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一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片上天線

  • 采用標(biāo)準(zhǔn)0．18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長(zhǎng)1．6 nm的偶極子天線以及一對(duì)一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對(duì)該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進(jìn)行了仿真和測(cè)試，結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時(shí)具備三次諧波抑制的功能。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  EBG  制造  天線    

抑制SSN的新型內(nèi)插L-EBG結(jié)構(gòu)

  • 本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新型結(jié)構(gòu)，對(duì)于同步開(kāi)關(guān)噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優(yōu)秀的特性。我們?cè)O(shè)計(jì)的這款新型EBG結(jié)構(gòu)，是在周期性L-bridge EBG結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，在一些單元內(nèi)插小型的L-bridge EBG。通過(guò)仿真驗(yàn)證，此結(jié)構(gòu)具有傳統(tǒng)型L-bridge EBG結(jié)構(gòu)所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運(yùn)用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結(jié)構(gòu)上下變頻。另外，通過(guò)3-D
  • 關(guān)鍵字： EBG  SSN  電源完整性   IR-Drop  201607  

抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲的超帶寬電磁帶隙結(jié)構(gòu)的研究

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 同步開(kāi)關(guān)  噪聲  超帶寬  電磁帶隙結(jié)構(gòu)  EBG  

基于EBG結(jié)構(gòu)的方向圖可重構(gòu)天線設(shè)計(jì)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： EBG  可重構(gòu)天線  U型縫隙微帶天線  方向圖可重構(gòu)  

一種采用CMOS 0.18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片上天線

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： EBG  片上天線  

一種采用CMOS 0．18μm制造的帶EBG結(jié)構(gòu)小型化的片

  • 采用標(biāo)準(zhǔn)0．18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長(zhǎng)1．6 nm的偶極子天線以及一對(duì)一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對(duì)該EBG結(jié)構(gòu)以及片上天線的S11及S21進(jìn)行了仿真和測(cè)試，結(jié)果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時(shí)具備三次諧波抑制的功能。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  EBG  制造  天線    
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