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cmos-ldo 文章 最新資訊

一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結構小型化的片

  • 采用標準0．18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試，結果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時具備三次諧波抑制的功能。
  • 關鍵字： CMOS  EBG  制造  天線    

WLCSP封裝LDO具有低噪聲、低功耗和ESD保護特性

  • 根據(jù)市場調(diào)研公司Databeans在其2011年第三季度電源管理市場跟蹤報告中預測，到2016年，全球LDO(穩(wěn)壓器)市場規(guī)模...
  • 關鍵字： WLCSP  LDO  低噪聲  

LDO

  • LDO,引言便攜電子設備不管是由交流市電經(jīng)過整流(或交流適配器)后供電，還是由蓄電池組供電，工作過程中，電源電壓都將在很大范圍內(nèi)變化。比如單體鋰離子電池充足電時的電壓為4.
  • 關鍵字： LDO  

CCD對比CMOS傳感器優(yōu)劣之分淺析

  • CCD及CMOS在從事機器視覺或攝影等行業(yè)的朋友來說一點也不陌生，目前雖然在價格上CMOS更有優(yōu)勢并且在技術上的進步也在穩(wěn)步推進當中，但CCD在一些重點領域中的應用并不見減少。圖像傳感器有CCD和CMOS兩種，是機器視覺攝
  • 關鍵字： 優(yōu)劣  淺析  傳感器  CMOS  對比  CCD  

隔離技術與部件在醫(yī)療系統(tǒng)安全中的應用

  • 醫(yī)療領域與其它領域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關鍵作用，它必須是強健和可靠的，并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術的發(fā)展，更小、更可靠和高性能隔離器件出現(xiàn)了，如單封裝、多通道數(shù)字隔離器、AC電流感應器和隔離柵驅(qū)動器。
  • 關鍵字： 隔離器  醫(yī)療系統(tǒng)  CMOS  

基于開關轉(zhuǎn)換器的高速ADC供電解決方案(中)

  • 開關調(diào)節(jié)器技術已今非昔比，當與后置濾波、精心的設計和布局布線做法相結合，開關調(diào)節(jié)器可以用作許多高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高效率電源解決方案?？傮w的任務是使目標頻率內(nèi)的總噪聲要低于噪底，防止它影響ADC性能。
  • 關鍵字： ADC  LDO  DC/DC  

基于開關轉(zhuǎn)換器的高速ADC供電解決方案(上)

  • 當今越來越多的應用要求使用高精度高速的數(shù)模轉(zhuǎn)換器(以下簡稱ADC)，為了使ADC發(fā)揮最佳的性能，必須為其提供滿足要求的直流電源。一般而言，系統(tǒng)設計人員愿意使用低壓差線性穩(wěn)壓器(以下簡稱LDO)來為ADC供電，而不使用開關轉(zhuǎn)換器(以下簡稱DC/DC)。
  • 關鍵字： ADC  LDO  DC/DC  

GF推出強化型55納米CMOS邏輯制程

  • 　　GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強化型(LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V?！?5nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點，使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。 　　GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁BruceKleinman表示：“‘55n
  • 關鍵字： GF  CMOS  

寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析

  • 寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析,寬動態(tài)攝像機到現(xiàn)在為止，究竟經(jīng)歷了幾代，沒能講得清楚。就技術而言，不算背光補償技術，寬動態(tài)現(xiàn)有二種重要實現(xiàn)方式：CCD+DSP技術和CMOS+DPS技術。CCD+DSP技術：DSP芯片是一種特殊的微處理器，根據(jù)數(shù)字信號處理理論
  • 關鍵字： 解析  CCD/CMOS-DSP  攝像機  監(jiān)控  動態(tài)  

GLOBALFOUNDRIES推出強化型55納米CMOS邏輯制程

  • 　　GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V ?！?5nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點，使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。 　　GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁Bruce Kleinman表示：&ldqu
  • 關鍵字： GLOBALFOUNDRIES  CMOS  55nm  

CMOS圖像傳感器基本原理與應用簡介

  • 摘要：本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點、問題及應對措施，以及CMOS圖像傳感器的市場狀況和一些...
  • 關鍵字： CMOS  圖像傳感器  電信號  

嵌入式CMOS成像器用于全息數(shù)據(jù)檢索

  • 過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術過于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品的開...
  • 關鍵字： CMOS  成像器  全息數(shù)據(jù)檢索  

IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標準兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出，從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡、存儲、工業(yè)和FPGA等應用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
  • 關鍵字： IDT  MEMS振蕩器  CMOS  

從頭到尾構建混合信號高集成度系統(tǒng)(SOC)的步驟(5)：電路仿真

全片內(nèi)LDO頻率特性的簡化電路分析方法

  • 摘要：對于無片外大電容的低壓差線性穩(wěn)壓器來說，用建立小信號模型來分析系統(tǒng)傳輸函數(shù)從而推出零極點分布的方法過于復雜繁瑣，本文提出一種簡化電路分析方法，可以不用復雜的化簡和計算就可以得出LDO的零極點位置分布，并通過幾種LDO頻率補償方式為例介紹該方法的應用，最后通過仿真驗證了此方法的準確性。
  • 關鍵字： LDO  穩(wěn)壓器  調(diào)整管  201301  
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