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隔離技術(shù)與部件在醫(yī)療系統(tǒng)安全中的應(yīng)用

  • 醫(yī)療領(lǐng)域與其它領(lǐng)域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用,它必須是強健和可靠的,并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術(shù)的發(fā)展,更小、更可靠和高性能隔離器件出現(xiàn)了,如單封裝、多通道數(shù)字隔離器、AC電流感應(yīng)器和隔離柵驅(qū)動器。
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基于開關(guān)轉(zhuǎn)換器的高速ADC供電解決方案(中)

  • 開關(guān)調(diào)節(jié)器技術(shù)已今非昔比,當(dāng)與后置濾波、精心的設(shè)計和布局布線做法相結(jié)合,開關(guān)調(diào)節(jié)器可以用作許多高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高效率電源解決方案。總體的任務(wù)是使目標(biāo)頻率內(nèi)的總噪聲要低于噪底,防止它影響ADC性能。
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基于開關(guān)轉(zhuǎn)換器的高速ADC供電解決方案(上)

  • 當(dāng)今越來越多的應(yīng)用要求使用高精度高速的數(shù)模轉(zhuǎn)換器(以下簡稱ADC),為了使ADC發(fā)揮最佳的性能,必須為其提供滿足要求的直流電源。一般而言,系統(tǒng)設(shè)計人員愿意使用低壓差線性穩(wěn)壓器(以下簡稱LDO)來為ADC供電,而不使用開關(guān)轉(zhuǎn)換器(以下簡稱DC/DC)。
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GF推出強化型55納米CMOS邏輯制程

  •   GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強化型(LPe)制程技術(shù)平臺進行了最新技術(shù)強化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V?!?5nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點,使芯片設(shè)計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。   GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁BruceKleinman表示:“‘55n
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寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析

  • 寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析,寬動態(tài)攝像機到現(xiàn)在為止,究竟經(jīng)歷了幾代,沒能講得清楚。就技術(shù)而言,不算背光補償技術(shù),寬動態(tài)現(xiàn)有二種重要實現(xiàn)方式:CCD+DSP技術(shù)和CMOS+DPS技術(shù)。CCD+DSP技術(shù):DSP芯片是一種特殊的微處理器,根據(jù)數(shù)字信號處理理論
  • 關(guān)鍵字: 解析  CCD/CMOS-DSP  攝像機  監(jiān)控  動態(tài)  

GLOBALFOUNDRIES推出強化型55納米CMOS邏輯制程

  •   GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術(shù)平臺進行了最新技術(shù)強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點,使芯片設(shè)計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。   GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營銷副總裁Bruce Kleinman表示:&ldqu
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CMOS圖像傳感器基本原理與應(yīng)用簡介

  • 摘要:本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點、問題及應(yīng)對措施,以及CMOS圖像傳感器的市場狀況和一些...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  電信號  

嵌入式CMOS成像器用于全息數(shù)據(jù)檢索

  • 過去,由于缺乏低成本系統(tǒng)部件,或因全息多路技術(shù)過于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料,使全息數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品的開...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  成像器  全息數(shù)據(jù)檢索  

IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出,從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
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從頭到尾構(gòu)建混合信號高集成度系統(tǒng)(SOC)的步驟(5):電路仿真

全片內(nèi)LDO頻率特性的簡化電路分析方法

  • 摘要:對于無片外大電容的低壓差線性穩(wěn)壓器來說,用建立小信號模型來分析系統(tǒng)傳輸函數(shù)從而推出零極點分布的方法過于復(fù)雜繁瑣,本文提出一種簡化電路分析方法,可以不用復(fù)雜的化簡和計算就可以得出LDO的零極點位置分布,并通過幾種LDO頻率補償方式為例介紹該方法的應(yīng)用,最后通過仿真驗證了此方法的準(zhǔn)確性。
  • 關(guān)鍵字: LDO  穩(wěn)壓器  調(diào)整管  201301  

聯(lián)發(fā)科技與OmniVision攜手推出手機參考設(shè)計

  • 全球無線通訊及數(shù)字多媒體IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ,日前宣布與CMOS影像傳感器領(lǐng)先品牌美國豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作,于其最新雙核及四核智能手機解決方案打造帶有畫中畫、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機功能的手機參考設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)  豪威  智能手機  CMOS  

最新一代CMOS和CCD圖像傳感器

  •  最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進的制造工藝還實現(xiàn)了更低的成本。此外,創(chuàng)新架構(gòu)也正在給電路設(shè)計帶來更大的靈活性和通用性。  其結(jié)果是,
  • 關(guān)鍵字: 圖像  傳感器  CCD  CMOS  新一  最新  

正確使用MOS集成電路的注意事項

  • 所有MOS集成電路(包括P溝道MOS,N溝道MOS,互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵,以防止電壓...
  • 關(guān)鍵字: MOS集成電路  CMOS  NMOS  

超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器最佳選型詳解

  • 靜態(tài)電流差異及其對電池使用時間的影響  下面將更密切地審視數(shù)據(jù)表中的靜態(tài)電流規(guī)格與實際測量結(jié)果的比 ...
  • 關(guān)鍵字: 超低  靜態(tài)電流  LDO  穩(wěn)壓器  
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