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gan mos driver 文章 最新資訊

新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈

  • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 　　SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
  • 關鍵字： SiC  GaN  

元件開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足

  • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 　　SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
  • 關鍵字： GaN  功率半導體  

解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

  • 發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠高于傳統(tǒng)光源，耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不...
  • 關鍵字： GaN  on  GaN  LED    

功率半導體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

  • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
  • 關鍵字： 功率  半導體  SiC  GaN  

應變工程項目大幅提高了綠色LED的光輸出

  • 中國科學院近日發(fā)布的一份報告稱，中國研究人員利用應變工程已將150mA的電流注入了530nm發(fā)光的二極管（LED），光的...
  • 關鍵字： LED    GaN    MOCVD  

Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析

  • 2013年9月5日，首屆“第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南...
  • 關鍵字： Si基  GaN  功率器件  

大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

  • 近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統(tǒng)、高頻 ...
  • 關鍵字： 大尺寸  磊晶技術  GaN-on-Si  基板破裂  

硅基GaN LED及光萃取技術實現(xiàn)高性價比照明

  • 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
  • 關鍵字： GaN    LED    光萃取技術  

功率器件的利器 GaN

  • 　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結構，為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。 　　GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被
  • 關鍵字： GaN  功率器件  

富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

  • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
  • 關鍵字： 富士通  功率器件  GaN  MB51T008A  

SiC和GaN是“下一代”還是“當代”？

  • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經(jīng)不再特別。”這是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發(fā)布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。 　　那么，在使用功率半導體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
  • 關鍵字： SiC  GaN  

車載筆記本電源的設計制作

  • 此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
  • 關鍵字： 車載筆記本  MOS  IC器件  

未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
  • 關鍵字： GaN  半導體  SiC  

未來十年GaN和SiC功率半導體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
  • 關鍵字： GaN  半導體  SiC  

三菱化學計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能

  • 　　因照明用LED需求大增，三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍。 　　目前，三菱化學利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。 　　而為了要達到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學計劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設備的制程，開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計劃憑借新設生產(chǎn)設備或增設廠房等措施，開始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍
  • 關鍵字： LED  GaN  
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