首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 4nm

三星電子 4nm 工藝良率已提高至 75% 以上

  • IT之家 7 月 12 日消息，三星電子 4 納米工藝的良率目前已經(jīng)超過(guò) 75%，這引發(fā)了人們對(duì)于三星擴(kuò)大半導(dǎo)體代工客戶(hù)的猜測(cè)。7 月 11 日，Hi Investment & Securities 研究員樸相佑在一份報(bào)告中表示：“三星電子近期成功地提高了 4nm 工藝的成品率”，并提高了“高通和英偉達(dá)再次合作的可能性”。此前，三星電子代工廠(chǎng)曾經(jīng)歷過(guò)產(chǎn)品上市延遲以及 10nm 以下工藝良率提升緩慢的情況，導(dǎo)致主要客戶(hù)紛紛轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。結(jié)果，去年臺(tái)積電的資本支出和產(chǎn)能分別是三星電子代工業(yè)務(wù)的
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  4nm  半導(dǎo)體工藝  

三星4nm制程工藝良品率接近臺(tái)積電，蘋(píng)果考慮重新合作？

  • 三星似乎已經(jīng)解決了4nm工藝的一系列障礙。據(jù)Digitimes報(bào)道，三星在第三代4nm工藝的進(jìn)步可能超出外界預(yù)期，從之前的60%提高到70%以上。
  • 關(guān)鍵字： 三星  4nm  制程  工藝  良品率  臺(tái)積電  蘋(píng)果  

臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那工廠(chǎng) 4nm 明年量產(chǎn)，高通承諾將是首批客戶(hù)

  • 3 月 19 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州廠(chǎng)預(yù)計(jì) 2024 年量產(chǎn) 4nm，高通全球資深副總裁暨首席營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)陳若文表示，高通將是臺(tái)積電美國(guó)廠(chǎng) 4nm 的首批客戶(hù)。高通于 3 月 17 日舉行新竹大樓落成啟用典禮，臺(tái)積電歐亞業(yè)務(wù)暨研究發(fā)展資深副總經(jīng)理侯永清出席致意，并參加高通舉辦的產(chǎn)業(yè)高峰會(huì)，展現(xiàn)雙方的緊密關(guān)系。對(duì)于媒體關(guān)心高通是否評(píng)估在臺(tái)積電亞利桑那州廠(chǎng)投片生產(chǎn)，陳若文說(shuō)，高通很早就開(kāi)始評(píng)估，高通會(huì)是臺(tái)積電美國(guó)廠(chǎng) 4nm 制程的首批客戶(hù)。去年 12 月，臺(tái)積電將其對(duì)去年底開(kāi)始建設(shè)的亞
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  4nm  高通  

臺(tái)積電拿下特斯拉4納米芯片訂單

  • 業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電在亞利桑那州的美國(guó)新工廠(chǎng)已獲得特斯拉的4納米芯片訂單，預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始量產(chǎn)。消息人士稱(chēng)，當(dāng)臺(tái)積電亞利桑那工廠(chǎng)開(kāi)始履行其先進(jìn)自動(dòng)駕駛芯片的訂單時(shí)，特斯拉可能成為臺(tái)積電亞利桑那工廠(chǎng)的前3大客戶(hù)之一。特斯拉技術(shù)約領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手3~5年，先前與臺(tái)積電合作多時(shí)，最后2019年特斯拉卻將自駕芯片Hardware 3.0交由三星14納米、7納米制程代工生產(chǎn)。但隨著AI運(yùn)算能力與安全性需求大增，三星因7納米以下制程良率與效能不佳，即使代工報(bào)價(jià)再便宜，特斯拉也不得不回頭與臺(tái)積電合作，業(yè)界盛傳Hard
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  特斯拉  4nm  

