eeprom 文章進(jìn)入eeprom技術(shù)社區(qū)

Microchip推出單I/O總線串行EEPROM系列

　　全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今天宣布推出最新的總共10款具備單I/O總線接口的串行EEPROM器件系列。新器件支持Microchip待批專利的UNI/O存儲(chǔ)器件協(xié)議 (美國專利商標(biāo)局USPTO專利號7,376,020，將于2008年5月20日發(fā)布) 。11XX010、11XX020、11XX040、11XX080及11XX160是業(yè)內(nèi)首批能支持從10kHz至100kHz范圍內(nèi)任意數(shù)據(jù)速率的單I/O
關(guān)鍵字： Microchip EEPROM 存儲(chǔ)器

關(guān)于EEPROM數(shù)據(jù)出錯(cuò)問題的探討

EEPROM數(shù)據(jù)出錯(cuò)是電視機(jī)產(chǎn)品經(jīng)常面對的問題，也是比較棘手的問題之一，本文結(jié)合實(shí)際工作從幾個(gè)方面分析問題產(chǎn)生的原因以及給出相應(yīng)的解決方法。
關(guān)鍵字： CPU EEPROM SDA SCL 復(fù)位

一種基于單片機(jī)和串行EEPROM的智能密碼鎖

本文介紹一種基于單片機(jī)和串行EEPROM的智能密碼鎖，對系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)和軟件實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了詳細(xì)的描述。
關(guān)鍵字：智能密碼鎖 EEPROM 串行單片機(jī) 基于

I2C串行EEPROM應(yīng)用系統(tǒng)的健壯性設(shè)計(jì)

　　引言　　在嵌入式控制系統(tǒng)中，通常要用到非易失性存儲(chǔ)器。無論是掉電時(shí)維持需要保存的設(shè)置，還是存儲(chǔ)重要記錄，可靠的非易失性存儲(chǔ)器都是一種理想的選擇。非易失性存儲(chǔ)常常采用外部串行存儲(chǔ)器來實(shí)現(xiàn)，其中I2C接口產(chǎn)品是最常用的一種類型。然而，這種產(chǎn)品和其他EEPROM存儲(chǔ)器一樣，在使用時(shí)也存在著一些條件會(huì)潛在地導(dǎo)致其產(chǎn)生某些非標(biāo)準(zhǔn)的甚至是錯(cuò)誤的操作。因此在進(jìn)行I2C串行EEPROM存儲(chǔ)器的應(yīng)用設(shè)計(jì)時(shí)，除了應(yīng)考慮數(shù)據(jù)手冊規(guī)范之外，還必須考慮更多的因素，這樣才能實(shí)現(xiàn)更健壯的總體設(shè)計(jì)，確保系統(tǒng)具有優(yōu)良的質(zhì)量特性。
關(guān)鍵字： EEPROM

高密度SPI EEPROM――SA25C020的DSP引導(dǎo)

介紹TMS320VC55XX系列DSP基于24位高密度SPI EEPROM――SA25C020的引導(dǎo)、啟動(dòng)加栽方法；分析整個(gè)過程，并結(jié)合實(shí)例著重研究基于C5509A的引導(dǎo)、加栽方法和實(shí)現(xiàn)；提供具體的電路設(shè)計(jì)和鳊制的相應(yīng)實(shí)現(xiàn)軟件。
關(guān)鍵字： EEPROM C020 SPI 020

飛思卡爾使S08微控制器架構(gòu)的靈活性和性能達(dá)到新水平

　　當(dāng)今的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)人員要求8位設(shè)備具有卓越的集成和性價(jià)比，以支持成本和功率敏感型應(yīng)用。為了幫助開發(fā)人員從8位設(shè)計(jì)中獲得最優(yōu)性能和功能，飛思卡爾推出了S08D系列8位微控制器(MCU)— 這是迄今為止該公司推出的集成度最高、擴(kuò)展性最大的S08設(shè)備。　　飛思卡爾的S08D系列是業(yè)界第一款集成了控制器區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(CAN)接口、電子可擦拭可編程只讀內(nèi)存 (EEPROM)和片上仿真/調(diào)試工具的8位MCU。嵌入式CAN接口為眾多汽車和工業(yè)控制應(yīng)用提供理想的連通性解決方案，而嵌入式 EEPROM則通過實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的
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Microchip發(fā)布20MHz的1Mb串行EEPROM

MicrochipTechnologyInc.(美國微芯科技公司)宣布推出業(yè)界速度最快(20MHz)的1Mb串行EEPROM器件25AA1024及25LC1024(25XX1024)。同時(shí)，公司還推出了25AA128、25LC128、25AA512及25LC512(25XX128/512)等多款128Kb和512Kb串行EEPROM器件，涵蓋整個(gè)串行外設(shè)接口(SPI)存儲(chǔ)密度范圍(1Kb至1Mb)。所有新器件均可在高達(dá)125℃的溫度下工作，并可提供Microchip所有串行EEPROM產(chǎn)品一
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Microchip推出1Mb串行EEPROM

Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出業(yè)界速度最快（20 MHz）的1 Mb串行EEPROM器件25AA1024及25LC1024（25XX1024）。同時(shí)，公司還推出了25AA128、25LC128、25AA512及25LC512（25XX128/512）等多款128 Kb和512 Kb串行EEPROM器件，涵蓋整個(gè)串行外設(shè)接口（SPI）存儲(chǔ)密度范圍（1 Kb至1 Mb）。所有新器件均可在高達(dá)125
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ROHM開發(fā)成功適于車載環(huán)境下使用SPI 接口EEPROM

