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AB類功率放大器驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì)

  • 　　1 AB類功放驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)目標(biāo) 　　在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(jí)(即輸出級(jí))輸出一定的功率，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號(hào)功率的放大電路稱為功率放大電路，簡(jiǎn)稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 　　 　　A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導(dǎo)通角為360
  • 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  驅(qū)動(dòng)電  放大器  MOS  

Intersil ：衛(wèi)星電源管理解決方案

  • 本文介紹了Intersil的衛(wèi)星電源管理解決方案。
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34063用于DC－DC電源變換的電路

  • 34063一種用于DC－DC電源變換的集成電路，應(yīng)用比較廣泛，通用廉價(jià)易購(gòu)。
  • 關(guān)鍵字： 升壓  降壓  功率  MOS  

日立瑞薩開(kāi)發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元

  • 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲(chǔ)器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個(gè)單元的功耗降低了50％。此外，相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
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LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

  • LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)(2)       　　假設(shè)被測(cè)的是256色、384 LCD輸出且具有Dot 翻轉(zhuǎn)功能的IC，那么由公式可得需要測(cè)試的電壓值個(gè)數(shù)為：　　256（顏色深度）ｘ384（pin數(shù)）ｘ2(Dot 翻轉(zhuǎn)） ＝196,608　　一般的DC測(cè)試部件的測(cè)試時(shí)間為幾到幾十個(gè)uS，由此可知測(cè)試時(shí)間將會(huì)比較長(zhǎng)。如果IC的色彩深度高一些的話（65535色），測(cè)試時(shí)間根本無(wú)法讓人接受，因此在進(jìn)行此類測(cè)試時(shí)需要使用數(shù)字采樣器（Dig
  • 關(guān)鍵字： LCD  Driver  IC  液晶顯示  LCD  

LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)

  • LCD Driver IC 測(cè)試方法及其對(duì)測(cè)試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)LCD顯示器件在中國(guó)已有二十多年的發(fā)展歷程，已經(jīng)從最初的以數(shù)字顯示為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐渣c(diǎn)陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設(shè)備以其低電壓驅(qū)動(dòng)、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結(jié)構(gòu)、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡(jiǎn)單等等特點(diǎn)成為了極有發(fā)展前景的顯示器件?！　CD顯示器件種類繁多、發(fā)展迅速，從種類到原理、從結(jié)構(gòu)到效應(yīng)、從使用方式到應(yīng)用范圍差異很大，從測(cè)試原理上來(lái)說(shuō)也就會(huì)有一些不同，目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
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1994年6月，無(wú)錫微電子工程在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司全面通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收

  • 　　1994年6月，我國(guó)“七五”電子工業(yè)的頭號(hào)工程———無(wú)錫微電子工程在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司全面通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收。該工程的重點(diǎn)2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)，代表了我國(guó)當(dāng)時(shí)微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
  • 關(guān)鍵字： 華晶電子  集成電路  MOS  
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gan mos driver介紹

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