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ddr4 文章 進(jìn)入ddr4 技術(shù)社區(qū)
DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！
- 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。 據(jù)悉，用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。 同時(shí)，針對(duì)智能手機(jī)以及筆記本電腦等對(duì)續(xù)航有更高要求的設(shè)備，還會(huì)推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來(lái)DDR5內(nèi)存非常值得期待，但分析師卻對(duì)其前景并不看好，反而認(rèn)為DDR內(nèi)存時(shí)代將在DDR4生命周期結(jié)束時(shí)謝幕。 分析師認(rèn)為，DDR5會(huì)首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會(huì)逐漸向下普及。但
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UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密
- Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細(xì)展示，該演示應(yīng)用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設(shè)計(jì)將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時(shí)降低接口功耗。為了達(dá)
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三星/SK海力士/美光加速生產(chǎn)DDR4 出貨將超DDR3
- 三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)與美光(Micron)等存儲(chǔ)器業(yè)者加速生產(chǎn)DDR4DRAM，預(yù)估2016年第1季DDR4的出貨量可超越DDR3，短期內(nèi)DDR4的價(jià)格就會(huì)低于相同容量的DDR3。 據(jù)ETNews報(bào)導(dǎo)，支持DDR4的第六代IntelCore處理器(Skylake)已經(jīng)為PC制造商正式采用于最新產(chǎn)品上，促使存儲(chǔ)器業(yè)者加快速度轉(zhuǎn)換生產(chǎn)DDR4DRAM。因此2016年第1季的DDR4DRAM出貨量可望超越DDR3。 日前業(yè)界消息傳出，三星
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專利流氓良了Rambus殺入DDR4
- 熟悉PC尤其是內(nèi)存歷史的應(yīng)當(dāng)都記得外號(hào)“專利流氓”的Rambus。它發(fā)明了很高明的RDRAM等技術(shù)，但沒有拿來(lái)造福百姓，而是憑借專利四處“勒索”，臭名遠(yuǎn)揚(yáng)，自己的技術(shù)也沒幾個(gè)人用，RDRAM唯一的成功就是索尼PS3，當(dāng)然還坑了Intel一把。 現(xiàn)在，Ramubus又回來(lái)了，但放棄了IP授權(quán)經(jīng)營(yíng)模式，轉(zhuǎn)型為一家無(wú)工廠半導(dǎo)體廠商，設(shè)計(jì)、銷售自己的產(chǎn)品。 趁著Intel IDF 2015舉行之際，Rambus宣布了自己的首款產(chǎn)品“RB2
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DRAM價(jià)差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場(chǎng)需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價(jià)格，代理商對(duì)市場(chǎng)信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價(jià)求售，使整體市場(chǎng)價(jià)格出現(xiàn)明顯松動(dòng)。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價(jià)幅度持續(xù)擴(kuò)張，也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價(jià)沖擊，DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價(jià)來(lái)到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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DRAM價(jià)差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流
- 據(jù)記憶體市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場(chǎng)需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價(jià)格，代理商對(duì)市場(chǎng)信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價(jià)求售，使整體市場(chǎng)價(jià)格出現(xiàn)明顯松動(dòng)。 DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價(jià)幅度持續(xù)擴(kuò)張，也使得伺服器用記憶體價(jià)格跌幅收斂受阻。 受DDR4跌價(jià)沖擊，DDR3價(jià)格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價(jià)來(lái)到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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瀾起科技攜全新DDR4產(chǎn)品亮相英特爾信息技術(shù)峰會(huì)