半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社最近開發(fā)出一種適合車載環(huán)境下使用的EEPROM 『BR25H□□0系列』 (非易失存儲(chǔ)器)，這種新產(chǎn)品采用世界首創(chuàng)的雙單元結(jié)構(gòu)，可以在125℃條件下穩(wěn)定工作，與SPI BUS兼容。ROHM倡導(dǎo)用雙單元結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高可靠性，整個(gè)EEPROM產(chǎn)品系列都采用這種新結(jié)構(gòu)。而且，這次開發(fā)出的樣品可以在125℃下穩(wěn)定工作；靜電耐壓也達(dá)到業(yè)界頂級的6ｋＶ；在嚴(yán)酷環(huán)境下的車載ECU內(nèi)讀出初始數(shù)據(jù)和寫入狀態(tài)信息都表現(xiàn)出高的可靠性。新的產(chǎn)品系列中根據(jù)存儲(chǔ)器容量和封裝形式的不同共有12款不同型號的產(chǎn)品
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奧地利微電子推出EEPROM的8位數(shù)字電位器

奧地利微電子公司推出256抽頭、SPI接口、非易失數(shù)字電位器AS1506，可提供10、50和100kΩ電阻，進(jìn)一步擴(kuò)展了數(shù)字電位器產(chǎn)品系列。 AS1506的最大待機(jī)電流為500nA，包括CMOS寫操作電流在內(nèi)的最大工作電流只有200µA，因此是低功耗應(yīng)用的理想選擇。AS1506采用2.7至 5.5V單電源工作，端到端電阻的溫度系數(shù)為90ppm/
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 奧地利微電子 EEPROM 8位電位器模擬IC 電源

奧地利微電子推出帶有EEPROM的8位數(shù)字電位器

奧地利微電子公司推出256抽頭、SPI接口、非易失數(shù)字電位器AS1506，可提供10、50和100kΩ電阻，進(jìn)一步擴(kuò)展了數(shù)字電位器產(chǎn)品系列。 AS1506的最大待機(jī)電流為500nA，包括CMOS寫操作電流在內(nèi)的最大工作電流只有200µA，因此是低功耗應(yīng)用的理想選擇。AS1506采用2.7至 5.5V單電源工作，端到端電阻的溫度系數(shù)為90ppm/
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基于NiosII的SOPC中EEPROM Controller Core的設(shè)計(jì)

摘要：介紹了如何在基于NiosII的SOPC中設(shè)計(jì)EEPROM的Controller Core，用Verilog HDL實(shí)現(xiàn)其硬件部分，編寫了相關(guān)驅(qū)動(dòng)程序和應(yīng)用層軟件，構(gòu)建了基于NiosII的SOPC。并以AT24C02為例，在Altera的Stratix1S10的FPGA上實(shí)現(xiàn)了通過EEPROM Controller對其進(jìn)行讀寫，試驗(yàn)結(jié)果正確。關(guān)鍵詞：NiosII; SOPC; EEPROM Controller&nbs
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意法半導(dǎo)體成為世界第一大EEPROM芯片供應(yīng)商

意法半導(dǎo)體宣布，據(jù)市場分析公司iSuppli的報(bào)告，ST是2006年全球串行EEPROM市場第一大廠商，這是ST在這個(gè)市場連續(xù)第三年排名第一。據(jù)iSuppli的分析報(bào)告，2006年ST的市場份額為25%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于排名位置與其最近的競爭對手，雖然價(jià)格不斷降低，但是ST的銷售額卻提高了17.8%?？備N售額2.78億美元，主要貢獻(xiàn)者包括串行EEPROM芯片、記憶卡和電子標(biāo)簽（RFID）。與競爭對手相比，ST的2006年市場表現(xiàn)非常出色，串行EEPROM芯片產(chǎn)量達(dá)到17億顆，比2005年提高22%。ST的EEP
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ST推出采用2 x 3mm MLP8微型封裝的串行EEPROM系列產(chǎn)品

　　意法半導(dǎo)體宣布該公司存儲(chǔ)密度2 Kbit到64 Kbit的所有串行EEPROM芯片（SPI和I2C接口兩個(gè)系列）都將采用2 x 3mm MLP8微型封裝，與上一代的4 x 5mm S08N封裝相比，新封裝能夠?yàn)楦叨讼M(fèi)電子和通信產(chǎn)品節(jié)省大量的空間和成本。　　ST是市場第一個(gè)用小封裝提供全系列低密度串行EEPROM產(chǎn)品的半導(dǎo)體廠商。與其它封裝相比，新的超薄(0.6mm)細(xì)節(jié)距雙平面2 x 3mm微型引腳框架封裝(MLP)取得了多項(xiàng)重大技術(shù)改良，而且新系列產(chǎn)品的占位面積在2 Kbit到64 Kbit整
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ST率先推出SO8窄型封裝的1Mbit串行EEPROM

　　ST推出一款新的1-Mbit串行EEPROM 芯片，這個(gè)型號為M24M01的新產(chǎn)品采用微型SO8N封裝，封裝外殼寬度僅為150-mil (3.8mm)；這個(gè)串行EEPROM是目前市場上唯一的在如此小的封裝內(nèi)擠進(jìn)高密度存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體器件。該產(chǎn)品還有一款是采用SO8W封裝，這款產(chǎn)品內(nèi)置I2C雙線串口，專門為消費(fèi)電子和醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)，是保存參數(shù)經(jīng)常被修改的海量數(shù)據(jù)的理想選擇。存儲(chǔ)密度從1千位一直到1兆位，ST的I2C EEPROM系列是目前市場上的最強(qiáng)大的產(chǎn)品陣容。　　M2
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eeprom介紹

　　EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。　　EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）是可用戶更改的只讀存儲(chǔ)器（ROM），其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。 [ 查看詳細(xì) ]