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gan mos driver 文章 最新資訊

Linux下SANE Driver自動(dòng)化測(cè)試工具的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • SANE（Scanner Access Now Easy）是一個(gè)應(yīng)用程序接口API（Application Programming Interface）[1]，提供了對(duì)光柵圖像掃描硬件的標(biāo)準(zhǔn)訪問(wèn)[2]。Linux對(duì)掃描儀的支持就是通過(guò)SANE實(shí)現(xiàn)的。SANE標(biāo)準(zhǔn)中將實(shí)現(xiàn)SANE接口的驅(qū)
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硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
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采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路及工作原理分析

  • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
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采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

  • 采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
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可設(shè)定10~100秒的長(zhǎng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路及工作原理

  • 電路的功能若要用555芯片組成長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(zhǎng)CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無(wú)法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
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V-MOS管測(cè)試

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當(dāng)今社會(huì)，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō)：英國(guó)倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì)，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

  • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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MOS場(chǎng)效應(yīng)管逆變器自制

  • 這里介紹的逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過(guò)程：　　 　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號(hào)發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
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高性能、可高壓直接驅(qū)動(dòng)MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  • NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個(gè)最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動(dòng)功能時(shí)齙控制模式有很大...
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硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
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硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，...
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MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

  • 1　引　言　　目前,實(shí)現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長(zhǎng)度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對(duì)器件的特性
  • 關(guān)鍵字： 行為  建模  及其  效應(yīng)  管短溝  MOS  
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gan mos driver介紹

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