bics flash 文章進(jìn)入bics flash技術(shù)社區(qū)

?？煽菔蔂€，程序存儲的空間也會(huì)變

現(xiàn)如今，基本上所有的東西都打上了一個(gè)叫做“保質(zhì)期”的標(biāo)簽。在電子產(chǎn)品那里，有一個(gè)更為專業(yè)一點(diǎn)的術(shù)語，叫做“產(chǎn)品生命周期”。
關(guān)鍵字： RAM flash 程序

近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。“中國芯”獎(jiǎng)項(xiàng)是目前國內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計(jì)187款芯片產(chǎn)品參與報(bào)名，基本涵蓋國內(nèi)最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
關(guān)鍵字： NOR Flash

據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預(yù)計(jì)將于下月送樣檢測，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝存儲器 XL-Flash

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營運(yùn)中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時(shí)程出貨。
關(guān)鍵字： ?威騰東芝存儲器 NAND Flash

多日后，當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時(shí)候，我才知道，原來我倆在項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)存儲 EEPROM Flash

盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會(huì)大幅下滑，但該支出金額仍然會(huì)繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?！　CInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。　
關(guān)鍵字： DRAM 晶圓 Flash

　　美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼：MU)今日宣布公司正在行使其認(rèn)購期權(quán)，收購英特爾在雙方合資公司 IM Flash Technologies, LLC (簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益。2018 年 10 月 18 日，美光宣布了其行使期權(quán)的意向。　　“收購 IM Flash 將使美光加速研發(fā)進(jìn)程，并優(yōu)化 3D Xpoint 制造計(jì)劃，”美光科技總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 說?！蔼q他州的工廠將幫助我們提升生產(chǎn)制造柔性，配備高技術(shù)型人才隊(duì)伍，以推動(dòng) 3D Xpo
關(guān)鍵字：美光，F(xiàn)lash

對于可擦除的、非易失性的存儲，業(yè)界已經(jīng)在兩項(xiàng)技術(shù)上進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)化：Flash(閃存)和EEPROM。在某些方面，EEPROM被視為過時(shí)的方案，但它在一些具有特定需求的應(yīng)用中提供顯著的優(yōu)勢，例如當(dāng)數(shù)據(jù)的保留被視為安全至上時(shí)，EEPROM將是首選，因此十分適用于汽車電子等領(lǐng)域。
關(guān)鍵字： EEPROM Flash 汽車 1級 201812

數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了D
關(guān)鍵字：硬件設(shè)計(jì) FlaSh DSP

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫
關(guān)鍵字：源代碼 RAM FlaSh

如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫
關(guān)鍵字：工控 FlaSh 嵌入式

說到STM32的flash，我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的，實(shí)際上，STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序，還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然， FLAS
關(guān)鍵字： STM32 flash

　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！　?nbsp; 　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個(gè)讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
關(guān)鍵字： Nand-Flash eMMC