- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查顯示，東芝公司為提升半導體業(yè)務競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內存業(yè)務。預期分拆出來的新公司將有更多經營彈性及更佳的籌資能力，長期而言對東芝/西數(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產能提升、產品開發(fā)均有所幫助。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，東芝公司這一做法，一方面為的是應付日漸沉重的產業(yè)競爭環(huán)境，另一方面是為緩解經營壓力，并滿足籌措營運資金的需求。從產業(yè)結構來看，DRAMeX
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東芝 NAND
- 據報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據傳韓國存儲器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。
韓媒BusinessKorea 24日報導，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會投資東芝獨立出來的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現的控制器技術。東芝在NAND市場表現出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 從2016年下半年開始，包括CPU、內存、屏幕、CMOS Sensor在內的眾多電子元器件都進入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來了成本壓力，最終這個壓力就轉移到了消費者身上，引起蝴蝶效應。
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DRAM NAND
- 隨著全球對于手機、電腦、汽車等消費性產品需求持續(xù)增強，NAND FLASH始終處于供不應求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機市場，當地消費者智慧手機持有率大增，進而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊，特別是在第2、3季最為嚴重。
群聯(lián)董事長潘建成表示，預計NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機、電腦、汽車等終端消費性產品需求仍舊強勁。因應此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產能轉去做3D
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SSD NAND
- 根據 SEMI (國際半導體產業(yè)協(xié)會) 的最新研究數據表示，當前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮，預估 2017 年時，中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年，中國建造晶圓廠相關支出更將成長至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。
SEMI 中國臺灣地區(qū)產業(yè)研究資深經理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產產值可望達到 7.2% 的年成長率。其中，存儲為其中成長的關鍵。而未來 5 年之內，全球半導體產業(yè)仍將持續(xù)成長，到了 2
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晶圓 NAND
- 賽普拉斯半導體公司旗下子公司，高速、高容量和免電池非易失性存儲器解決方案領先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式發(fā)布其符合JEDEC標準的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領先的在JEDEC 標準發(fā)布之前就已量產的傳統(tǒng)DDR4 NVDIMM產品一起，為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標準(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產品和控制器解決方案。 Ag
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賽普拉斯 NAND
- 在上海一場以“匠心獨運，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術峰會上，長江存儲CEO楊士寧先生參會并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題，作了深刻的分析。
為什么中國要發(fā)展存儲產業(yè)
在詳細介紹為什么中國要發(fā)展存儲產業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產業(yè)的整體狀況作了一個分析。根據他的說法，在全球的半導體存儲產品中，NAND 和
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存儲器 NAND
- 在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
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DRAM NAND
- 或許是巧合!12月30日，長江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產線這兩個持續(xù)受到業(yè)界關注的重大項目，同日舉行了開工啟動儀式。
長江存儲是國內最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術，建成后將扭轉我國存儲器有市場無產品的窘境;華力微電子12英寸生產線建設項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設邏輯芯片的代工生產線，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點的生產平臺，追趕國際先進水平。
隨著《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》的推進，中國IC業(yè)
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集成電路 NAND
- 中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產業(yè)界震撼。
紫光集團董事長趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠”
2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計算中心。
12月30日，紫光宣布動工，興建三座全球最大3
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紫光 NAND
- 現在行業(yè)內的存儲玩家都不想看到三星持續(xù)一家獨大的現狀，中國這波掀起對存儲格局的改變，或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。
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存儲路 NAND
- 2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉進3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統(tǒng)產品前，也將持續(xù)缺貨，價格有望穩(wěn)健走揚，使NAND Flash原廠營運表現持續(xù)往上。
DRAMeXch
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NAND TrendForce
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。
SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
- 美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron)財務長Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時表示，該公司在3D NAND記憶體生產上已取得重要歷程碑。
科技網站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產數量仍高于3D，但就記憶體總容量而言，3D NAND產能的總容量已高于2D產品。
據悉，美光2D和3D NAND生產采用完全不同的技術。 2D NAND生產依賴于光刻(lithography)技術，3D NA
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美光 NAND
- “三維閃存需要挑戰(zhàn)200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執(zhí)行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導體相關展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導體高端論壇”上登臺發(fā)言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰(zhàn)略。
成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應的3D NAND“BiCS FL
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東芝 NAND
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