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EEPW首頁 >> 主題列表 >> bics flash

中國下個購并標的：NAND Flash控制芯片

  • 　　中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈。現階段，邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設法取得大規(guī)模制造產能，以補強記憶體產業(yè)發(fā)展。 　　資策會MIC產業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導體自制比例過低的情形，現今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領域皆具有本土廠商或已與外商
  • 關鍵字： NAND Flash  芯片  

TrendForce：經濟前景未明，2016年全球NAND Flash產值增長有限

  • 　　全球經濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā)，整體NAND Flash年度位元產出增長率將大幅增長50%。 　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2016年NAND Fl
  • 關鍵字： NAND Flash  TLC  

掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角　NAND Flash嵌入式應用效能增

  • 　　NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進行壞區(qū)塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。 　　NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術演進快速，平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍光播放器、電視、數位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優(yōu)勢，取代原本使用的NOR型快閃記
  • 關鍵字： NAND Flash  

中國NAND Flash產業(yè)鏈的布局日趨完整

  • 　　研究機構TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快，以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產業(yè)地位也越來越關鍵。 　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
  • 關鍵字： NAND Flash  SSD  

中國NAND Flash產業(yè)鏈的布局日趨完整

  • 　　研究機構TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快，以及中國半導體業(yè)者在NAND Flash產業(yè)鏈的布局日趨完整，中國業(yè)者在NAND Flash產業(yè)地位也越來越關鍵。 　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
  • 關鍵字： AND Flash  

東芝發(fā)布新一代BiCS FLASH 全球首款256Gb、48層堆疊閃存

  • 　　東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結構閃存注2，該閃存容量達到256Gb(32GB)，同時采用了行業(yè)領先的三階存儲單元(TLC)技術。這款全新閃存適用于各種產品應用，包括消費級固態(tài)硬盤(SSD)、智能手機、平板電腦和內存卡以及面向數據中心的企業(yè)級SSD。據悉，樣品將于9月開始發(fā)貨。 　　東芝全球首款256Gb、48層堆疊閃存BiCS FLASH™ 　　東芝BiCS FLASHTM采用目前世界最尖端的48層堆疊工藝，超越主流2D NAND閃存的容量，同時提高了可寫入/擦除次數及可靠
  • 關鍵字： 東芝  BiCS   

科技行業(yè)為Flash準備“葬禮”

  • 過去多年時間里，來自Adobe的熱門軟件Flash讓網絡變得更豐富，然而，Flash的安全性一直飽受詬病，而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明，Flash應當走向消亡。
  • 關鍵字： Adobe  Flash  

基于ARM7軟中斷程序的設計

  • 　　筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節(jié)的片內FLASH，98k字節(jié)的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時，需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。 　　   　　圖1存儲部分原理框圖 　　在設計中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運行程序，剩余的空間用于產品運
  • 關鍵字： ARM7  FLASH  

研調：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過于求，轉為供需較為平衡的格局。 　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產時程，但嵌入式產品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產出比重將僅
  • 關鍵字： TrendForce  NAND Flash  

基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設計

  • 　　1 VxWorks系統(tǒng)的啟動流程 　　嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動包括兩個階段，一是BootRom引導，二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動。BootRom映像也叫做啟動映像，它主要是初始化串口、網口等很少的硬件系統(tǒng)來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標板上運行的操作系統(tǒng)。它啟動后會重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng)，這樣操作系統(tǒng)才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。 　　VxWorks內核有多種啟動流程。本文基于的聲吶原型機采
  • 關鍵字： VxWorks  嵌入式  TFFS  Flash  MTD  

NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！

  • 　　2014年NAND flash銷售數據出爐，IHS報告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績雙雙下滑。 　　BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
  • 關鍵字： 三星  NAND flash  

儲存市場新廠突圍　傳統(tǒng)大廠嚴陣以待

  • 　　儲存裝置市場正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲存市場，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場。調查也發(fā)現，消費者預期未來將擴大使用Flash存儲器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調整策略才能扭轉頹勢。 　　據TechRadar報導，全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術產品，因此，其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。 　　據IDC調查發(fā)現，截至2014年第2季為止，由四大廠供應的高
  • 關鍵字： IBM  SSD  Flash  

東芝傳年內量產3D Flash 技術更勝三星

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業(yè)、于去年10月搶先量產3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產品，但三星的領先優(yōu)勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產3D NAND Flash、且其制造技術更勝三星一籌! 　　日本媒體產經新聞25日報導，三星于去年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
  • 關鍵字： 東芝  3D Flash   

大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升

  • 　　中國大陸智能型手機的高成長，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
  • 關鍵字： DRAM  NAND Flash  

半導體市場今年迎向高規(guī)格之爭

  • 　　2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導體之爭蓄勢待發(fā);行動應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產業(yè)成長新動能。 　　據韓媒亞洲經濟的報導，智慧型手機的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元，可望讓多工與資料處理
  • 關鍵字： 半導體  NAND Flash  LPDDR4  
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