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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

誰將主導(dǎo)MEMS的未來？紙還是塑料？

  • 基于塑料或紙基板的元件不像矽基元件那樣快速或精確，但其性能足以滿足短暫使用或經(jīng)常更換的消費(fèi)產(chǎn)品，以及一次性的拋棄式應(yīng)用需求。
  • 關(guān)鍵字： 傳感器  CMOS  

mCube(矽立科技)收購 Xsens繼續(xù)搶占運(yùn)動(dòng)傳感器市場(chǎng)高地

  • 作者 / 王金旺　　以小體積、低功耗運(yùn)動(dòng)傳感器著稱的mCube(矽立科技)于2017年11月9日收購了專注3D運(yùn)動(dòng)追蹤技術(shù)和產(chǎn)品的Xsens。這一收購使mCube(矽立科技)的單芯片技術(shù)與Xsens的傳感器融合技術(shù)得到整合，從而推動(dòng)Sensor 3.0的進(jìn)一步變革和發(fā)展。mCube(矽立科技)總裁王瀚青博士表示，mCube(矽立科技)和Xsens的結(jié)合是將好的硬件和好的軟件融合在一起，是將高性能和低成本的結(jié)合，最終實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比?！　Cube(矽立科技)首席執(zhí)行官李彬表示：“Xsens專注于人體運(yùn)動(dòng)和工業(yè)
  • 關(guān)鍵字： 矽立科技  Xsens  Sensor 3.0  201712  

堅(jiān)決維權(quán) Omnivision豪威科技誓捍衛(wèi)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位起訴思特威

  • 　　上海知識(shí)產(chǎn)權(quán)法院正式受理了OmniVision?Technologies，?Inc.(以下簡(jiǎn)稱“豪威科技”或“OminiVison”)訴江蘇思特威電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“思特威”或“SmartSens”)侵害發(fā)明專利的相關(guān)訴訟。作為原告，豪威科技要求法院判令思特威公司立即停止有關(guān)SC5035型號(hào)芯片的專利侵權(quán)行為并進(jìn)行賠償。至此，CMOS制造業(yè)巨頭豪威科技正式展開了其在華針對(duì)專利侵權(quán)問題的首次維權(quán)?！　martSens思特威于2011年成立，主營(yíng)CMOS圖像傳感器芯片設(shè)計(jì)，產(chǎn)
  • 關(guān)鍵字： Omnivision  CMOS  

揭開廢棄紐扣電池的秘密

  • 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級(jí)，對(duì)現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來說是一項(xiàng)常見的簡(jiǎn)單應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  CR2032  德州儀器  

所有這些干擾都是從哪里來的？

  • 所有這些干擾都是從哪里來的？-自從進(jìn)入市場(chǎng)以來，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來了極大優(yōu)勢(shì)。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 （THD+N） 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級(jí)交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級(jí)。但是，輸入級(jí)對(duì) THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電源放大器  THD  

硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

  • 硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級(jí)堆棧密不可分。
  • 關(guān)鍵字： 硅光子  半導(dǎo)體芯片  CMOS  芯片設(shè)計(jì)  

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

  • cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
  • 關(guān)鍵字： cmos  憶阻器  傳感器  

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

  • ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號(hào)，電路簡(jiǎn)單，讀出速率高。
  • 關(guān)鍵字： ccd  cmos  圖像傳感器  
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cmos digital image sensor介紹

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