cmos-mems 文章 最新資訊
基于0.5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運算放
- 摘要:為了提高運算放大器的驅(qū)動能力,依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線,介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設(shè)計,探討B(tài)iCMOS工藝的特點。在S-Edit中進行“BiCMOS運放設(shè)計”電路設(shè)計,并對其電路各個器件參數(shù)
- 關(guān)鍵字: BiCMOS CMOS 工藝 放大器設(shè)計
先進半導(dǎo)體2010年財報顯示扭虧為盈
- 先進半導(dǎo)體日前宣布,周衛(wèi)平于3月9日辭任總裁及首席執(zhí)行長之職務(wù),并于3月9日獲委任為副總裁。另外,由于公司管理架構(gòu)的調(diào)整,周衛(wèi)平與程堅玉分別于3月23日及3月24日提出辭去執(zhí)行董事之職務(wù),并于5月17日生效。
- 關(guān)鍵字: 先進半導(dǎo)體 MEMS
電荷泵型LED驅(qū)動器的CMOS誤差放大器設(shè)計
- 結(jié)合電荷泵型LED驅(qū)動器的工作要求,從減小輸出電壓紋波、穩(wěn)定輸出電壓出發(fā),設(shè)計了一款誤差放大器。該誤差放大器具有較大的工作電壓范圍,使電荷泵型LED驅(qū)動器高效率低噪聲工作?;贑HRT 0.35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY進行仿真,結(jié)果表明,在2.7~5 V工作電壓范圍內(nèi),開環(huán)電壓增益約等于72 dB,相位裕度約等于65°,單位增益帶寬約等于4.6 MHz,共模抑制比CMRR約等于113 dB,電源抑制比PSRR約等于100 dB。
- 關(guān)鍵字: 放大器 設(shè)計 誤差 CMOS LED 驅(qū)動器 電荷
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