首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5

存儲產(chǎn)品價格大跳水：三星將減產(chǎn) DDR4，轉(zhuǎn)移到 DDR5 / LPDDR5 解決供過于求問題

  • IT之家 4 月 10 日消息，在芯片低迷導致存儲產(chǎn)品價格大跳水的背景下，三星電子第一季度業(yè)績營業(yè)利潤暴跌 95.8%，終于頂不住壓力宣布減產(chǎn)。這是自 1998 年金融危機以來，三星時隔 25 年首次制定正式減產(chǎn)方案。據(jù)韓國《中央日報》援引業(yè)內(nèi)人士消息，三星的減產(chǎn)計劃聚焦以 DDR4 為代表的通用產(chǎn)品，位于華城市的內(nèi)存產(chǎn)品線產(chǎn)量將削減 3 至 6 個月。消息人士表示，雖然產(chǎn)能有所增加（通過技術性減產(chǎn)），但與去年 2 月和 3 月的同期相比，晶圓總投入已經(jīng)減少了 5-7%。三星電子在其華城和平澤園
  • 關鍵字： 存儲芯片  DDR4  DDR5  三星  

美光科技宣布DDR5服務器內(nèi)存已獲驗證

  • 近日，美光科技宣布，其用于數(shù)據(jù)中心的DDR5服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器上得到全面驗證。據(jù)介紹，美光DDR5提供的內(nèi)存帶寬是前幾代產(chǎn)品的兩倍，這對于推動當今數(shù)據(jù)中心處理器內(nèi)核的快速增長至關重要。過渡到DDR5將提供更高的帶寬以釋放每個處理器的更多計算能力，從而有助于緩解未來幾年的潛在瓶頸。美光DDR5結(jié)合第四代Intel Xeon Scalable處理器使包括SPECjbb在內(nèi)的廣泛工作負載受益，與前幾代相比，它在 Critical-jOPS（每秒 Java 操作數(shù)）基準測試中的性能
  • 關鍵字： 美光科技  DDR5  服務器內(nèi)存  

美光：DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品已在第四代英特爾至強可擴展處理器中完成驗證

  • IT之家 1 月 17 日消息，美光昨日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的 DDR5 服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾至強可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。據(jù)介紹，美光 DDR5 所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番。升級到 DDR5 將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。IT之家了解到，美光數(shù)據(jù)顯示，SPECjbb 在關鍵 jOPS（每秒 Java 運行次數(shù)）的基準測試中，性能比前代產(chǎn)品提升了近 49%。除了更高的內(nèi)存帶寬和更強的性
  • 關鍵字： DDR5  美光  

美光DDR5為第四代英特爾至強可擴展處理器家族帶來更強的性能和可靠性

  • Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，公司旗下面向數(shù)據(jù)中心的DDR5服務器內(nèi)存產(chǎn)品組合已在第四代英特爾?至強?可擴展處理器系列產(chǎn)品中完成驗證。美光 DDR5?所提供的內(nèi)存帶寬相比前幾代產(chǎn)品實現(xiàn)了翻番，為當今數(shù)據(jù)中心快速增長的處理器內(nèi)核提供更強賦能。升級到 DDR5?將帶來更高的帶寬，有助于充分釋放每臺處理器的計算能力，從而緩解其未來幾年可能面臨的性能瓶頸。美光 DDR5 與第四代英特爾??至強??可擴展處理器強強聯(lián)手，可為各
  • 關鍵字： 美光  DDR5  英特爾至強  

SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強可擴展處理器

  • IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發(fā)的第四代 10 納米級（1a）DDR5 服務器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務器處理器（代號為 Sapphire Rapids）兼容認證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務器處理器可支持的存儲器認證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應對增長趨勢的服務器市場，盡早克服存儲器半導體的低迷市況。新一代服務器用 CPU 上
  • 關鍵字： 海力士  DDR5  

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發(fā)成功

  • 三星電子宣布，已成功開發(fā)出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5 DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數(shù)據(jù)中心和AI驅(qū)動系統(tǒng)等領域更可持續(xù)運營的基礎。"AMD高級副總裁、企業(yè)院士兼客戶、計算
  • 關鍵字： 三星電子  12納米  DDR5  DRAM  

美光與AMD宣布全新技術合作

  • 12月19日，美光宣布，與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務器實驗室，以減少服務器內(nèi)存驗證時間。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5內(nèi)存和第四代AMD EPYCTM（霄龍）處理器均已出貨。長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預測；地震建模；化學、物理和生物分析等。隨著計算機架構(gòu)的進步，此類工作負載往往托管在超大型“可橫向擴展”的高性能服務器集群中。這些服務器集群需要集合最強大的算力、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲
  • 關鍵字： 美光  AMD  DDR5  

