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雙通道/四通道CMOS 運算放大器LTC6084/LTC60

  • 描述　　LTC?6084/LTC6085 是雙通道/四通道、低成本、低失調、軌至軌輸入/輸出、單位增益穩(wěn)定的 CMOS 運 ...
  • 關鍵字： 雙通道  四通道  CMOS  運算放大器  LTC6084  

MAX44265低功耗關斷模式CMOS運算放大器

  • MAX44265運算放大器的特點是在最大增益帶寬比(物質GBW)提供電流，如手機，筆記本電腦和便攜式醫(yī)療設備的電池供 ...
  • 關鍵字： MAX44265  低功耗  關斷模式  CMOS  運算放大器  

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關

  • 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?
  • 關鍵字： Vishay  CMOS  導通電阻  

美國半導體聯(lián)盟啟動“半導體合成生物技術”

  • 　　新計劃的第1階段將在3個相關又有所區(qū)別的領域支持6個探索性的項目：第1個領域是細胞形態(tài)-半導體電路設計領域，將從細胞生物學獲得的經(jīng)驗應用到新型芯片體系結構中，反之亦然;第2個領域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領域，專門支持半導體生物混合系統(tǒng);第3個領域是分子級精確增材制造領域，將在受生物啟發(fā)的數(shù)納米級尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導未來多代半導體合成生物技術研究。半導體研究聯(lián)盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。- 　　麻省理工學院的RahulSarpe
  • 關鍵字： 半導體  CMOS  

改進RGC結構的光互連CMOS前置放大器設計

  • 該前置放大器采用了改良后的RGC結構作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結果表明：在光探測器結電容 ...
  • 關鍵字： RGC  CMOS  前置放大器  

MAX2686L,MAX2693L低噪聲放大器與集成的LDO

  • MAX2686L/MAX2693L低噪聲放大器(LNA),Maxim先進的SiGe工藝設計，設備實現(xiàn)高增益和低噪聲系數(shù)，同時最大限度地提 ...
  • 關鍵字： MAX2686L  MAX2693L  低噪聲  放大器  LDO  

帶有增益提高技術的高速CMOS運算放大器設計

  • 設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源 ...
  • 關鍵字： 增益  高速  CMOS  運算放大器  

CMOS型單片機時鐘電路圖

  • MCS-51內部都有一個反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
  • 關鍵字： CMOS  單片機  時鐘電路  

新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806

  • 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實用的好產品。
  • 關鍵字： 新日本  CMOS  無線網(wǎng)絡  

LDO穩(wěn)壓器的基本工作原理

  • LDO穩(wěn)壓器的基本工作原理LDO低壓差型線性穩(wěn)壓器的獨特性在于，因為它能應用輸入電壓來調節(jié)輸出電壓，而這個幾 ...
  • 關鍵字： LDO  穩(wěn)壓器  

集成LIN系統(tǒng)基礎芯片功能的三通道半橋驅動控制器

  • 德國多特蒙德，艾爾默斯公司(Elmos)日前宣布推出集成了LIN系統(tǒng)基礎芯片功能(LIN-SBC)的三通道半橋驅動控制器E523.01/11，該產品在傳統(tǒng)的三通道半橋預驅動器的基礎上集成了LIN收發(fā)器/雙向PWM通信接口和LDO等功能模塊。
  • 關鍵字： 艾爾默斯  LDO  MCU  

技術：CMOS集成電路電阻的應用分析

  • 　　目前，在設計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中，要根據(jù)需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設計達到最優(yōu)。 　　1CMOS集成電路的性能及特點 　　1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管，且都是互補結構，工作時兩個串聯(lián)的場效應管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。 　　1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
  • 關鍵字： CMOS  電阻  

3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： CMOS  LCVCO  電感  射頻開關  PVT  鎖相環(huán)  

MAX4617-MAX4619低電壓、CMOS模擬多路復用器/開關

  • 概述：MAX4617/MAX4618/MAX4619是高速，低電壓，CMOS模擬集成電路的配置為8通道多路復用器（MAX4617），兩個4通道多路 ...
  • 關鍵字： MAX4617  MAX4619  CMOS  多路復用器  

淺談低電壓低靜態(tài)電流LDO的電路設計

  • 摘要：設計一種低電壓低靜態(tài)電流的線性差穩(wěn)壓器。傳統(tǒng)結構的LDO具有獨立的帶隙基準電壓源和誤差放大器，在提出 ...
  • 關鍵字： 低電壓  低靜態(tài)電流  LDO  
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