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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

智能化STM32 F7微控制器如何滿足嵌入式系統(tǒng)更高處理性能需求

  • 意法半導(dǎo)體（ST）日前宣布推出業(yè)界首款基于ARM最新Cortex-M7內(nèi)核的STM32 F7系列微控制器，其性能遠(yuǎn)超ST之前的32位STM32F4微控制器，通過無縫升級路徑可將處理性能和DSP性能提高一倍。
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一種易于集成的200萬像素手機相機完整解決方案

  • 本文采用了新型的美光MT9D111 200萬像素CMOS圖像傳感器作為實例，詳細(xì)介紹了其技術(shù)特性、電路配置，并分析了在手機上集成數(shù)碼相機的技術(shù)挑戰(zhàn)和應(yīng)對方法，以及未來手機相機的發(fā)展趨勢。
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撬動ADAS的CMOS圖像傳感器，你到底了解多少

  • 近年來，汽車安全的重要性越來越重要了，行車輔助安全駕駛（ADAS）在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越廣泛。智能安全駕駛、自動巡航控制、汽車?yán)走_波應(yīng)用、全景立體圖像環(huán)視系統(tǒng)等等汽車電子分支領(lǐng)域?qū)ζ囎詣玉{駛起到舉足輕重的作用。
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圖像傳感器大行其道，除了手機這些應(yīng)用不容小覷

  • 隨著傳感器技術(shù)的發(fā)展，圖像傳感器早已被廣泛應(yīng)用于消費電子、醫(yī)療電子、航空電子等領(lǐng)域，本文就將介紹圖像傳感器常用的應(yīng)用領(lǐng)域及具體的應(yīng)用情況。
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要想手機拍照好，CMOS和CCD傳感器藏絕招

  • 圖像傳感器在智能手機、照相機、攝像機中都發(fā)揮著十分關(guān)鍵的作用。在CIS、CMOS和CCD三類傳感器中，人們經(jīng)常討論的是CMOS和CCD圖像傳感器之間的比較優(yōu)勢，本文將簡單介紹兩種傳感器的分類及特點，并會給出選擇兩種傳感器產(chǎn)品時的一些實用建議。
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北大碳基集成電路成果被《2017中國自然指數(shù)》專題報道

  • 　　2017年5月25日，英國《自然》期刊增刊《2017中國自然指數(shù)》(第5545卷，7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明，在過去15年中，材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國政策制定者的關(guān)注重點，大力投資材料科學(xué)也成為中國整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來，中國始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國家，其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進人才。然而，材料科學(xué)家認(rèn)為，需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學(xué)家表示，如果沒有足夠的扶持，中國在材料研究商業(yè)化方面的努力
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單芯片毫米波傳感器步入CMOS時代

  • CMOS內(nèi)的數(shù)字縮放降低了功率，縮小了尺寸，并且提高了每個節(jié)點的性能。同時，CMOS技術(shù)進一步提高了在模擬組件中嵌入數(shù)字功能的能力，從而實現(xiàn)了在雷達系統(tǒng)部署方面的全新系統(tǒng)配置和拓?fù)洹?/li>
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后CMOS時代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗

  • 　　自從14nm節(jié)點開始，Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級上的步伐就慢下來了，Tick-Tock戰(zhàn)略名存實亡，還被TSMC、三星兩家趕超、奚落，甚至連市值都被TSMC超越了，以致于Intel為了挽回面子都想法推動新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié)，對此Intel也不是沒有準(zhǔn)備，最近他們公布了后CMOS時代的一些技術(shù)思路，Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品，電壓可以低至0.5V，這在目前的晶體管下是不可能的。   　　根據(jù)EE
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芯片業(yè)追尋后CMOS時代研發(fā)新方向

  • 傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體技術(shù)形成了摩爾定律的基礎(chǔ)，并在數(shù)十年來持續(xù)落實于產(chǎn)業(yè)界，如今它正日益成熟，業(yè)界也越來越迫切需要一種超越硅晶的新技術(shù)藍(lán)圖...
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摩爾定律活不久了 CMOS電路被判“死刑”

  • 盡管Intel一直嘴硬說摩爾定律未滅，但傳統(tǒng)半導(dǎo)體這幾年內(nèi)確實面臨著很大挑戰(zhàn)，IRDS日前發(fā)布的一份報告則給CMOS電路判了死刑——2024年它就會終結(jié)了。
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索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器

  • 　　索尼這幾年的手機之路走得并不平坦，不過沒有隨波逐流，漸漸變得默默無聞。作為黑科技的代名詞，索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強大?？赡芎芏嗳藭X得索尼沒聽說在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻，但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工，因為全球的手機CMOS大部分來自索尼。 　　索尼XZ Prumium 　　索尼鏡頭 　　索尼展示技術(shù) 　　在今年的MWC上，索尼除了帶來全新的智能手機之外，他們還帶來了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹，三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號處理電路之間加入一層
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汽車電子產(chǎn)業(yè)變革催生半導(dǎo)體行業(yè)機遇

  • 汽車智能化趨勢使得汽車電子半導(dǎo)體市場的增長不再依賴于汽車產(chǎn)量的增加，而是車載半導(dǎo)體數(shù)量的增加。
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本土手機芯片廠商日益強大 2017市場增長極都有誰？

  • 手機產(chǎn)業(yè)持續(xù)平穩(wěn)增長，芯片市場維持高景氣度
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索尼革命性拍照黑科技：把內(nèi)存塞進CMOS

  • 　　盡管近段時間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日，索尼推出了一款劃時代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進行改進，在像素層和信號處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理　　技術(shù)介紹稱，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動物體時能夠更加從容，有效減少拍攝時所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象，使得抓拍、慢動作都會更加
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CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

  • 　　1 CMOS集成電路的性能及特點　　1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管，且都是互補結(jié)構(gòu)，工作時兩個串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個管導(dǎo)通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW?！　?.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單，供電電源體積小，基本上不需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作?！　?.3
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cmos digital image sensor介紹

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