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gan ipm 文章 最新資訊

硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比照明

  • 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
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功率器件的利器 GaN

  • 　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。 　　GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
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富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
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SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

  • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別。”這是因?yàn)?，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會和展會的舞臺上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。 　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
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小功率智能化中頻逆變電源的研制

  • 摘要：研制一種基于TMS320LF2407A數(shù)字信號處理器和PS21964智能功率模塊(IPM)的智能化SPWM中頻逆變電源控制系統(tǒng)。對中頻逆變電源的功率主電路、控制電路以及保護(hù)電路等進(jìn)行了詳細(xì)闡述。實(shí)現(xiàn)了中頻逆變電源小型化和高性
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。 　　據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。 　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
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三菱化學(xué)計(jì)劃擴(kuò)增LED用GaN基板產(chǎn)能

  • 　　因照明用LED需求大增，三菱化學(xué)計(jì)劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍。 　　目前，三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板，生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸，月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。 　　而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平，有必要將產(chǎn)品尺寸擴(kuò)大至4-6寸，所以，三菱化學(xué)計(jì)劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程，開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板，月產(chǎn)能為200-300片，并計(jì)劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施，開始生產(chǎn)6寸GaN基板，將GaN基板產(chǎn)能擴(kuò)增至現(xiàn)行的2-3倍
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GaN類功率元件，高耐壓成功率半導(dǎo)體主角

IPM自舉電路設(shè)計(jì)過程中的關(guān)鍵問題研究

  • 通常IPM模塊應(yīng)有四路獨(dú)立電源供電，下橋臂三個(gè)IGBT控制電路共用一個(gè)獨(dú)立電源，上橋臂三個(gè)IGBT控制電路用三...
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功率半導(dǎo)體下一個(gè)主戰(zhàn)場 電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域

  • 　　據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體市場2012年增長率為5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會恢復(fù)兩位數(shù)字增長 　　作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間，對降低電路損耗、提高電源使用效率，發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C領(lǐng)域，向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場邁進(jìn)。關(guān)注功率器件行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢，促進(jìn)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要。 　　增長點(diǎn)來自新領(lǐng)域 　　LE
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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
  • 關(guān)鍵字： 富士通  功率器件  GaN  

富士通明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實(shí)現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。
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基于智能功率模塊(IPM)的三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)驅(qū)動(dòng)

  • 過去10年中，盡管永磁同步馬達(dá)(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標(biāo)準(zhǔn)三相感應(yīng)馬達(dá)(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達(dá)。啟動(dòng)IM最簡單的辦法是把馬達(dá)直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動(dòng)和軟啟動(dòng)器
  • 關(guān)鍵字： 感應(yīng)  馬達(dá)  IM  驅(qū)動(dòng)  三相  IPM  智能  功率  模塊  基于  

功放為智能手機(jī)提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 智能手機(jī)  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  
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