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貝爾實驗室宣布未來將退出芯片研究業(yè)務(wù)

  • 　　據(jù)國外媒體報道，日前，貝爾實驗室正式宣布未來其將退出芯片研究業(yè)務(wù)。 　　目前作為阿爾卡特-朗訊的一部分，貝爾實驗室曾經(jīng)培養(yǎng)出了六名諾貝爾物理學(xué)獎得主。但在過去的六年時間里，自貝爾實驗室剝離其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)后，其材料科學(xué)和設(shè)備物理研究分部的力量正逐年減少，所剩下來的僅僅是一小部分從事量子計算、高速電子和納米技術(shù)研究的團(tuán)隊。 　　阿爾卡特-朗訊貝爾實驗室研究部負(fù)責(zé)人Gee Rittenhouse表示，“貝爾實驗室未來將退出芯片研究業(yè)務(wù)的報道屬實，由于我們沒有了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，所以我們決定淡出材料科
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高速ADC THS1041的鉗位功能

  • 　　引言 　　TI 推出的THS1041是一款10位、40-MSPS、CMOS高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。該轉(zhuǎn)換器具有諸多優(yōu)異的特性，其中包括：單節(jié)3-V電源、低功耗、靈活的輸入結(jié)構(gòu)、內(nèi)置可編程增益放大器(PGA)以及內(nèi)置鉗位功能。由于上述這些特性（特別是內(nèi)置的鉗位功能），多年來THS1041已在各種應(yīng)用中得到廣泛使用。鉗位功能可以使該器件能夠生成并輸出一個針對靈活A(yù)DC應(yīng)用的緩沖DC電壓，例如，為ADC提供一個共模電壓或允許ADC模擬輸入端AC耦合視頻信號上的DC恢復(fù)，這一功能可被啟用或禁用。如圖1所示
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安華高科技在40nm硅芯上取得20 Gbps性能表現(xiàn)

  • 　　Avago在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長久以來的領(lǐng)導(dǎo)地位，Avago的40nm內(nèi)核為公司第七代高性能SerDes IP，而SerDes的出貨總通道數(shù)也已經(jīng)超過了六千萬。Avago在提供高可靠度且高性能的ASIC產(chǎn)品上擁有輝煌的紀(jì)錄，目前又在TSMC的40nm CMOS工藝上取得達(dá)成高達(dá)20 Gbps的SerDes設(shè)計，進(jìn)一步邁入新的里程碑。安華高是為通信、工業(yè)和消費(fèi)類等應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零組件的領(lǐng)導(dǎo)廠商。  　　非
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安森美擴(kuò)充汽車應(yīng)用極低靜態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器系列

  • 　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)為了滿足需要極低熄火電流的汽車電子模塊的應(yīng)用需求，擴(kuò)充低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通過了AEC-Q100規(guī)范認(rèn)證，且工作溫度范圍極寬，并且高度結(jié)合板載功能，典型靜態(tài)電流(Iq)低至22 ?A。 　　安森美半導(dǎo)體的這些新的極低Iq LDO可以連接電池，提供精確的3.3 V和5.0 V輸出電壓和高達(dá)  350 mA的輸出電流，具有板載保護(hù)功能，并具有上電復(fù)位和延遲時間選擇功
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低壓差線性穩(wěn)壓器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

  • 　　1 引言  　　電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關(guān)電源兩大類，由于開關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開關(guān)狀態(tài)，本身消耗的能量很低，開關(guān)電源效率可達(dá)80％～90％，比普通線性穩(wěn)壓電源提高近一倍，目前已成為穩(wěn)壓電源的主流產(chǎn)品。 　　2 開關(guān)穩(wěn)壓電源的結(jié)構(gòu) 　　圖(1)畫出了開關(guān)穩(wěn)壓電源的原理圖及等效原理框圖，它是由全波整流器，開關(guān)管Vi，激勵信號，續(xù)流二極管VD，儲能電感和濾波電容C
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傳AMD三季度將恢復(fù)盈利 出售設(shè)備是主因

  • 　　業(yè)內(nèi)人士稱，AMD曾許諾要在今年第三季度恢復(fù)贏利。人們也許對在過去7個季度里一直虧損（包括在今年第二季度虧損2.69億美元）而且與英特爾的競爭沒有重大進(jìn)展的AMD恢復(fù)盈利的可能性表示懷疑。但是，業(yè)內(nèi)人士肯定地說，AMD第三季度肯定會報告利潤大幅度增長。不過，這個利潤主要不是來自于產(chǎn)品銷售。這個利潤將創(chuàng)建人們期待的宣布AMD的“Asset Smart”資產(chǎn)活化）戰(zhàn)略的基礎(chǔ)。 　　在過去的7個季度里，人們一直在談?wù)撚嘘P(guān)AMD恢復(fù)贏利的事情。AMD在過去的7個季度一共虧損了51.4
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麥克雷爾推出新型低輸入電壓雙LDO系列產(chǎn)品

