gan ipm 文章 最新資訊
基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)

- 摘要:介紹一種基于DSP和IPM的變頻調(diào)速系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用“自舉”電路,采用DSP直接驅(qū)動(dòng)IPM,結(jié)構(gòu)緊湊。該系統(tǒng)已投入批量生產(chǎn),并經(jīng)過數(shù)年連續(xù)運(yùn)行。實(shí)際運(yùn)行表明,該系統(tǒng)穩(wěn)定可靠,滿足使用要求。 關(guān)鍵詞:DSP;IPM;變頻調(diào)速;硬件 引言 變頻調(diào)速技術(shù)廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域。隨著電力電子控制技術(shù)及元器件的不斷發(fā)展,變頻調(diào)速系統(tǒng)的集成度、智能化程度越來越高,硬件構(gòu)成也越來越緊湊、簡單。DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)+I(xiàn)PM(智能功率模塊)就是變頻調(diào)速系統(tǒng)最新的發(fā)展方向之一
- 關(guān)鍵字: DSP IPM 200812
IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

- 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比,該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能,并降低能耗。 開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù),歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。 IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)方面
- 關(guān)鍵字: IR 功率器件 GaN 終端
用于控制變速電動(dòng)機(jī)的功率模塊

- 改善洗衣機(jī)、電冰箱以及空調(diào)等家用電器能源使用效率的需求正在增加。從傳統(tǒng)的固定轉(zhuǎn)速馬達(dá)轉(zhuǎn)換到變速馬達(dá)可以節(jié)省能耗30%之多。但這種設(shè)計(jì)的難度較大,雖已經(jīng)出現(xiàn)了幾種方案來降低此類項(xiàng)目的數(shù)字設(shè)計(jì)工作難度,但是設(shè)計(jì)人員仍需要集成模塊和相關(guān)的設(shè)計(jì)工具來促進(jìn)功率級(jí)的設(shè)計(jì)。 為了使低成本變速馬達(dá)控制器成為可能,元器件供應(yīng)商設(shè)法通過簡化設(shè)計(jì)和降低結(jié)構(gòu)復(fù)雜度來減少變速控制器的成本。例如,已經(jīng)出現(xiàn)了幾種數(shù)字信號(hào)控制平臺(tái),它們結(jié)合了DSP和集成PWM和馬達(dá)控制外圍設(shè)備的RISC處理器。這些平臺(tái)可運(yùn)行第三方或者自行開發(fā)
- 關(guān)鍵字: 電動(dòng)機(jī) IPM DSP PWM 馬達(dá)
Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

- Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。 新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括: 1. 相比于類似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍 2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率 3. 在免授權(quán)的5.8G
- 關(guān)鍵字: 三極管 WiMAX Cree GaN
研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展
- 研究人員介紹,他們第一次在200mm硅(111)晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量,并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延(MOVPE)反應(yīng)腔中生長的。??????? “對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說,在200mm硅晶圓上生長出
- 關(guān)鍵字: 硅晶圓 GaN 200mm MEMC
如何測試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

- 要預(yù)測客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值的工具,本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。 UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù),UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng),之后被3
- 關(guān)鍵字: 移動(dòng)電話 UMA GAN SEGW WLAN
中國首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世
- 由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破,我國首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。 該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備,目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前,杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
- 關(guān)鍵字: 青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN
智能模塊IPM在雙PWM變頻器中的應(yīng)用

- 介紹了智能模塊IPM的原理及其在雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用,詳細(xì)介紹了IPM的引腳功能及其在系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)和電源設(shè)計(jì),給出了原理圖及接線圖,并提出設(shè)計(jì)中各種注意事項(xiàng)。
- 關(guān)鍵字: IPM 雙PWM變頻調(diào)速系統(tǒng) 引腳
三菱電機(jī)推出第四代DIP-IPM
- 三菱電機(jī)將攜同最新推出的第四代DIP-IPM(雙列直插型智能功率模塊),在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展(展位5102)上,為參觀者帶來現(xiàn)今世界上最領(lǐng)先的變頻家電節(jié)能技術(shù)。 三菱電機(jī)作為業(yè)界的先驅(qū),早在1997年就開發(fā)了用于白色家電和工業(yè)用電機(jī)的變頻驅(qū)動(dòng)的DIP-IPM。2004年以來,DIP-IPM模塊的開發(fā)致力于小型化、低熱阻化以及完全無鉛化,并已開發(fā)出第四代DIP-IPM產(chǎn)品。如今,為提高DIP-IPM的性價(jià)比,增加了新開發(fā)的搭載RC-IGBT硅片的額定電流為3
- 關(guān)鍵字: 三菱 DIP-IPM 功率模塊 電源 200802
單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
- 摘 要:以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例,介紹IPM的結(jié)構(gòu),給出。IPM的外圍驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和緩沖電路的設(shè)計(jì)方案,介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞:IPM:電路設(shè)計(jì);PM200DSA060;逆變器 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IPM 電路設(shè)計(jì) PM200DSA060 模擬IC 電源
單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計(jì)和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
- 關(guān)鍵字: IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊
一種延遲電路在變頻控制中的應(yīng)用
- 摘 要:本文主要介紹一個(gè)由RC和或門電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應(yīng)用,解決了原有芯片死區(qū)時(shí)間不確定的問題。關(guān)鍵詞:延遲電路;IPM;死區(qū)時(shí)間 變頻控制死區(qū)時(shí)間簡介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道,控制IPM工作的六路PWM信號(hào),在導(dǎo)通時(shí)序上,控制同一通道的上下兩路信號(hào)不能出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通的情況,如圖1所示。也就是說同一橋臂的兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通,如果同時(shí)導(dǎo)通,輕則引起IPM的工作保護(hù),造成停機(jī),重則將IPM模塊擊
- 關(guān)鍵字: IPM 死區(qū)時(shí)間 延遲電路
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)gan ipm的理解,并與今后在此搜索gan ipm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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