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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ddr2-400

采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì)

  • 采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì),本白皮書(shū)討論各種存儲(chǔ)器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說(shuō)明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過(guò)硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來(lái)為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣的更
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Nufront第三代處理器采用Cadence接口IP解決方案

  • 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 (NASDAQ: CDNS)，日前宣布Nufront(新岸線)的NS115芯片組采用了Cadence可配置的DDR3/3L/LPDDR2存儲(chǔ)控制器與硬化PHY IP核，應(yīng)用于其雙核ARM Cortex –A9移動(dòng)應(yīng)用處理器。TSMC 40LP工藝， 32位DDR3/LPDDR2接口的數(shù)據(jù)傳輸速率最高可達(dá)800Mbps，并能提供對(duì)超薄筆記本、平板電腦和智能手機(jī)等產(chǎn)品至關(guān)重要的基于數(shù)據(jù)流量的自動(dòng)功耗管理。 Cadence 的DDR3/3L/LPDDR2 IP
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一種矢量信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號(hào)的特點(diǎn)，以FPGA為邏輯時(shí)序控制器，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種靈活、簡(jiǎn)單、低成本的矢量信號(hào)發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例，詳細(xì)介紹了矢量信號(hào)發(fā)生器的設(shè)計(jì)方案與實(shí)現(xiàn)過(guò)程，使用Verilog HDL描述并實(shí)現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時(shí)序控制和FPGA的邏輯控制。
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StellamarXilinxXC3S400AN數(shù)字ADC音頻評(píng)估方案

  • Stellamar 公司的數(shù)字ADC采用Xilinx公司的 XC3S400AN FPGA,平均功耗低50%,面積低50%,非常低的工作電壓,高達(dá)14位的有效位,14位500Hz的SNR為90dB,數(shù)字典輸出,數(shù)字測(cè)試,過(guò)采樣,不會(huì)丟失碼,極低的失調(diào)漂移,能用在苛刻的環(huán)
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可獲得400VP-P輸出的高電壓增強(qiáng)器電路功能及原理

  • 電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負(fù)10~30V，需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵(lì)器或壓電器件就要使用專門(mén)的激勵(lì)放大器，也有采用由耐高壓晶體管組成的獨(dú)立電路的。本電路主要應(yīng)用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加
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高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計(jì)

  • 摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲(chǔ)的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計(jì)方法，提出一種基于VHDL語(yǔ)言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對(duì)高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開(kāi)發(fā)
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基于USB2.0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 摘要：采用DDR2SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)，給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實(shí)時(shí)、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方...
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基于Cyclone III FPGA的DDR2接口設(shè)計(jì)分析

  • DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě)，即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，能夠在時(shí)鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，可以在與SDRAM相同的總線時(shí)鐘頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，但DDR2擁有兩倍于DDR的預(yù)讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。
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ASIC原型驗(yàn)證板DDR2 速率再攀高峰

  • 　　唐芯微電子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA單顆(MB3100-A5/8)和雙顆(D-MB3100A)原型驗(yàn)證平臺(tái)半年來(lái)在用戶項(xiàng)目使用中，從性能、價(jià)格、穩(wěn)定性來(lái)說(shuō)已得到了用戶的很高評(píng)價(jià)，當(dāng)然，唐芯微人還是不失抓住每一次售后機(jī)會(huì)，把握用戶提出的問(wèn)題和建議，配合用戶完成項(xiàng)目的同時(shí)對(duì)這款產(chǎn)品進(jìn)行一次次優(yōu)化修正，不但用戶對(duì)唐芯微電子售后服務(wù)有了更進(jìn)一步體會(huì)，而且?guī)醉?xiàng)技術(shù)成果的突破也讓用戶刮目相看。
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基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)與FPGA實(shí)現(xiàn)

  • 摘要： 采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)， 給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實(shí)時(shí)、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案， 同時(shí)提出了對(duì)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進(jìn)思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實(shí)現(xiàn)方法。

    0 引
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基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與仿真

  • 基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與仿真, 摘 要： 介紹了DDR2嵌入式系統(tǒng)的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具，并基于Hyperlyxn仿真工具對(duì)IBIS模型進(jìn)行仿真分析，給出了一個(gè)具體的DDR2嵌入式系統(tǒng)的設(shè)計(jì)過(guò)程和方法?！　‖F(xiàn)代電子設(shè)計(jì)和芯片制造技術(shù)正在飛速發(fā)展
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基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì)

  • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì),　　本白皮書(shū)討論各種存儲(chǔ)器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說(shuō)明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過(guò)硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來(lái)為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
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基于BGA7127設(shè)計(jì)的400-2700MHz 0.5W高線性放大技術(shù)

  • 本文介紹了BGA7127主要特性和優(yōu)勢(shì)，功能方框圖以及920 MHz 到 960 MHz，1930 MHz 到 1990 MHz，2110 MHz 到 2170 MHz和2405 MHz 到 2485 MHz的應(yīng)用電路及相應(yīng)的材料清單。NXP公司的BGA7127是 400-2700MHz 0.5W高線性
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美光推出內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

  • 　　美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對(duì)平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動(dòng)™ 的Oak Trail平臺(tái)。尺寸和電池壽命對(duì)于平板電腦市場(chǎng)十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場(chǎng)的 理想存儲(chǔ)解決方案。 　　美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過(guò)渡到更先進(jìn)的 50 納米制程節(jié)點(diǎn)， 反映出美光對(duì)市場(chǎng)所需的技術(shù)的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級(jí)到2Gb 的元件除了容量提
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鎂光開(kāi)始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片

  • 　　鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場(chǎng)。 　　該芯片采用低電壓DDR2標(biāo)準(zhǔn)制造，可與英特爾開(kāi)發(fā)代號(hào)Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等，可構(gòu)成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內(nèi)存條，實(shí)現(xiàn)8億MT/s傳輸能力。 　　得益于較小的制程，這款芯片可以工作在1.55V的低壓下，以降低系統(tǒng)的電源需求。 　　鎂光預(yù)計(jì)這種DD2存儲(chǔ)芯片將在2010年9月開(kāi)始出樣，年末之前量產(chǎn)出貨。
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  50納米  DDR2  
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