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Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET

  •   Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET,它可通過獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋,有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。   最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產品系列的新成員,均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件,特別適用于高浪涌電流的開關負載,如電燈、電機及電磁鐵。   ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護功能,可提供正常、限流和熱關斷等不同模
  • 關鍵字: MOSFET  Zetex  單片機  嵌入式系統(tǒng)  封裝  

飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET

  •   飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET,這兩款產品經專門設計,可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業(yè)界領先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專利的PowerTrench® 工藝技術,這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐;FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
  • 關鍵字: MOSFET  單片機  飛兆  嵌入式系統(tǒng)  

RF功率MOSFET產品及其工藝開發(fā)

  • 摘    要:本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應用,分析了以LDMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產品結構和制造工藝特點。文中結合6寸芯片生產線,設計了產品的制造工藝流程,分析了制造工藝的難點,并提出了解決方案。關鍵詞:RF 功率 MOSFET;LDMOSFET;器件結構;制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期,RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
  • 關鍵字: LDMOSFET  MOSFET  RF  RF專題  電源技術  功率  模擬技術  器件結構  制造工藝  

擁有線性穩(wěn)壓器特性的下一代移動DC-to-DC轉換器

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字: LDO  IC  MOSFET  

Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅動操作

  •   模擬信號處理及功率管理解決方案供應商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅動電壓應用設計的N 溝道增強模式 MOSFET。   這三款新產品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封裝)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(兩者均為SOT23封裝)。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開關功能,可以使用兩個1.2V 電池或一個鋰離子電池驅動。其超低柵極驅動意味著可
  • 關鍵字: MOSFET  Zetex  超低柵極驅動  電源技術  模擬技術  

飛兆半導體推出光隔離 MOSFET 柵極驅動器

  • 能夠驅動工業(yè)應用中高達 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導體領先業(yè)界的功率產品系列相輔相成, 為設計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 領先業(yè)界的功率產品系列又添新成員,宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅動器系列的全新產品,能夠在工業(yè)應用中驅動高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
  • 關鍵字: MOSFET  單片機  飛兆半導體  光隔離  嵌入式系統(tǒng)  柵極驅動器  

常用MOSFET技術參數

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  • 關鍵字: MOSFET  

利用MCU的內部振蕩器為電源增加智能控制,

  • 傳統(tǒng)上,開關電源(SMPS)是用一個基本的模擬控制環(huán)路來實現的,但數字信號控制器(DSC)技術的最新發(fā)展使得采用全數字...
  • 關鍵字: 反饋  MOSFET  驅動  

智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

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  • 關鍵字: IGBT  MOSFET  汽車  

英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件

  • 英飛凌推出新一代MOSFET節(jié)能器件,助力電源制造商實現能效目標  英飛凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)日前發(fā)布應用于計算機、電信設備和消費電子產品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%,并在導通電阻、功率密度和門極電荷等主要功率轉換指標上達到業(yè)界領先水平。 許多電源產品,如用于服務器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產
  • 關鍵字: MOSFET  電源技術  節(jié)能器件  模擬技術  英飛凌  

單芯片大電流同步降壓方案助力簡化電源設計

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  • 關鍵字: MOSFET  

MOSFET熱模擬工具現提供免費下載!

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  • 關鍵字: MOSFET  

簡易鋰電池保護IC測試電路的設計

  • 由于鋰電池的體積密度、能量密度高,并有高達4.2V的單節(jié)電池電壓,因此在手機、PDA和數碼相機等便攜式電子產品中獲得了廣泛的應用。為了確保使用的安全性,鋰電池在應用中必須有相應的電池管理電路來防止電池的過充電、過放電和過電流。鋰電池保護IC超小的封裝和很少的外部器件需求使它在單節(jié)鋰電池保護電路的設計中被廣泛采用。 然而,目前無論是正向(獨立開發(fā))還是反向(模仿開發(fā))設計的國產鋰電池保護IC由于技術、工藝的原因,實際參數通常都與標準參數有較大差別,在正向設計的IC中尤為突出,因此,測試鋰電池保護IC的實
  • 關鍵字: MOSFET  電源技術  鋰電池  模擬技術  消費電子  消費電子  

TOPSwitch-GX開關電源在牙科X光機中的應用

  • 1 引言 TPS54350是德州儀器(TI)新推出的一款內置MOSFET的高效DC/DC變換器.采用小型16引腳HISSOP封裝.連續(xù)輸出電流為3 A時,輸入電壓范圍為4.5 V~20 V。該變換器極大地簡化了負載電源管理的設計,使得設計人員可直接通過中壓總線(而不依賴額外的低電壓總線)為數字信號處理器(DSP)、現場可編程門陣列(FPGA)及微處理器供電。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技術的開關)DC/DC變換器的效率高達90%以上,非常適用于低功耗工業(yè)與商用電源、帶液晶顯示屏(LC
  • 關鍵字: MOSFET  電源技術  模擬技術  信號處理  模擬IC  電源  

Vishay提供免費在線MOSFET熱模擬工具

  •     Vishay推出一款網上工具,可供設計人員詳細模擬在各種應用中Vishay Siliconix MOSFET 在運行時的熱效應情況及其受鄰近元件的影響如何。             Vishay 新推出的 ThermaSim™(可從 http://www.vishay.
  • 關鍵字: MOSFET  Vishay  電源技術  工具  免費  模擬技術  熱模擬  在線  
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