“中國(guó)芯片標(biāo)準(zhǔn)”發(fā)布第6天，國(guó)產(chǎn)4納米芯片傳來(lái)好消息，這太快了

  • 想必大家也都感受到，似乎全球的各大經(jīng)濟(jì)體都在爭(zhēng)搶芯片資源，尤其是高端芯片資源，其中尤其以芯片制造最為矚目，例如像日韓美歐都在大力發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)，甚至一些亞洲的發(fā)展中國(guó)家也在芯片產(chǎn)業(yè)提供各種補(bǔ)貼，以期望在芯片產(chǎn)業(yè)中占有一席之地。但要想在芯片產(chǎn)業(yè)中有所作為，尤其是掌握一定的話(huà)語(yǔ)權(quán)，關(guān)鍵是要在根技術(shù)上打好基礎(chǔ)，而這個(gè)根技術(shù)，就是制定相應(yīng)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，美國(guó)芯片企業(yè)之所以得以在全球所向披靡，就是因?yàn)樵谛酒a(chǎn)業(yè)的早期，它們制定的企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)逐步成為了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，不僅提供授權(quán)可以獲得大量收益，還維護(hù)了其市場(chǎng)地位，可謂形成良性循環(huán)
  • 關(guān)鍵字： Chiplet  長(zhǎng)電科技  4nm  

英特爾4nm芯片已準(zhǔn)備投產(chǎn)：“IDM2.0”戰(zhàn)略能否重振昔日霸主？

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾正在推進(jìn)4nm和3nm制程工藝量產(chǎn)。英特爾副總裁、技術(shù)開(kāi)發(fā)主管Ann Kelleher在舊金山的一場(chǎng)新聞發(fā)布會(huì)上透露英特爾正在實(shí)現(xiàn)為公司重奪半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先地位而制定的所有目標(biāo)。同時(shí)，Kelleher表示英特爾目前在大規(guī)模生產(chǎn)7nm芯片的同時(shí)，還做好了生產(chǎn)4nm芯片的準(zhǔn)備，并將在2023年下半年準(zhǔn)備生產(chǎn)3nm芯片。7nm制程工藝大規(guī)模量產(chǎn)，4nm制程工藝準(zhǔn)備開(kāi)始量產(chǎn)，明年下半年準(zhǔn)備轉(zhuǎn)向3nm制程工藝，也就意味著他們?cè)谙冗M(jìn)制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間上，與臺(tái)積電和三星電子這兩大代工商的差距在縮小
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  4nm  芯片  IDM  

臺(tái)積電亞利桑那工廠(chǎng)將于2024年開(kāi)始生產(chǎn)4納米芯片

  • 12月1日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，據(jù)知情人士透露，在蘋(píng)果等美國(guó)客戶(hù)的推動(dòng)下，臺(tái)積電投資120億美元在亞利桑那州建設(shè)的新工廠(chǎng)將于2024年開(kāi)始生產(chǎn)4納米芯片。據(jù)悉，該工廠(chǎng)于2020年5月15日宣布，2021年6月份開(kāi)始動(dòng)工建設(shè)，今年夏天封頂，計(jì)劃2024年開(kāi)始量產(chǎn)，規(guī)劃月產(chǎn)能為20000片晶圓。據(jù)報(bào)道，該工廠(chǎng)最初計(jì)劃從生產(chǎn)5納米芯片開(kāi)始，但隨著蘋(píng)果和其他公司越來(lái)越多地尋求從美國(guó)采購(gòu)零部件，臺(tái)積電已經(jīng)升級(jí)了計(jì)劃，以便該工廠(chǎng)能夠供應(yīng)更多尖端芯片。消息人士稱(chēng)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在下周二宣布新計(jì)劃。11月中旬，蘋(píng)果首席執(zhí)行
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  4nm  