  • 　　麥克雷爾公司 (Micrel Inc.) 推出具有低輸入電壓性能的低壓差線性穩(wěn)壓器 (LDO) 的最新系列產(chǎn)品 MIC5313/4/5/6。MIC5313/4/5/6 系列產(chǎn)品整合了兩個能夠以低至1.7伏的輸入電壓運(yùn)行且僅需消耗37微安總靜態(tài)電流的 LDO。MIC5313/4/5/6 系列產(chǎn)品目前均已批量銷售，每1000件的起定價為每件1.29美元。 　　麥克雷爾便攜式電源產(chǎn)品營銷總監(jiān) Andy Khayat 指出：“無論哪種應(yīng)用，功效是設(shè)計人員一貫的重點。降低 LDO 使用的輸入電壓可
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首款滿足商業(yè)對講機(jī)高品質(zhì)需求的全集成walkie-talkie芯片量產(chǎn)

  • 　　在很多國家，具有 walkie-talkie 對講功能的手持產(chǎn)品已經(jīng)相當(dāng)成熟，廣泛應(yīng)用于公共安全、運(yùn)輸、鐵路、服務(wù)和制造等行業(yè)，F(xiàn)RS(family radio service)、GMRS(General Mobile Radio Service) 和 PWR(private mobile radios) 的客戶群也逐年增大。而在國內(nèi)，盡管前景普遍看好，但由于核心芯片特別是高品質(zhì)射頻收發(fā)器芯片的缺乏限制了終端產(chǎn)品性能的提升及其應(yīng)用。 　　近日，銳迪科微電子 (RDA) 宣布，采用全集成 CMOS 射
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CMOS功率放大器廠商加緊挑戰(zhàn)GaAs

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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運(yùn)算放大器的發(fā)展體現(xiàn)了電子技術(shù)的進(jìn)步

用于各類攝像應(yīng)用的高速CMOS圖像傳感器

  • 在廣闊的市場上，高速CMOS圖像傳感器有幾種類型，即通用用途、高端或定制的高速攝像機(jī)。這些攝像機(jī)用于科學(xué)研究，撞擊測試，高速掃描，機(jī)器視覺和軍事研究等，所有用途中都要求高幀率運(yùn)動捕獲。
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集成光電智能探測器SOC研究

  • 　　1 序言  　　本文所討論的智能探測器，是一種集成的半導(dǎo)體光電探測器。它與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體光敏器件相比，最為明顯的特點是系統(tǒng)集成，即將硅光電二極管與信號的放大、處理電路及輸出電路集成在一個芯片上，使得整個系統(tǒng)的可靠性明顯提高，體積大大減小，功耗和噪聲也大幅度減小，在批量生產(chǎn)的前提下，成本也較為低廉。它的另一個特點是技術(shù)含量較高，表現(xiàn)在：第一，需要設(shè)計一套CMOS兼容集成工藝流程，使它既能制造出合乎要求的光電二極管又能制造出CMOS模擬和數(shù)字電路。第二，工藝要求高。因為光電二極管陣列和外圍讀
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EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

  • 　　對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
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中國電源管理芯片市場現(xiàn)狀與趨勢

  • 　　近5年來市場增速首次跌至20%以下 　　幾乎所有的電子產(chǎn)品都會涉及到電源管理，而電源管理市場也直接受到電子整機(jī)產(chǎn)品產(chǎn)量的影響。近5年來，在下游電子產(chǎn)品整機(jī)產(chǎn)量高速增長的帶動下，中國電源管理芯片市場保持了快速的增長，從2003到2007年，市場復(fù)合增長率達(dá)到25%，然而2007年市場增長率僅為15%，5年來首次跌至20%之下，在經(jīng)歷了多年的高速發(fā)展之后，其市場增長開始明顯放緩，賽迪顧問認(rèn)為，直接的原因就是下游整機(jī)產(chǎn)量的增長率相對前幾年有所減緩，在中國市場上，隨著國際電子產(chǎn)品制造業(yè)向中國轉(zhuǎn)移趨勢的減緩
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提高射頻功率放大器效率的技術(shù)路線及其比較

  • 　　關(guān)鍵詞：射頻功率放大器, 無線通信, 射頻芯片制造工藝 　　特約撰稿人：周智勇 　　在向著4G手機(jī)發(fā)展的過程中，便攜式系統(tǒng)設(shè)計工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動通信標(biāo)準(zhǔn)，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA，與此同時，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數(shù)據(jù)率以及支持OFDMA調(diào)制、支持MIMO天線技術(shù)，乃至支持VoWLAN的組網(wǎng)，因此，在射頻信號鏈設(shè)計的過程中，如何降低射頻功率放大器的功耗及提升效率成為了半導(dǎo)體行業(yè)的競爭焦點之一。目前行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)三條技
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