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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan-on-si

解決串行接口中的信號完整性問題(05-100)

  • 　　一直以來,信號完整性都是模擬工程師考慮的問題,但是隨著串行數(shù)據鏈接的傳輸速率向GHz級發(fā)展,數(shù)字硬件設計人員現(xiàn)在也必須關注這個重要的問題。
  • 關鍵字： Tundra  SI  串行  

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術平臺

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布，成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比，該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能，并降低能耗。 　　開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術，歷經5年研發(fā)而成的成果。 　　IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現(xiàn)電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業(yè)知識方面
  • 關鍵字： IR  功率器件  GaN  終端  

測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術問題

  • 要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
  • 關鍵字： GAN  蜂窩  話音質量  

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  • 　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產品，其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。 　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括： 　　1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍 　　 　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率 　　3. 在免授權的5.8G
  • 關鍵字： 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進展

  • 　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。??????? 　　“對實現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
  • 關鍵字： 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

  • 　　要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。 　　UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據、既有話音也有數(shù)據或既無話音也無數(shù)據時在蜂窩網絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網)和IP接入網絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網絡融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網，之后被3
  • 關鍵字： 移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  

中國首臺具有自主知識產權MOCVD設備問世

  • 　　由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。 　　 　　該設備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備，目前國內半導體照明產業(yè)的研發(fā)和生產所需設備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
  • 關鍵字： 青島杰生電氣  MOCVD  LED  LD  GaN  

藍色激光的應用

合成儀器技術(04-100)

  • 　　合成儀器(SI)利用部件開放結構環(huán)境中所用的核心硬件和軟件構建單元組合，合成傳統(tǒng)儀器中的激勵和/或測量功能。合成儀器概念在70年代末和80年代初，主要是集中在軍事項目研究中。此時，其技術不能為商業(yè)提供可用性。所能實現(xiàn)的主要是集中在RF/微波應用中的低頻模擬、數(shù)字和基帶中。 　　現(xiàn)代合成儀器發(fā)現(xiàn)它們的根是在過去10年通信革命和呈現(xiàn)出的軟件無線電(SDR)概念中。根據SDR的定義，SDR是由DSP、發(fā)送器、接收器把數(shù)字數(shù)據變?yōu)闊o線通信用的調制無線電波和把調制無線電波變換為數(shù)字數(shù)據。DSP提供無線電功能，
  • 關鍵字： 合成儀器  SI  SDR  

基于虛擬線的交通信息視頻檢測技術及應用

Si整流器與SiC二極管：誰與爭鋒

  • 　　在當今的電氣設備中,功率半導體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見。它們在正常工作過程中會在為其供電的交流電線上產生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。 　　首先，這些器件會引起較小的功率因數(shù)。其次，它們會使線電流失真，引起電噪聲或者產生與線電壓之間的相位偏移。 　　功率因數(shù)是指實際使用的功率與交流線上產生的視在功率二者的比值。電氣設備中如果存在大電容或者電感就會導致視在功率大于實際使用的功率，出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。 　　功率因數(shù)越小，在為設備供電的交流導線上損耗的電能就越多。如果設備中的功率半導體開關操作非常
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  Si  整流器  二極管  元器件用材料  

高速單片機硬件關鍵參數(shù)設計概述

  • 　　摘要：隨著目前新技術、新工藝的不斷出現(xiàn)，高速單片機的應用越來越廣，對硬件的可靠性問題便提出更高的要求。本文將從硬件的可靠性角度描述高速單片機設計的關鍵點。     關鍵詞：高速單片機 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設計 引 言 隨著單片機的頻率和集成度、單位面積的功率及數(shù)字信號速度的不斷提高，而信號的幅度卻不斷降低，原先設計好的、使用很穩(wěn)定的單片機系統(tǒng)，現(xiàn)在可能出現(xiàn)莫名其妙的錯誤，分析原因，又找不出問題所在。另外，由于市場的需求，產品需要采用高速單片
  • 關鍵字： 高速單片機  可靠性  特性阻抗  SI  PI  EMC  熱設計  MCU和嵌入式微處理器  

OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

  • 沖電氣(OKI)推出內建運算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產品運用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運用這一特長，加強與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構成單一芯片的商品陣容；未來
  • 關鍵字： OKI  SI-CMOS  傳感器  電源技術  模擬技術  IC  制造制程  

CISCO_服務器設計中的EMI和SI問題

  • 　　統(tǒng)時鐘設計和布線　　(以減小時鐘傾斜(Skew)導致的時鐘余裕 (timing margin) 受損)　　時鐘走線首先要注意避免阻抗不連續(xù)，在驅動器端的時鐘線設定阻抗為Z0為40Ω，然后每條線扇出成一對線，每條的Z0基本加倍，使信號反射減至最小。時鐘傾斜(timing skew)的問題是通過仿真解決，并將走線布到同一層上，管腳上時序信息是經過測試驗證過的?！　　　?yōu)化電源層結構，防止電源的電磁輻射影響信號層　　(減小耦合噪聲，△I噪聲，模式轉換噪聲mode conversion noise)　　在開始
  • 關鍵字： CISCO  EMI  SI  服務器  

AM OLED：OLED的“明日之星”

  • 摘要： 本文對近期平板顯示市場的一些變化,如液晶的大幅降價對PMOLED（被動式OLED)的沖擊，AMOLED（主動式OLED)的最新變化及技術趨勢進行了概括分析。關鍵詞： AM OLED；TFT；LTPS；a-Si 目前OLED市場上占據絕對優(yōu)勢的PM OLED，因局限于中小尺寸顯示屏市場，并且在技術與價格上與LCD相比優(yōu)勢不明顯，受LCD降價沖擊很大，未來并不被業(yè)界看好。相反，AM OLED技術卻在市場一片叫好聲中，日漸成熟，蓄勢待發(fā)。三星SDI預計在2007年進入市場，開始大規(guī)
  • 關鍵字： 0612_A  AM  a-Si  LTPS  OLED  TFT  消費電子  雜志_關注焦點  有機發(fā)光二極管  OLED  消費電子  
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