三星4nm芯片仍未達(dá)標(biāo)？Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2

  • 據(jù)外媒報(bào)道，三星Galaxy S23系列手機(jī)將于2023年2月的首周正式推出。雖然三星通常在每年的2月底推出其名下的Galaxy S系列手機(jī)。但在今年推出Galaxy S22系列手機(jī)時(shí)，卻提前了幾周發(fā)布。因此S23系列或許也會(huì)跟今年的S22系列一樣，在2月的首周推出。Galaxy S23或全系標(biāo)配驍龍8 Gen 2據(jù)消息人士最新透露，與此前曝光的消息基本一致，三星將在其即將推出的Galaxy S23系列旗艦將全系標(biāo)配高通驍龍8 Gen 2處理器。高通公司首席財(cái)務(wù)官的一份文件中，相關(guān)人士表示Galaxy S
  • 關(guān)鍵字： 三星  4nm  芯片  Galaxy S23  驍龍  

Intel“4nm EUV”工藝再下一城：x86之外也生產(chǎn)了RISC-V處理器

  • 　　Intel今年的13代酷睿處理器還會(huì)繼續(xù)使用Intel 7工藝，14代酷睿Meteor Lake則會(huì)升級(jí)到Intel 4工藝——這是Intel對(duì)標(biāo)友商4nm的工藝，而且首次使用EUV光刻技術(shù)，今年下半年已經(jīng)試產(chǎn)，其晶體管的每瓦性能將提高約20%?！　ntel的4nm EUV工藝不僅會(huì)用于生產(chǎn)自家的x86處理器，同時(shí)還會(huì)用于旗下的IFS晶圓代工部門(mén)，也就是開(kāi)放給其他廠(chǎng)商，最新消息稱(chēng)4nm EUV工藝已經(jīng)為SiFive公司生產(chǎn)了代號(hào)Horse Creek處理器?！　‖F(xiàn)在這款處理器已經(jīng)從工廠(chǎng)回到了實(shí)驗(yàn)室，
  • 關(guān)鍵字： Intel  酷睿  4nm  

Credo正式推出基于臺(tái)積電5nm及4nm先進(jìn)制程工藝的全系列112G SerDes IP產(chǎn)品

  • ?Credo Technology（納斯達(dá)克股票代碼：CRDO）近日正式宣布推出其基于臺(tái)積電5nm及4nm制程工藝的112G PAM4 SerDes IP全系列產(chǎn)品，該系列能夠全面覆蓋客戶(hù)在高性能計(jì)算、交換芯片、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、安全及光通信等領(lǐng)域的廣泛需求，包括：超長(zhǎng)距（LR+）、長(zhǎng)距（LR）、中距（MR）、超極短距（XSR+）以及極短距（XSR）。?Credo IP產(chǎn)品業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)助理副總裁Jim Bartenslager表示， “Credo先進(jìn)的混合信號(hào)以及數(shù)字信號(hào)處理（DSP）1
  • 關(guān)鍵字： Credo  臺(tái)積電  5nm  4nm  SerDes  IP  

4納米工藝？高通智能表處理器即將推出

  • Wear OS手表終于可以得到它們迫切需要的升級(jí)版芯片了（通過(guò)9to5Google）。高通公司在Twitter上發(fā)布的一段視頻中預(yù)告了這種可能性，表示其下一個(gè)Snapdragon智能手表芯片 "即將推出"。去年夏天，在三星和谷歌宣布合作開(kāi)發(fā)Wear OS 3之后，高通公司表示它將在明年推出一款新芯片?？雌饋?lái)高通公司正在履行這一承諾，盡管我們不知道它將何時(shí)推出。(也許谷歌會(huì)在其即將推出的Pixel Watch中使用它）。驍龍芯片為一些Wear OS手表提供動(dòng)力。但其最近的一款，即Wear
  • 關(guān)鍵字： 智能手表  高通  4nm  

