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gan-on-si 文章 最新資訊

基于Si1000多路無線遙控開關(guān)的設(shè)計

  • 摘要：針對現(xiàn)有遙控電器開關(guān)的節(jié)電性不好、使用壽命短等缺點，文中采用低功耗芯片Si1000，設(shè)計了一種新的可編程無線遙控多路開關(guān)，以實現(xiàn)對多路照明燈的遙控控制。詳細闡述了整個電路的軟硬件設(shè)計，并對其進行了實驗
  • 關(guān)鍵字： Si  多路  無線遙控開關(guān)    

大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽電池的結(jié)構(gòu)與制備的實現(xiàn)

  • 1引言眾所周知，利用太陽能有許多優(yōu)點，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前來講，要使太陽能發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的最大目標，從目
  • 關(guān)鍵字： 結(jié)構(gòu)  制備  實現(xiàn)  電池  太陽  結(jié)集  成型  Si:H  大面積  

“主流GaN”的發(fā)展和未來

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
  • 關(guān)鍵字： 科銳  放大器  GaN  

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

  • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源...
  • 關(guān)鍵字： SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED  分析    

低溫p-Si薄膜的制備研究

  • 引言近年來，有源液晶顯示技術(shù)在液晶顯示產(chǎn)業(yè)和研究領(lǐng)域都獨占鰲頭。在有源液晶顯示技術(shù)中，多晶硅薄膜因高遷移率展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢，它的器件尺寸小，可以獲得更高的開口率和分辨率；由于遷移率的提高可以將周邊驅(qū)動
  • 關(guān)鍵字： 研究  制備  薄膜  p-Si  低溫  

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED    

大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

  • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
  • 關(guān)鍵字： LED  GaN  MOSFET  

基于PMM8731和SI-7300的步進電機驅(qū)動電路

  • PMM8731是日本三洋電機公司生產(chǎn)的步進電機脈沖分配器。而SI-7300則是日本三青公司生產(chǎn)的高性能步進電機集成功率放大器。它們和單片機一起可構(gòu)成一種高效電機控制驅(qū)動電路。文中介紹了PMM8713與SI-7300的功能，給出了
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動  電路  電機  步進  PMM8731  SI-7300  基于  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

力科發(fā)布了SI Studio軟件包以增強其分析和仿真能力

  • ??????? 力科公司，作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測試解決方案和網(wǎng)絡(luò)分析儀領(lǐng)導(dǎo)廠商，今天宣布推出其信號完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品：信號完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應(yīng)用軟件包的附加產(chǎn)品，它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作，還可以作為一個獨立的軟件使用。 　　可完成信號完整性分析、建模和仿真的功能 　　SI Studio針對信號完整性工程師而開發(fā)，可讓工程師使用一個軟件包就能完成對
  • 關(guān)鍵字： 力科  軟件包  SI-Studio  

基于SI濾波器的一種小波變換的實現(xiàn)

  • 摘要：文中在應(yīng)用對數(shù)域電路的基礎(chǔ)上，提出了一種新型的連續(xù)小波變換方法，它通過對母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式，并以Marr小波為例來模擬這個逼近過程，并用Matlab對逼近過程進行仿真。仿真結(jié)果顯示
  • 關(guān)鍵字： 變換  實現(xiàn)  小波  濾波器  SI  基于  
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