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2018汽車電子如何突破？這三大維度值得關(guān)注

  • 　　2017下半年，伴隨業(yè)界關(guān)注已久的《乘用車企業(yè)平均燃料消耗量與新能源汽車積分并行管理辦法》(簡(jiǎn)稱“雙積分辦法”)正式發(fā)布，眾多中外車企都面臨了更為迫切的減排壓力，也在無形中加速了新能源車的落地普及。由于燃油車在很長一段時(shí)間內(nèi)都將存在于市場(chǎng)，而電氣化技術(shù)在燃油車、混動(dòng)車的節(jié)能減排等方面發(fā)揮了越來越重要的作用，也導(dǎo)致了其電氣化比例在逐漸提升，進(jìn)一步刺激汽車電子產(chǎn)品，乃至功率器件等電子元器件的出貨量?！　「鶕?jù)IHS的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2016年全球汽車電子的市場(chǎng)規(guī)模為1160億美元，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到1602億美
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在RFID中嵌入FRAM，有必要嗎？

  • 在RFID中嵌入FRAM，有必要嗎？-富士通半導(dǎo)體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的，而市場(chǎng)上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品相比，內(nèi)嵌FRAM的RFID讀寫速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個(gè)數(shù)量級(jí)。
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帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生，它到底有多小？

  • 帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生，它到底有多??？-富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司日前宣布，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09× 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
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高性能RFID標(biāo)簽是怎樣煉成的？

  • 高性能RFID標(biāo)簽是怎樣煉成的？-開車的朋友可能會(huì)有這樣的經(jīng)歷，當(dāng)您經(jīng)過高速公里收費(fèi)站時(shí)，您的交通收費(fèi)卡在進(jìn)站和出站的時(shí)候偶爾會(huì)無法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過了他的讀寫次數(shù)。目前，這些交通卡大部分是采用內(nèi)嵌EEPROM的RFID制造，而如果將智能交通卡中的EEPROM換成FRAM，問題就迎刃而解了。
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20張圖文告訴您什么是智能水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案

  • 20張圖文告訴您什么是智能水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案-在今天的舉辦的2015智能水/氣計(jì)量及管網(wǎng)執(zhí)行力論壇上，富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理蔡振宇作了“智能水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的最佳解決方案”的主題分享。水/氣表存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù)最佳解決方案是什么？與傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢(shì)是啥？有哪些應(yīng)用案例？……帶著這些問題，今天我們將通過20張圖文與大家深度分享。
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產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，那些可能被你“熟視無睹”的器件

  • 產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，那些可能被你“熟視無睹”的器件-確實(shí)，通常我們習(xí)慣于集中關(guān)注如主控芯片、驅(qū)動(dòng)、信號(hào)處理等系統(tǒng)級(jí)關(guān)鍵器件，而常常忽視掉那些被認(rèn)為是“旁枝末節(jié)”的周邊元器件的選型與應(yīng)用。事實(shí)上，這些“熟視無睹”的器件，很多時(shí)候會(huì)決定你的產(chǎn)品成敗！
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次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事

  • 次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事-據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導(dǎo)體業(yè)者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲(chǔ)（其它包括MRAM）備受期待。
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成功可以復(fù)制，富士通攜新一代FRAM進(jìn)軍高端車載應(yīng)用市場(chǎng)！

  •        在前不久巴塞羅那舉行的奧迪首屆全球品牌峰會(huì)上，奧迪新一代A8旗艦級(jí)轎車正式首發(fā)，成為世界上第一款L3級(jí)自動(dòng)駕駛量產(chǎn)車。至此，自動(dòng)駕駛技術(shù)第一次真真切切地接管了人類手中的方向盤!盡管奧迪表示新A8僅在60km/h以下的低速條件實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)駕駛，但仍然賺足了全球車友的“眼球”。在消費(fèi)者為之狂歡的同時(shí)，新A8也進(jìn)一步引發(fā)了消費(fèi)者與業(yè)界對(duì)自動(dòng)駕駛系統(tǒng)“可靠性”的思考——你真的敢坐自動(dòng)駕駛開的車么?　　圖1：奧迪A8自動(dòng)駕駛技術(shù)采用多
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FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)串起關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一攬子解決方案

  • 　　《華爾街日?qǐng)?bào)》前不久的一篇文章指出，近年來智能手機(jī)、PC、平板電腦等設(shè)備的進(jìn)化并沒有以往那么快速，不過它們正以新的方式推進(jìn)創(chuàng)新，硬件廠商更多針對(duì)特定任務(wù)采用定制芯片。沒錯(cuò)，技術(shù)的多樣性正在為各種應(yīng)用帶來類似 “定制化”的更優(yōu)化設(shè)計(jì)選項(xiàng)。而嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域也是如此，以不同獨(dú)特性能的各種存儲(chǔ)技術(shù)正在為許多應(yīng)用需求提供“定制化”的方案，其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技術(shù)上正在這樣做?！　　白鳛橄到y(tǒng)關(guān)鍵組成部分，存儲(chǔ)性能至關(guān)重要?！?nbsp;富士通電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品
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FRAM在醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用現(xiàn)狀

