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3d x-dram
3d x-dram 文章 進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)
2017年第四季服務(wù)器DRAM營(yíng)收成長(zhǎng)約13.9%
- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,回顧2017年第四季,其中北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁,即使原廠透過(guò)產(chǎn)品線調(diào)整,但仍無(wú)法有效紓解市場(chǎng)供給吃緊的狀況。Server DRAM受惠平均零售價(jià)(Average Selling Price)的上揚(yáng),三大DRAM原廠Server DRAM營(yíng)收季成長(zhǎng)約13.9%。 DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出,進(jìn)入2018年第一季,在服務(wù)器出貨動(dòng)能不減的情況下,整體Server DRAM供不應(yīng)求的市況依然持續(xù),而Server DR
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IEK:DRAM去年單價(jià)上漲55%,今年再漲32%
- 工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)引用市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查報(bào)告指出,去年全球DRAM價(jià)量飆揚(yáng),產(chǎn)值年增達(dá)約77%、達(dá)725億美元,平均銷售單價(jià)上漲55%;今年預(yù)估還是供不應(yīng)求,雖然漲幅力道不如去年大,但在主要供貨商仍有節(jié)制增產(chǎn)下, 預(yù)估今年平均銷售單價(jià)仍會(huì)漲逾32%,年產(chǎn)值估約年增23%、達(dá)近900億美元,為歷年來(lái)新高。 IEK看好今年內(nèi)存仍將會(huì)是價(jià)量齊揚(yáng)的一年,主因人工智能將從云端運(yùn)算往下落到邊緣運(yùn)算,預(yù)估到2022年,將會(huì)有高達(dá)75%的數(shù)據(jù)處理工作不在云端數(shù)據(jù)中心完成, 而是透過(guò)靠近用戶的邊緣運(yùn)
- 關(guān)鍵字: DRAM
海力士:去年第四季DRAM平均價(jià)格漲9%
- 全球第二大內(nèi)存芯片廠韓國(guó)SK海力士受惠DRAM價(jià)格大漲,以及市況持續(xù)暢旺,去年第4季獲利創(chuàng)單季新高,看好今年服務(wù)器內(nèi)存需求持續(xù)強(qiáng)勁。 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦則預(yù)期,盡管智能手機(jī)銷售不如預(yù)期,恐導(dǎo)致本季移動(dòng)內(nèi)存合約價(jià)漲幅收斂為3%,但第2季將重啟拉貨動(dòng)能,價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲。 SK海力士昨天舉行發(fā)布會(huì)并公布去年財(cái)報(bào),去年第4季獲利和去年全年獲利都創(chuàng)新高。 該公司分析,去年第4季獲利創(chuàng)高,主因DRAM芯片出貨季增3%,平均價(jià)格漲9%;NAND芯片出貨增16%,均價(jià)漲4%。 SK海力士預(yù)估,2018年DRAM芯
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM
紫光國(guó)芯:DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平
- 紫光國(guó)芯周一在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺(tái)上回答投資者提問(wèn)時(shí)介紹,DDR4與DDR3相比,單條容量有很大提高,可以實(shí)現(xiàn)較高的容量。另外,頻率和帶寬都有明顯提高。工藝的提高也會(huì)降低工作電壓,有利于更低的功耗。 同時(shí),關(guān)于公司在國(guó)內(nèi)業(yè)界、排名情況,紫光國(guó)芯介紹,公司的DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平,國(guó)內(nèi)稀缺,但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小,市場(chǎng)份額不大。 針對(duì)投資者關(guān)于公司DDR4存儲(chǔ)器芯片相比DDR3優(yōu)勢(shì)的詢問(wèn),紫光國(guó)芯作出上述回應(yīng)。 1月26日紫光國(guó)芯在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字: 紫光國(guó)芯 DRAM
2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM/NAND Flash恐是兩樣情
- 2017年,整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)不論DRAM或NAND Flash,都度過(guò)了一個(gè)黃金好年,那么2018年可否持續(xù)榮景呢? 綜合目前業(yè)界的看法,DRAM熱度可望延續(xù),供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)依舊,但NAND部分,恐怕就不會(huì)那么樂(lè)觀了,由于大廠3D NAND良率大躍進(jìn),供給過(guò)剩問(wèn)題已經(jīng)提前在2017年第四季引爆,至少2018年上半年恐怕都不會(huì)太理想, 最快2018年第二季供需平衡,第三季再度供給吃緊,屆時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。 DRAM無(wú)新增產(chǎn)能 首先就DRAM部分,以大方向來(lái)說(shuō),2018年在Fab端并無(wú)新增產(chǎn)能,頂多就
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
