價格觸底反彈，存儲器模塊廠營運率先受惠，幾乎是上半年各廠手上還抱著庫存欲哭無淚，但隨著奇夢達(Qimonda)退出市場、個人
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擴大生產(chǎn)規(guī)模 三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

  • 　　為了擴大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(Samsung Electronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營運方式，將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營運體系。 　　據(jù)南韓MT News報導(dǎo)，三星23日動工的京畿道華城半導(dǎo)體新工廠名稱，并不是當(dāng)初預(yù)定的17號產(chǎn)線，而命名為16號產(chǎn)線。 　　三星相關(guān)人員指出，過去存儲器半導(dǎo)體市場規(guī)模較小，對于景氣好壞的循環(huán)相當(dāng)敏感，因此過去采用一座工廠兩條產(chǎn)線方式，以換取投資時差并減低風(fēng)險。 　　但目前三星在內(nèi)存市場的規(guī)模已夠大，必須一次擴大生產(chǎn)量規(guī)模
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三星的行動讓業(yè)界生畏

  • 　　三星在DRAM及NAND中稱霸，年產(chǎn)值達200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。 　　南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機芯片訂單，未來是否會擴大分食高通在臺積電訂單，高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
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迎戰(zhàn)三星 臺塑集團準(zhǔn)備好了

  • 　　南韓三星電子大張旗鼓擴充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺塑集團總裁王文淵日前于內(nèi)部會議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動擴產(chǎn)，其進度比預(yù)期快得多，惟集團與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺系廠商;對照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺塑集團已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。 　　三星大張旗鼓擴充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動快的多，也使臺灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場。 　　南亞科董事
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三星巨額投資計劃恐對全球DRAM業(yè)投下震撼彈

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)3月中旬來臺公開呼吁DRAM同業(yè)應(yīng)該要節(jié)制擴產(chǎn)，但三星電子卻于17日宣布，2010年將砸下26兆韓元(約折合228.8億美元)資本支出，是歷年來規(guī)模最大的投資計畫，主要以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為主，這對全球DRAM產(chǎn)業(yè)可說是投下一顆震撼彈，而臺系DRAM廠的反應(yīng)則是啞巴吃黃蓮。存儲器業(yè)者指出，三星此舉是看好未來3年P(guān)C市場成長率，但卻讓現(xiàn)階段正積極募資的臺系DRAM廠，狠狠挨了一記悶棍! 　　權(quán)五鉉3月中旬
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5月DRAM合約價出爐　DDR2持平DDR3小漲

  • 　　原本進入難產(chǎn)階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預(yù)期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認為，在電子產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結(jié)果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。 　　2010年5月合約價相當(dāng)難談，幾乎到了快要難產(chǎn)的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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英飛凌爾必達和解專利糾紛 達成交叉授權(quán)協(xié)議

  • 　　據(jù)國外媒體報道，歐洲第二大芯片廠商英飛凌日前宣布，公司已經(jīng)與日本爾必達就半導(dǎo)體技術(shù)專利糾紛達成和解。 　　英飛凌發(fā)言人Monika Sonntag今日在接受電話采訪時稱，雙方已經(jīng)同意交叉授權(quán)半導(dǎo)體專利技術(shù)，公司不會公布和解協(xié)議的具體財務(wù)條款。 　　爾必達是日本最大的電腦內(nèi)存芯片廠商，它與英飛凌就與微控制器有關(guān)的創(chuàng)新技術(shù)專利向美國地方法院和國際貿(mào)易委員會提出了訴訟。 　　英飛凌負責(zé)銷售、營銷與技術(shù)的管理委員會成員Hermann Eul表示：“我們期待著兩家公司能夠保持長久的和平關(guān)系。
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英飛凌與爾必達就專利侵權(quán)訴訟達成和解

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司與爾必達公司(Elpida Memory Icn.)就專利侵權(quán)訴訟達成和解。英飛凌與爾必達均同意撤消所有未決專利侵權(quán)訴訟。英飛凌于2010年2月向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)遞交起訴書，起訴爾必達及其客戶。爾必達隨后在弗吉尼亞州東部地區(qū)法院針對英飛凌提起兩項訴訟。 　　英飛凌與爾必達通過半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，就專利侵權(quán)訴訟達成和解。具體許可條款未透露。 　　英飛凌公司董事會成員兼銷售、營銷、技術(shù)和研發(fā)負責(zé)人Hermann Eul博士指出：“英飛凌很高
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