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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> coolsic mosfet

提升能效,讓整個(gè)世界微笑

  • 摘要：面對(duì)越來(lái)越嚴(yán)格的能效等級(jí)，電源產(chǎn)品面臨著全新的技術(shù)需求挑戰(zhàn)，未來(lái)幾年，電源半導(dǎo)體企業(yè)需要滿(mǎn)足更為嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)需求。
  • 關(guān)鍵字： 電源管理  DC/DC  MOSFET  201211  

Microchip推出高電壓模擬降壓PWM控制器

  • 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專(zhuān)利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調(diào)制(PWM)控制器與配套的低品質(zhì)因數(shù)(FOM)MOSFET產(chǎn)品系列組合支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)，涵蓋了廣泛的消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： Microchip  PWM  MOSFET  單片機(jī)  

反激式電源中MOSFET的鉗位電路

  • 輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低，使用一個(gè)控制器就能提供多路輸出...
  • 關(guān)鍵字： 反激式  MOSFET  鉗位電路  

安森美新器件用于富于挑戰(zhàn)的不同汽車(chē)應(yīng)用

  • 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)宣布推出數(shù)款新汽車(chē)產(chǎn)品系列，專(zhuān)門(mén)為發(fā)展迅速的汽車(chē)市場(chǎng)而設(shè)計(jì)，配合汽車(chē)電子成分持續(xù)升高，用于燃油經(jīng)濟(jì)性、安全、信息娛樂(lè)系統(tǒng)及車(chē)載通信等先進(jìn)功能。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  LED  

Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路，因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動(dòng)器極大降低了配置成本和PCB空間，并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

  • b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解，人們將其用于信息通信...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  光電耦合器  

實(shí)現(xiàn)汽車(chē)器件0ppm目標(biāo)的舉措

  • 汽車(chē)可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車(chē)可能是我們每個(gè)人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽(tīng)起來(lái)有失偏頗，并且如果您的...
  • 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子  IR  MOSFET  

雙柵極SET與MOSFET的混合特性

  • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性　　由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
  • 關(guān)鍵字： 雙柵極  SET  MOSFET  

MOSFET柵漏電流噪聲分析

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì)，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄，柵漏電流越 ...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  柵漏電流  噪聲分析  

瑞薩電子推出工業(yè)用首個(gè)微控制器

  • 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠(chǎng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”)，于日前發(fā)布了最新的用于個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲(chǔ)存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個(gè)集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測(cè)電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MCU  MOSFET  

安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容，推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOSFET，用于空間受限的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品，如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  MOSFET  

Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39m?～600m?，將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A～73A。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

Intersil擴(kuò)展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列

  • 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)日前宣布，推出面向電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動(dòng)器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時(shí)間，可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間控制和靈活的控制輸出。
  • 關(guān)鍵字： Intersil  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)

  • 摘要： 對(duì)具有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行了分析，推導(dǎo)了驅(qū)動(dòng)變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)（繞組電流有效值，變壓器功率）的計(jì)算方法，定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對(duì)開(kāi)通過(guò)程的影響，并通過(guò)仿真和試
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動(dòng)  變壓器設(shè)計(jì)    

Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  
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