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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d x-dram

喜大普奔！內(nèi)存價(jià)格崩盤：一個(gè)月暴降30%

  • 最近一個(gè)多月的時(shí)間內(nèi)，尤其是雙11之后，內(nèi)存價(jià)格開始普遍下滑，而且幅度相當(dāng)夸張，最高甚至接近30%。
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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？

  • 　　明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn)，預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯(cuò)看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 　　韓媒BusinessKorea 5日報(bào)導(dǎo)(見此)，IHS Markit報(bào)告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí)，明年全球NAND需求提高36.7
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三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺？

  • 　　明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn)，預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯(cuò)看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 　　韓媒BusinessKorea 5日報(bào)導(dǎo)(見此)，IHS Markit報(bào)告預(yù)估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí)，明年全球NAND需求提高36.7
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Yole：供需失衡推動存儲芯片價(jià)格上漲，市場年均增長9%

  • 　　存儲器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì)，2016~2022年整個(gè)存儲器市場的復(fù)合年增長率約為9%，到2022將達(dá)到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計(jì)約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲，導(dǎo)致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤! 　　存儲器的需求來自各行各業(yè)，特別是移動和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場。平均而言，每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上，預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右，而每部智能手機(jī)的NAND存儲器容量將增加
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紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作

  • 　　紫光國芯日前在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動問答時(shí)表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時(shí)期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)能不好保證
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全球第四次DRAM戰(zhàn)爭：中韓定鼎之戰(zhàn)

  • 中國廠商在國際市場上已經(jīng)引起三星與海力士的警惕，而紫光、晉華等廠家也都在DRAM市場中進(jìn)行著試探。
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紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作

  • 　　紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。 　　前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動問答時(shí)表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時(shí)期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)
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內(nèi)存價(jià)格一年漲三倍：外企壟斷流通價(jià)格倒掛

  • 在此輪內(nèi)存漲價(jià)行情中，由于不少企業(yè)加大了建倉囤貨的力度，導(dǎo)致在內(nèi)存流通環(huán)節(jié)甚至出現(xiàn)了價(jià)格倒掛的現(xiàn)象。
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紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設(shè)備市場

  • 　　近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數(shù)家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，前三季因研發(fā)投入加大及市場競爭加劇，整體毛利率下降，導(dǎo)致業(yè)績下降。目前第四季度經(jīng)營好于預(yù)期，對全年業(yè)績估計(jì)相對樂觀，公司積極開拓集成電路業(yè)務(wù)市場，營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預(yù)計(jì)，公司2017年全年凈利潤為2.35億元～3.36億元，上年同期為3.36億元，同比變動-30%～0%。前三季度，紫光國芯實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入13.08億元，同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元，同比下降22.912%。紫光國芯表示，公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段，已投入自有
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數(shù)據(jù)中心需求熱，SK海力士第三季營收大幅增長30.1%

  • 　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁，以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下，并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場需求，Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(jià)(Average Selling Price)墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。 　　DRAMeXchange分析師劉家豪指出，進(jìn)入第四季，在服務(wù)器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應(yīng)求的狀況將更為明顯，Server DRAM第四
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圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

  • 中國存儲器后進(jìn)廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何?
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存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下

  • 　　DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應(yīng)用端，尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價(jià)格有下調(diào)壓力。 　　調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報(bào)告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計(jì)劃，都為未來DRAM市場投下新變數(shù)，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價(jià)格戰(zhàn)下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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內(nèi)存條漲價(jià)背后：廠家紛紛將產(chǎn)能挪到利潤較高的業(yè)務(wù)

  • 作為一個(gè)寡頭壟斷市場，內(nèi)存條價(jià)格一路飆升背后，是三星電子、美光科技、SK海力士內(nèi)存廠商正經(jīng)歷一次較為一致的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變。
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DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺

  • 　　臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認(rèn)為，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預(yù)期，DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。 　　威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動云端基礎(chǔ)設(shè)備及服務(wù)規(guī)模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。 　　只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良，并未就新增產(chǎn)能進(jìn)行巨額投資，威剛表示，這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。 　　創(chuàng)見預(yù)期，第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應(yīng)求，產(chǎn)品價(jià)格也將維持高檔。 　　威剛更指出，韓系DRAM大廠已預(yù)告明年第1
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DRAM核心設(shè)計(jì)的新舊存取技術(shù)差異

  • 　　本文討論不同的存取技術(shù)對于DRAM在進(jìn)行實(shí)體設(shè)計(jì)時(shí)所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位… 　　不同的存取技術(shù)對于動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)在進(jìn)行實(shí)體設(shè)計(jì)時(shí)將發(fā)生什么改變?當(dāng)動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點(diǎn)以及數(shù)據(jù)端點(diǎn)后，就被稱為1T1C DRAM單元;其中，控制端點(diǎn)也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號，數(shù)據(jù)端點(diǎn)也就是位元線(BL)，用于傳遞數(shù)據(jù)值。 　　陣列結(jié)
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3d x-dram介紹

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