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圣邦推出IQ低至1.7μA的高壓LDO-SGM2200/SGM2300

  • 圣邦微電子(SG MICRO)于2012年推出極限耐壓高達(dá)32V的高壓LDO SGM2200系列。該系列產(chǎn)品可正常工作在26.4V輸入電壓范圍內(nèi),靜態(tài)功耗低至1.7μA,額定輸出電流為50mA,可廣泛用于各種電池供電或需要極低待機(jī)電流的電子產(chǎn)品中。
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基于CPLD的服務(wù)機(jī)器人視覺系統(tǒng)軟硬件設(shè)計(jì)

  •   隨著計(jì)算機(jī)科學(xué)和自動(dòng)控制技術(shù)的發(fā)展,越來越多的不同種類的智能機(jī)器人出現(xiàn)在工廠、生活當(dāng)中,機(jī)器人視覺系 ...
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羅姆高頻元器件和模塊技術(shù)系列一

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的噪音問題解析(二)

  • 典型電路中參考噪聲的控制  放大參考噪聲  TI TPS74401 LDO 用于測試和測量。表 1 列出了常見配置參 ...
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低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的噪音問題解析(一)

  • 引言  隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高 ...
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中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

  •   中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展,首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功,在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國際自主開發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術(shù)接近成熟,步入產(chǎn)業(yè)化階段,更好地滿足高端智能移動(dòng)終端的需要。該技術(shù)將于2013年與客戶伙伴進(jìn)行試產(chǎn)。   背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術(shù)開發(fā)的成功,有助于中芯國際進(jìn)一步拓展晶圓代工業(yè)務(wù),支持國內(nèi)外客戶500萬像素以上高分辨率智能手機(jī)用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
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LDO 噪聲詳解

  • LDO 噪聲詳解,引言隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器件,而這些器件的性能又非
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LDO噪聲詳解

  • 引言隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器件,而這些器件的性能又非常依賴于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當(dāng)使用一個(gè)高噪
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中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

  • 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際",紐約證交所代碼:SMI,香港聯(lián)交所代碼:981),中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路代工廠,日前宣布在背照式 CMOS 成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展,首款背照式 CMOS 成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功,在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。
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羅姆全新突破車載半導(dǎo)體領(lǐng)域的電源IC技術(shù)

  • 如今,全球主要的汽車制造商為了應(yīng)對環(huán)境問題,都在規(guī)劃HEV和EV的開發(fā)與擴(kuò)大投入。然而,由于EV以電池和電機(jī)為主動(dòng)力,在現(xiàn)階段,與燃油動(dòng)力車相比,行駛距離較短,要實(shí)現(xiàn)普及還存在諸多課題。因此,以歐洲已普及的高效低油耗柴油發(fā)動(dòng)機(jī)為基礎(chǔ),在其上附加混合動(dòng)力系統(tǒng)的柴油混合動(dòng)力的開發(fā)日益進(jìn)步。
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基于LDO線性穩(wěn)壓器的開關(guān)電源設(shè)計(jì)

  • 電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分,電源的性能直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目...
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一種結(jié)構(gòu)簡單的低功耗振蕩器電路設(shè)計(jì)

  • 摘要:給出了一種結(jié)構(gòu)簡單的低功耗振蕩器電路的設(shè)計(jì)方法,該電路由RC充放電回路、偏置電路組成。與傳統(tǒng)振蕩器電路相比,該電路具有精度高、電路結(jié)構(gòu)簡單以及輸出占空比可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。采用0.35 mu;m BCD工藝并利用Cad
  • 關(guān)鍵字: 振蕩器電路  低功耗  RC振蕩器  CMOS  

低功耗LNA設(shè)計(jì)

  • 摘要:為了應(yīng)對低功耗電路設(shè)計(jì)要求,提出了一個(gè)在低功耗要求下CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì)方法。使用該方法在0.18μm CMOS集成工藝下,設(shè)計(jì)一款低噪聲放大器,并在ADS中進(jìn)行前仿真。
  • 關(guān)鍵字: CMOS  放大器  LNA  201212  

LDO線性穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及分類

  • LDO線性穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及分類,LDO線性穩(wěn)壓器通常被設(shè)計(jì)工程師作為輔助措施,并且經(jīng)常被選用于產(chǎn)品開發(fā)的后期階段。設(shè)計(jì)工程師比較關(guān)注的是如何使復(fù)雜的基頻(BB) 或射頻( RF )ASIC 發(fā)揮作用,而不是其所選
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一種全集成型CMOS LDO的設(shè)計(jì)

  • 引言 隨著便攜式電子設(shè)備的廣泛使用,系統(tǒng)集成度越來越高。對于數(shù)/?;旌系钠舷到y(tǒng)中,數(shù)字電路對模擬電路的 ...
  • 關(guān)鍵字: 全集成  CMOS  LDO  
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