AMD新路線(xiàn)圖 2024年上市4nm Zen5處理器

  •  AMD 在近日的2022 年金融分析師日的演講中，展示了其下一代“Zen 5”CPU 微架構(gòu)。該公司最新的 CPU 微架構(gòu)路線(xiàn)圖還證實(shí)，帶有 3D 垂直緩存 (3DV Cache) 的“Zen 4” CCD 核心在大量生產(chǎn)中中，包括 EPYC（霄龍）“Genoa”處理器產(chǎn)品線(xiàn)。   AMD 表示，目前已經(jīng)完成了“Zen 3”架構(gòu)的設(shè)計(jì)目標(biāo)，將其構(gòu)建在 7 nm 和 6 nm 節(jié)點(diǎn)上。新的“Zen 4”架構(gòu)將在 5 nm 節(jié)點(diǎn) (TSMC N5) 上首次亮相，
  • 關(guān)鍵字： AMD  4nm  Zen5處理器  

首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨(dú)顯

  • 　　Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構(gòu)設(shè)計(jì)，今年的13代酷睿代號(hào)Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進(jìn)版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會(huì)大改，升級(jí)Intel 4工藝，也是Intel首個(gè)EUV工藝?！　?4代酷睿的架構(gòu)也會(huì)大改，第一次采用非單一芯片設(shè)計(jì)，彈性集成多個(gè)小芯片模塊，包括下一代混合架構(gòu)CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低?！　?4代酷睿Meteor Lake也會(huì)是Intel酷睿系列中首個(gè)大量使用3D Foveros混合封
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  EUV  4nm  

消息稱(chēng)英偉達(dá) RTX 40 系列 GPU 將基于臺(tái)積電 4nm 打造

  • 4 月 25 日消息，根據(jù)爆料者 @Moore's Law is Dead 的最新消息，下一代 NVIDIA GeForce RTX 40 系列游戲顯卡采用的 Ada Lovelace GPU 核心基于臺(tái)積電 4nm 工藝制造，在節(jié)點(diǎn)上要比 AMD 的 RDNA 3 更有優(yōu)勢(shì)。在過(guò)去的幾年里，臺(tái)積電的 N5 節(jié)點(diǎn)幾乎被蘋(píng)果芯片獨(dú)攬。但隨著臺(tái)積電產(chǎn)能逐漸增加，開(kāi)始有越來(lái)越多的公司采用新的工藝技術(shù)，臺(tái)積電也被迫努力提高其產(chǎn)能。根據(jù) DigiTimes 的一份報(bào)告，臺(tái)積電今年將增加其 N5 產(chǎn)能約 25
  • 關(guān)鍵字： GPU  英偉達(dá) RTX 40  臺(tái)積電  4nm  

4nm良率僅為三成 三星晶圓代工疑出現(xiàn)“良品率造假”

  • 據(jù)媒體報(bào)道稱(chēng)高通已將3nm AP代工訂單獨(dú)家交給了臺(tái)積電。不僅如此，有業(yè)內(nèi)人士稱(chēng)，高通還將部分4nm驍龍8旗艦處理器的部分代工訂單交給臺(tái)積電。當(dāng)時(shí)我聽(tīng)到這個(gè)消息一方面為臺(tái)積電感到高興，另一方面心中出現(xiàn)質(zhì)疑：為什么高通沒(méi)有選擇三星？而近期外媒的爆料給出了這個(gè)答案。2月25日，據(jù)韓國(guó)媒體爆料稱(chēng)，近期三星電子懷疑三星半導(dǎo)體代工廠(chǎng)的產(chǎn)量及良率報(bào)告存在“造假”行為，正計(jì)劃開(kāi)展一項(xiàng)內(nèi)部調(diào)查。據(jù)悉，三星電子DS部門(mén)（三星電子旗下半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案事業(yè)部，三星晶圓代工業(yè)務(wù)隸屬于該部門(mén)）近期正接受管理咨詢(xún)部門(mén)就三
  • 關(guān)鍵字： 4nm  良率  三星晶圓代工  
共49條 2/4 « 1 2 3 4 »

4nm介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條4nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)4nm的理解，并與今后在此搜索4nm的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

14nm    樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473