igbt-ipm 文章進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)

以創(chuàng)新的IGBT技術(shù)、合理的器件選型和有效的系統(tǒng)手段優(yōu)化變頻器設(shè)計

　　全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達(dá)變頻驅(qū)動在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域不斷增長，甚至還擴(kuò)展到民用產(chǎn)品和汽車領(lǐng)域。因此在過去幾年，市場對變頻器的需求量和相應(yīng)的產(chǎn)量一直在持續(xù)增長。隨著產(chǎn)量的不斷擴(kuò)大和技術(shù)趨向成熟，變頻器市場競爭也日益激烈，對產(chǎn)品性價比的要求不斷提高。　　標(biāo)準(zhǔn)的三相交流驅(qū)動變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來實現(xiàn)主電路中的6個開關(guān)，現(xiàn)在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外，一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個采用絕緣封裝且經(jīng)過檢驗
關(guān)鍵字：選型元器件變頻器 IGBT 元件制造

飛兆推電流檢測用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS

飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測用點(diǎn)火IGBT器件FGB3040CS，可以在應(yīng)用中省去用于檢測大電流的檢測電阻，從而將功耗降低30%并減少由此帶來的熱量。FGB3040CS具有電流檢測功能，能以小型的低電流檢測電阻替代高功率的檢測電阻，成功簡化系統(tǒng)元件的需求及降低總體成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技術(shù)設(shè)計，提供了高能量密度的點(diǎn)火IGBT。這項技術(shù)可讓芯片尺寸縮減到能夠裝入D-Pak封裝中而不會影響性能。 &n
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆電流檢測 IGBT FGB3040CS 基礎(chǔ)儀器

Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計用于電機(jī)控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20～50KHz高頻應(yīng)用，采用場溝漕截止IGBT用于5～20KHz的低頻應(yīng)用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內(nèi)部溫度的傳感器以實現(xiàn)過熱保護(hù)。快速NPT類IGBT的電流等級分別為：30A～50A/600V、15～25A/1200V；場溝漕截止型IGBT的電流等級分別為：20A～75A/600V，25A
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) Microsemi IGBT 電源模塊電源

單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計

摘要：以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例，介紹IPM的結(jié)構(gòu)，給出。IPM的外圍驅(qū)動電路、保護(hù)電路和緩沖電路的設(shè)計方案，介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：IPM：電路設(shè)計；PM200DSA060；逆變器 1 引言智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) IPM 電路設(shè)計 PM200DSA060 模擬IC 電源

通用光纖隔離驅(qū)動在大功率IGBT中的應(yīng)用

引言自MOSFET及IGBT問世以來，電壓控制型電力電子器件，特別是IGBT正經(jīng)歷一個飛速發(fā)展的過程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高，電流越做越大。同時，與之配套的驅(qū)動器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣，電源設(shè)備變換功率越來越大，電磁T擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力，提高驅(qū)動耐壓等級。于是，光纖的使用也就成為了必然。 1 ICBT驅(qū)動的幾種方式不同功率等級的IGBT，對驅(qū)動的要求不盡相同，表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動方式的比較。　　由表l可知，在大功率
關(guān)鍵字： IGBT 大功率光纖通訊網(wǎng)絡(luò) 無線

智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 汽車

單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計

1 引言智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
關(guān)鍵字： IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊

IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用研究

通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動要求和保護(hù)方法等討論，介紹了的一種可驅(qū)動高壓大功率IGBT的集成驅(qū)動模塊HCPL-3I6J的應(yīng)用
關(guān)鍵字：電路應(yīng)用研究保護(hù) 驅(qū)動高壓大功率 IGBT

基于IGBT的電磁振蕩設(shè)計

IGBT是絕緣柵極雙極型晶體管。它是一種新型的功率開關(guān)器件，電壓控制器件,具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、耐壓高方面的優(yōu)點(diǎn)，因此在現(xiàn)實電力電子裝置中得到了廣泛的應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IGBT 電磁振蕩

倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)

在工件淬火和焊接等工藝中，由于各種原因會造成電源負(fù)載端突然短路。為了減小負(fù)載短路時產(chǎn)生的浪涌電流對功率管的沖擊，采用降柵壓慢關(guān)斷技術(shù)，增強(qiáng)功率器件的瞬時過流能力，同時選擇合適的Cd和／LT的值，可以在一定程度上減小浪涌電流的大小，從而更好地保護(hù)功率管和主電路。
關(guān)鍵字：負(fù)載短路保護(hù) 電源加熱高頻感應(yīng) IGBT

電容模塊在緩沖電路中的應(yīng)用

關(guān)鍵字： IGBT 緩沖電容電容模塊

單電源供電的IGBT驅(qū)動電路在鐵路輔助電源系統(tǒng)中的應(yīng)用

文通過分析IGBT功率器件的特性、對可靠性驅(qū)動的要求以及幾種常用IGBT驅(qū)動電路的介紹，給出了單電源供電的IGBT驅(qū)動方案。
關(guān)鍵字：電源輔助系統(tǒng) 應(yīng)用鐵路電路供電 IGBT 驅(qū)動

智能型電源模塊加速三相電器電機(jī)驅(qū)動器開發(fā)

摘要：目前隨著設(shè)計開發(fā)進(jìn)程的加快，一些家電（高效洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和其他家用電器）要求用更先進(jìn)的設(shè)計方法來設(shè)計和實現(xiàn)。文中詳細(xì)地介紹了其中的智能型電源部分，以進(jìn)一步加速電機(jī)驅(qū)動器的開發(fā)，從而減少產(chǎn)品的開發(fā)成本和時間。在文章的最后，給出了相關(guān)產(chǎn)品的演示板。關(guān)鍵詞：智能型電源；電機(jī)驅(qū)動器；高壓驅(qū)動器；IGBT電器工程師需要一種設(shè)計方法，能夠簡化高效洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)和其他家用電器的三相變速電機(jī)驅(qū)動器的開發(fā)過程。變速電機(jī)驅(qū)動器采用電子線路來改變電機(jī)的轉(zhuǎn)速，而不是舊式電器中所使用的較低可靠性機(jī)械變速法。而且，
關(guān)鍵字：智能型電源高壓驅(qū)動器電機(jī)驅(qū)動器 IGBT 模塊

“單正向”柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

　　目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設(shè)計人員一般會設(shè)計柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設(shè)計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結(jié)果。　　為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟
關(guān)鍵字： IGBT 其他IC 制程

2005年5月12日，瑞薩推出手機(jī)相機(jī)用業(yè)界最小的閃光控制IGBT

　　2005年5月12日，瑞薩推出用于手機(jī)相機(jī)的CY25CAH-8F(2.5V驅(qū)動)和CY25CAJ-8F(4.0V驅(qū)動)的閃光控制IGBT*1。其尺寸為3.0毫米×4.8毫米，厚度(最大)0.95毫米，堪稱業(yè)界最小。
關(guān)鍵字：瑞薩 IGBT Renesas