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cmos-ldo 文章 最新資訊

一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片

  • 采用標(biāo)準(zhǔn)0．18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長(zhǎng)1．6 nm的偶極子天線以及一對(duì)一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對(duì)該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進(jìn)行了仿真和測(cè)試，結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時(shí)具備三次諧波抑制的功能。
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WLCSP封裝LDO具有低噪聲、低功耗和ESD保護(hù)特性

  • 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司Databeans在其2011年第三季度電源管理市場(chǎng)跟蹤報(bào)告中預(yù)測(cè)，到2016年，全球LDO(穩(wěn)壓器)市場(chǎng)規(guī)模...
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LDO

  • LDO,引言便攜電子設(shè)備不管是由交流市電經(jīng)過(guò)整流(或交流適配器)后供電，還是由蓄電池組供電，工作過(guò)程中，電源電壓都將在很大范圍內(nèi)變化。比如單體鋰離子電池充足電時(shí)的電壓為4.
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CCD對(duì)比CMOS傳感器優(yōu)劣之分淺析

  • CCD及CMOS在從事機(jī)器視覺(jué)或攝影等行業(yè)的朋友來(lái)說(shuō)一點(diǎn)也不陌生，目前雖然在價(jià)格上CMOS更有優(yōu)勢(shì)并且在技術(shù)上的進(jìn)步也在穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中，但CCD在一些重點(diǎn)領(lǐng)域中的應(yīng)用并不見(jiàn)減少。圖像傳感器有CCD和CMOS兩種，是機(jī)器視覺(jué)攝
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隔離技術(shù)與部件在醫(yī)療系統(tǒng)安全中的應(yīng)用

  • 醫(yī)療領(lǐng)域與其它領(lǐng)域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用，它必須是強(qiáng)健和可靠的，并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術(shù)的發(fā)展，更小、更可靠和高性能隔離器件出現(xiàn)了，如單封裝、多通道數(shù)字隔離器、AC電流感應(yīng)器和隔離柵驅(qū)動(dòng)器。
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基于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的高速ADC供電解決方案(中)

  • 開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器技術(shù)已今非昔比，當(dāng)與后置濾波、精心的設(shè)計(jì)和布局布線做法相結(jié)合，開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器可以用作許多高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高效率電源解決方案?？傮w的任務(wù)是使目標(biāo)頻率內(nèi)的總噪聲要低于噪底，防止它影響ADC性能。
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基于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的高速ADC供電解決方案(上)

  • 當(dāng)今越來(lái)越多的應(yīng)用要求使用高精度高速的數(shù)模轉(zhuǎn)換器(以下簡(jiǎn)稱ADC)，為了使ADC發(fā)揮最佳的性能，必須為其提供滿足要求的直流電源。一般而言，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員愿意使用低壓差線性穩(wěn)壓器(以下簡(jiǎn)稱LDO)來(lái)為ADC供電，而不使用開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器(以下簡(jiǎn)稱DC/DC)。
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GF推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程

  • 　　GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V?！?5nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn)，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。 　　GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁BruceKleinman表示：“‘55n
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寬動(dòng)態(tài)監(jiān)控?cái)z像機(jī)CCD/CMOS-DSP解析

  • 寬動(dòng)態(tài)監(jiān)控?cái)z像機(jī)CCD/CMOS-DSP解析,寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)到現(xiàn)在為止，究竟經(jīng)歷了幾代，沒(méi)能講得清楚。就技術(shù)而言，不算背光補(bǔ)償技術(shù)，寬動(dòng)態(tài)現(xiàn)有二種重要實(shí)現(xiàn)方式：CCD+DSP技術(shù)和CMOS+DPS技術(shù)。CCD+DSP技術(shù)：DSP芯片是一種特殊的微處理器，根據(jù)數(shù)字信號(hào)處理理論
  • 關(guān)鍵字： 解析  CCD/CMOS-DSP  攝像機(jī)  監(jiān)控  動(dòng)態(tài)  

GLOBALFOUNDRIES推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程

  • 　　GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V ?！?5nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn)，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。 　　GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Bruce Kleinman表示：&ldqu
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CMOS圖像傳感器基本原理與應(yīng)用簡(jiǎn)介

  • 摘要：本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點(diǎn)、問(wèn)題及應(yīng)對(duì)措施，以及CMOS圖像傳感器的市場(chǎng)狀況和一些...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  圖像傳感器  電信號(hào)  

嵌入式CMOS成像器用于全息數(shù)據(jù)檢索

  • 過(guò)去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術(shù)過(guò)于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開(kāi)...
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IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出，從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
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從頭到尾構(gòu)建混合信號(hào)高集成度系統(tǒng)(SOC)的步驟(5)：電路仿真

全片內(nèi)LDO頻率特性的簡(jiǎn)化電路分析方法

  • 摘要：對(duì)于無(wú)片外大電容的低壓差線性穩(wěn)壓器來(lái)說(shuō)，用建立小信號(hào)模型來(lái)分析系統(tǒng)傳輸函數(shù)從而推出零極點(diǎn)分布的方法過(guò)于復(fù)雜繁瑣，本文提出一種簡(jiǎn)化電路分析方法，可以不用復(fù)雜的化簡(jiǎn)和計(jì)算就可以得出LDO的零極點(diǎn)位置分布，并通過(guò)幾種LDO頻率補(bǔ)償方式為例介紹該方法的應(yīng)用，最后通過(guò)仿真驗(yàn)證了此方法的準(zhǔn)確性。
  • 關(guān)鍵字： LDO  穩(wěn)壓器  調(diào)整管  201301  
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