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硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進展

  • Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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力科發(fā)布了SI Studio軟件包以增強其分析和仿真能力

  • ??????? 力科公司，作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測試解決方案和網(wǎng)絡(luò)分析儀領(lǐng)導廠商，今天宣布推出其信號完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品：信號完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應(yīng)用軟件包的附加產(chǎn)品，它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作，還可以作為一個獨立的軟件使用。 　　可完成信號完整性分析、建模和仿真的功能 　　SI Studio針對信號完整性工程師而開發(fā)，可讓工程師使用一個軟件包就能完成對
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基于SI濾波器的一種小波變換的實現(xiàn)

  • 摘要：文中在應(yīng)用對數(shù)域電路的基礎(chǔ)上，提出了一種新型的連續(xù)小波變換方法，它通過對母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式，并以Marr小波為例來模擬這個逼近過程，并用Matlab對逼近過程進行仿真。仿真結(jié)果顯示
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一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計

  • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
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大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計與制備分析

  • 摘要：大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù)，并分析了制備工藝對其性能的影響。關(guān)鍵詞：太陽電池設(shè)計分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a－ Si:H
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一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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光致發(fā)光技術(shù)在檢測晶體Si太陽電池缺陷的應(yīng)用

  • 引言　　近年來，光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，提高效率和降低成本成為整個行業(yè)的目標。在晶體Si太陽電池的薄片化發(fā)展過程中，出現(xiàn)了許多嚴重的問題，如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等，正是這些缺陷限制了電池的光電
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

  • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字： GaN  LED  襯底  功率型    

Quamtum-SI DDR3仿真解析

  • Automated DDR3 Analysis

    Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam
  • 關(guān)鍵字： Quamtum-SI  DDR3  仿真    

GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億

  • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調(diào)查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進展。 　　目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
  • 關(guān)鍵字： GaN  MOSFET  

SI-PROG編程器的工作原理及其程序設(shè)計

  • 摘 要：介紹SI-PROG編程器的工作原理，利用PC機串口UART芯片實現(xiàn)單片機的ISP下載。PC機串口8250芯片中SOUT，DTR，RTS，CTS四個引腳的電平可通過其內(nèi)部的幾個寄存器分別進行控制或讀取，利用引腳可實現(xiàn)單片機的ISP下栽
  • 關(guān)鍵字： 及其  程序設(shè)計  原理  工作  編程器  SI-PROG  

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
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用LXI構(gòu)建合成儀器(05-100)

  • 　　合成儀器(SI)由模塊化組件構(gòu)建并啟用高速處理器和近代總線技術(shù),有望給測試用戶帶來更多的功能與靈活性,較低廉的總成本、更高速操作、更小的物理占用面積以及較長的使用壽命。然而,生產(chǎn)廠家和用戶共同面臨的一個問題是缺乏統(tǒng)一的,能滿足體系結(jié)構(gòu)和商品化要求的設(shè)計標準。PXI和VXI模塊儀器是這類應(yīng)用的最佳候選,但對SI設(shè)計人員亦有諸多限制,最終形成具有專用接口與控制模塊包裝的混合系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： 測試測量  SI  LXI  
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