美光 DDR5 搭配第四代 AMD EPYC 處理器官方基準測試：內(nèi)存帶寬翻倍

  • IT之家 12 月 19 日消息，據(jù)美光發(fā)布，美光與 AMD 雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務器實驗室，以減少服務器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTM （霄龍）處理器均已出貨，官方對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行 TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣
  • 關鍵字： 美光  AMD  DDR5  

美光 DDR5 內(nèi)存配合第四代 AMD EPYC 處理器，提升高性能計算工作負載

  • 美光與AMD聯(lián)手為客戶及數(shù)據(jù)中心平臺提供一流的用戶體驗。雙方在奧斯汀建立聯(lián)合服務器實驗室，以減少服務器內(nèi)存驗證時間，在產(chǎn)品驗證和發(fā)布期間共同進行工作負載測試。目前美光適用于數(shù)據(jù)中心的 DDR5 內(nèi)存和第四代 AMD EPYCTMTM （霄龍）處理器均已出貨，我們對其進行了一些常見的高性能計算（HPC）工作負載基準測試。 長期以來，超級計算機承擔著高性能計算工作負載。此類大規(guī)模的數(shù)據(jù)密集型工作負載需要運行TB 級的數(shù)據(jù)量以進行數(shù)百萬個并行操作，以解決人類世界的難題，如天氣和氣候預測；地震建模；化學、物理和生
  • 關鍵字： 美光  DDR5  AMD EPYC  

SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

  • SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存， 起步速率就可以達到8Gbps，相比于標準的DDR5-4800快了多達80％ ，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務器領域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術，通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
  • 關鍵字： SK海力士  DDR5  DIMM  內(nèi)存  

56核+8通道DDR5內(nèi)存 Intel確認發(fā)燒級CPU王者歸來

  • 還記得2018年Intel推出的至強W-3175X處理器嗎？當年這是Intel為了跟AMD競爭專業(yè)市場，將服務器版至強下放到了工作站，滿血28核56線程，還是唯一解鎖超頻的至強，售價超過2萬元。這款處理器在2021年就退役了，這兩年Intel的發(fā)燒級HEDT平臺也沒了動靜，至強W的繼任者也沒了音信，一度傳聞被取消，但是Intlel現(xiàn)在親自出面，證實了新一代工作站處理器要來了。他們的官推來看，Intel稱新一代的工作站處理器非?？?，暗示性能強大，甚至需要用戶重新規(guī)劃下去接咖啡的時間了，因為工作等待時間會更短
  • 關鍵字： 英特爾  CPU  至強  DDR5  

瀾起科技：DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加

  • IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關系活動記錄，瀾起科技在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，隨著 DDR5 相關產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升，2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長，從而推動互連類芯片產(chǎn)品線業(yè)務的增長。據(jù)介紹，內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關。行業(yè)對內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的，為滿足內(nèi)存容量的增長需求，主要通過兩種方式來實現(xiàn)，一是提升內(nèi)存顆粒密度，二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時期內(nèi)存顆粒密度提升放緩，則內(nèi)存容量增
  • 關鍵字： 內(nèi)存  DDR5  

DDR5加速滲透，封測龍頭帶來新消息

  • 近日，封測龍頭長電科技宣布，高性能動態(tài)隨機存儲DDR5芯片成品實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)。隨著5G高速網(wǎng)絡、云端服務器、智能汽車等領域?qū)Υ鎯ο到y(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務器、數(shù)據(jù)中心等領域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢，給用戶帶來更佳的可靠性和擴展性，市場前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的存儲芯片效能不斷提升，對芯片封裝提出更高集成度、更好電氣性能、更低時延，以及更短互連等要求。為此，長電科技通過各種先進的2.5D/3D封裝技術，實現(xiàn)同尺寸
  • 關鍵字： DDR5  封測  

美光 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨

  • 2022 年 11 月 18 日——中國上海——內(nèi)存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯(lián)合，使
  • 關鍵字： 美光  DDR5  AMD EPYC 處理器  

美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器

  • 當?shù)貢r間11月10日，美光宣布推出適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5存儲器，該存儲器已針對新的AMD EPYC? 9004系列處理器進行了驗證。隨著現(xiàn)代服務器將更多處理內(nèi)核裝入CPU，每個CPU內(nèi)核的存儲器帶寬一直在下降。與前幾代相比，美光DDR5提供了更高的帶寬，從而緩解了這一瓶頸，提高了可靠性和可擴展性。據(jù)介紹，美光將配備其DDR5的單個第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)的STREAM基準性能與3200MT/秒的第3代AMD EPYC處理器系統(tǒng)和美光DDR4進行了比較。使用第4代AMD EPYC處理器系統(tǒng)
  • 關鍵字： 美光  數(shù)據(jù)中心  DDR5  存儲器  
共96條 3/7 « 1 2 3 4 5 6 7 »
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473