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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> gan fet

利用氬氣改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

  • 在當(dāng)今社會(huì)，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō)：英國(guó)倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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大功率LED關(guān)鍵材料GaN開(kāi)始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

  • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開(kāi)啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

  • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
  • 關(guān)鍵字： 射頻開(kāi)關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

Intersil集成化開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

  • 簡(jiǎn)介 　　一提到電源設(shè)計(jì)，大多數(shù)工程師都會(huì)感到撓頭，他們往往會(huì)問(wèn)，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲?、升壓、flyback、半橋和全橋等。
  • 關(guān)鍵字： intersil  FET  DC/DC  

硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

  • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái)，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
  • 關(guān)鍵字： LED芯片  硅襯底  GaN    

硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

  • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，...
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  LED芯片    

一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn)，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)  探測(cè)器  紅外  量子  GaN  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器

  • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器
  • 關(guān)鍵字： 功率放大器  MOS—FET  

MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

TI 小貼士：圖例理FET知識(shí)

  • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言，ADC廠(chǎng)商們將一種單音、滿(mǎn)量程模擬...
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手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺(tái)臺(tái)電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西，或用來(lái)逆變；或用來(lái)整流；或就當(dāng)個(gè)開(kāi)關(guān)...
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CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管

  • 　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器. 　　
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  P-FET  
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