- 2015年4月8日，一年一度的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)在深圳熱烈開幕，瀾起科技攜基于全新DDR4內(nèi)存接口套片的服務(wù)器平臺(tái)亮相峰會(huì)現(xiàn)場(chǎng)。 去年9月，瀾起科技DDR4內(nèi)存接口套片在成功通過(guò)英特爾公司認(rèn)證后，便成為亞洲第一家、國(guó)內(nèi)唯一一家支持基于英特爾Xeon E5-2600 v3系列的服務(wù)器平臺(tái)的企業(yè)。 M88DDR4RCD002是瀾起科技推出的全球首顆第二代DDR4寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)芯片，其性能和速率均遠(yuǎn)超第一代DDR4 RCD芯片。一顆M88DDR4RCD02芯片可搭載九顆瀾起的第二代DD
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是德科技推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 BGA 內(nèi)插器
- 是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內(nèi)插器探測(cè)解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結(jié)合使用，可以讓工程師調(diào)試和表征他們的 DDR4 內(nèi)存設(shè)計(jì)，以及驗(yàn)證器件與 JEDEC DDR4 標(biāo)準(zhǔn)的一致性。 隨著 DDR4 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器(DRAM)的數(shù)據(jù)速率已提升至 3.2 Gb/s。存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師正面臨著較之以往更大的挑戰(zhàn)，面向高數(shù)據(jù)速率的存儲(chǔ)信號(hào)探測(cè)變得非常困難。最新的 Keysight DDR4 BGA 內(nèi)插器
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Wide I/O、HBM、HMC將成存儲(chǔ)器新標(biāo)準(zhǔn)
- 現(xiàn)行的DDR4及LPDDR4存儲(chǔ)器都是以既有的DRAM設(shè)計(jì)為基礎(chǔ)，其中許多技術(shù)已沿用長(zhǎng)達(dá)十余年，而今無(wú)論是系統(tǒng)總頻寬或中央處理器(CPU)等作業(yè)環(huán)境都不可同日而語(yǔ)。有鑒于此，發(fā)展新的解決方案為眼下業(yè)界的共識(shí)，Wide I/O、HBM及HMC等三大新存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)遂成業(yè)界關(guān)注重點(diǎn)。 據(jù)ExtremeTech網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)指出，過(guò)去近20年來(lái)存儲(chǔ)器規(guī)格已從第一代的SDRAM DIMM發(fā)展至DDR4-3200，成長(zhǎng)高達(dá)48倍。因此，現(xiàn)今業(yè)界雖針對(duì)是否應(yīng)進(jìn)一步以此標(biāo)準(zhǔn)定義DDR5有所爭(zhēng)議，更多人卻傾向發(fā)展新的存儲(chǔ)
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引進(jìn)CRC/3DS架構(gòu) DDR4數(shù)據(jù)傳輸性能/可靠度躍升
- 相較前一代記憶體規(guī)格，第四代雙倍資料率(DDR4)新增超過(guò)二十種功能，其中，采用循環(huán)冗余校驗(yàn)碼(CRC)和立體矽堆疊(3DS)技術(shù)更是重大變革，前者可即時(shí)檢測(cè)資料匯流排上的錯(cuò)誤訊息，提升可靠度;后者對(duì)提升時(shí)序和功率效能則大有幫助。 隨著標(biāo)準(zhǔn)不斷演進(jìn)，新一代記憶體規(guī)范通常著重于提升資料傳輸速率，其他方面僅略做調(diào)整，但第四代雙倍資料率(DDR4)并非如此。DDR4首次亮相時(shí)，便新增超過(guò)二十種功能，比先前DDR規(guī)格足足多一倍。 前幾代的DDR規(guī)格創(chuàng)新，主要目標(biāo)是提供更快速度或更廣泛的應(yīng)用，然而，
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重 4GB DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導(dǎo)入終端應(yīng)用的時(shí)間點(diǎn)，會(huì)遞延至2016年第1季，象征4GbDDR4成為主流的時(shí)間點(diǎn)也會(huì)延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度一切都如預(yù)期，年底會(huì)有8萬(wàn)片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，資本支出不會(huì)改變。 日前傳出韓系存儲(chǔ)器廠25納米制程的產(chǎn)品未過(guò)PCOEM客戶認(rèn)證，導(dǎo)致部分貨源流入現(xiàn)貨市場(chǎng)，這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后，產(chǎn)品認(rèn)證的嚴(yán)格度大幅攀升，未來(lái)20納米制程世代的問題更嚴(yán)重，轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程
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DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]
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