  • 在最近熱映的影片《環(huán)太平洋》中，面對(duì)怪獸的沖擊波，采用數(shù)字電路控制的機(jī)甲戰(zhàn)士瞬間就癱瘓了，而只有模擬電路扛了下來。這可以形象地用來說明，電子元器件能否抗輻射有時(shí)候是人命關(guān)天的事兒！回到現(xiàn)實(shí)，在醫(yī)療電子應(yīng)用領(lǐng)域，將能夠抵抗高達(dá)50kGy伽瑪射線消毒的非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器FRAM用于一些與生命息息的關(guān)鍵醫(yī)療設(shè)備就再合適不過
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鐵電存貯器FRAM技術(shù)原理

  • 鐵電存貯器是一種全新的存貯器，它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。鐵電存貯器的最大特點(diǎn)是可以跟隨總線速度無限次的寫入，而且寫入功耗極低。文中給出了 FRAM鐵電存貯器與普通存貯器的性能比較。指出了FRAM的主要應(yīng)用領(lǐng)域。最后列出了RAMTRON串行和并行鐵電存貯器的主要型號(hào)和參數(shù)。
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基于 FRAM 的 MCU 為低功耗應(yīng)用提高安全性

  • 最新低功耗微處理器 (MCU) 集成降低安全應(yīng)用成本與功耗所需的高性能以及各種特性，可幫助開發(fā)人員為低功耗應(yīng)用提高安全性。此外，它們還采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或閃存提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)，從而可簡(jiǎn)化安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
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FRAM：智能電表應(yīng)用中的低功耗非易失性存儲(chǔ)器

  • 　　鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、關(guān)鍵任務(wù)空間應(yīng)用、高可靠性軍事和各種汽車應(yīng)用。FRAM的特性不僅使其適用于上述應(yīng)用，而且它還以其低功耗和高耐用性(圖1)的固有特性成為了智能電表應(yīng)用的可靠選擇?！　?圖1)：高端非易失性存儲(chǔ)器對(duì)比　　電子設(shè)計(jì)的一個(gè)主要考慮因素是降低總功耗的同時(shí)提高可靠性。設(shè)計(jì)人員必須考慮增加功能，同時(shí)減少系統(tǒng)的功率預(yù)算，以實(shí)現(xiàn)更長久的電池壽命。但是與此同時(shí)，嵌入式軟件正變得日益復(fù)雜，需要配備更多的存儲(chǔ)器，但這一點(diǎn)對(duì)功耗也有了進(jìn)一步要求。　　一般來講，智能電表將
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透過在ICT解決方案中使用FRAM技術(shù)降低整個(gè)系統(tǒng)的CO2排放量

  • 「FRAM」是前景看好且正受到廣泛關(guān)注的集成電路組件，然而，其制造過程中使用的原材料及化學(xué)物質(zhì)頗多，制程也極為復(fù)雜。為了計(jì)算出在生產(chǎn)FRAM時(shí)的CO2排放量，富士通針對(duì)芯片生產(chǎn)工廠中化學(xué)原料、化學(xué)氣體、晶圓等的用
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富士通與Nantero達(dá)成協(xié)議 2018年推出快1000倍的NRAM內(nèi)存

  • 　　富士通半導(dǎo)體和三重富士通半導(dǎo)體上周共同宣布宣布，他們已與總部位于美國的Nantero公司達(dá)成協(xié)議，授權(quán)該公司的碳納米管內(nèi)存(NRAM)技術(shù)，三方公司未來將致力于NRAM內(nèi)存的開發(fā)與生產(chǎn)。據(jù)了解，借由NRAM技術(shù)所生產(chǎn)的內(nèi)存速度將是當(dāng)前普通內(nèi)存的1,000倍。預(yù)計(jì)，借由三方面的合作，將在2018年推出借由55納米制程所生產(chǎn)的NRAM內(nèi)存。 　　在納米技術(shù)研究領(lǐng)域，碳納米管(CNT)是一種很獨(dú)特的材料，直徑只有人類頭發(fā)的五萬分之一，能導(dǎo)熱導(dǎo)電，硬度是鋼鐵的50倍。在儲(chǔ)存領(lǐng)域，碳納米管通過矽基沉底也能達(dá)到
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