南亞科:DRAM上半年還會(huì)漲
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛16日表示,今年上半年DRAM價(jià)格持續(xù)看漲,但漲幅會(huì)收斂些,下半年則仍待觀察三星、 SK海力士二大韓廠實(shí)際增產(chǎn)內(nèi)容才能做明確分析。 目前來(lái)看,韓國(guó)二大廠都表明將依市場(chǎng)需求增產(chǎn),分析DRAM產(chǎn)業(yè)到明年都可維持健康穩(wěn)定。 李培瑛表示,服務(wù)器和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM今年市場(chǎng)需求持續(xù)強(qiáng)勁,南亞科內(nèi)部預(yù)估,今年DRAM位需求增幅約20%至25%,搭配云端數(shù)據(jù)中心對(duì)服務(wù)器DRAM需求同步暢旺,以及高端手機(jī)搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB, 以及冬季奧運(yùn)來(lái)臨,刺激電視與機(jī)頂盒等需求,帶動(dòng)利基型D
- 關(guān)鍵字: 南亞科 DRAM
上演第二梯隊(duì)大逆襲 武漢存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)隱現(xiàn)“國(guó)家隊(duì)效應(yīng)”
- 武漢東湖高新區(qū)未來(lái)三路與高新大道交匯處,一個(gè)被稱為“黃金大道”的T字形結(jié)構(gòu)的芯屏組合的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)已悄然形成。而這其中的“1號(hào)工程”正是在中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已掀起“巨浪”的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技責(zé)任有限公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)。 2018年1月17日,陰冷兩天的武漢再度放晴,而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的一期工廠已經(jīng)竣工,已然組建的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正在東湖高新區(qū)(以下簡(jiǎn)稱“高新區(qū)”)的另一處辦公地址加緊推進(jìn)研發(fā)工作
- 關(guān)鍵字: 集成電路 DRAM
RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼?
- RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容,故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 按照存儲(chǔ)信息的不同,隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
- 關(guān)鍵字: SRAM DRAM
IC Insights:DRAM今年價(jià)格將開始下滑
- 研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新報(bào)告指出,DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰,預(yù)估達(dá)到211億美元,較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示,據(jù)歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來(lái),可能經(jīng)歷長(zhǎng)期間的景氣向下格局,因隨著DRAM產(chǎn)能增加,今年價(jià)格將開始下滑,跌勢(shì)更恐達(dá)2年之久。 回顧2017年,受惠于數(shù)據(jù)中心需求,帶動(dòng)服務(wù)器DRAM明顯升溫,同時(shí)智能手機(jī)與其他移動(dòng)裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長(zhǎng),2017年DRAM價(jià)格報(bào)價(jià)一路上揚(yáng)
- 關(guān)鍵字: DRAM
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī),三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案,以達(dá)更高效能、更低功耗,以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁,IC Insights預(yù)估,2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%,為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別,產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī),三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案,以達(dá)更高效能、更低功耗,以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁,IC Insights預(yù)估,2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%,為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別,產(chǎn)值高
- 關(guān)鍵字: DRAM DDR4
3d x-dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d x-dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d x-dram的理解,并與今后在此搜索3d x-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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