3d nand 文章 最新資訊
研調(diào):陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示,由于中國大陸內(nèi)需市場胃納量龐大,在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續(xù)攀升,預估今(2015)年中國內(nèi)需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達120億與66.7億美元,分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,從DRAM需求觀察,近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機領(lǐng)域出貨量不斷增長。其中,聯(lián)想(0992.HK)在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間,并穩(wěn)居
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全新賽普拉斯SLC NAND閃存系列可降低系統(tǒng)成本,提升系統(tǒng)安全性

- 全球嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司今日宣布推出面向高安全應用的單層單元(SLC)NAND閃存系列。此前,高安全應用的設(shè)計者一直使用帶有分區(qū)保護的NOR閃存存儲啟動代碼,并利用商用級SLC NAND閃存存儲系統(tǒng)固件和應用。全新的賽普拉斯SecureNAND™閃存系列通過為機頂盒、POS機、可穿戴設(shè)備和其他高安全應用提供帶有集成式分區(qū)保護特性的單一非易失性內(nèi)存,可幫助用戶降低系統(tǒng)成本,提高系統(tǒng)的安全性。 賽普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb閃存,所有
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東芝財報風波長期恐將損及NAND事業(yè)
- 東芝(Toshiba)財報不實風波雖未涉及目前東芝利潤最高的NAND快閃存儲器部門,但日媒體日經(jīng)Tech-On訪問日本半導體界人士,卻表示長期終將損害快閃存儲器產(chǎn)品競爭力。 目前東芝半導體事業(yè)主力NAND存儲器產(chǎn)品,由于移動裝置需求持續(xù)成長,銷售量不斷增大,為日本少數(shù)仍名列前茅且具世界競爭力的半導體產(chǎn)品;但這項產(chǎn)品需要大量資金持續(xù)投資才能保持領(lǐng)先,受企業(yè)財務(wù)狀況影響比其他半導體產(chǎn)品更大。 現(xiàn)在東芝碰上財務(wù)問題,對NAND快閃存儲器的投資必然受到影響,雖說新社長室町正志出身半導體事業(yè),對這個
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3D Touch引爆市場 國產(chǎn)壓力觸控廠商加速布局
- 一場觸控界的革新,因為蘋果的參與而讓市場沸騰起來。新iPhone9月10日(北京時間)發(fā)布后,搭載的3D Touch技術(shù)讓消費者們對手機操控有了新鮮感。這讓壓力觸控廠商們很是興奮,經(jīng)歷了長久蟄伏期之后,他們看到了潛在的市場爆點。不過興奮的同時,產(chǎn)業(yè)鏈廠商們也沒有太過樂觀,因為安卓市場才是引爆市場的關(guān)鍵,而這恐怕還需等待一段時間。 為部分App帶來革命性體驗 壓感觸控技術(shù)是指在現(xiàn)有手機平面操作的基礎(chǔ)上增加第三種維度——重力感應,根據(jù)力度的不同,調(diào)用的菜單也有所區(qū)別。而
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FinFET/3D NAND前景亮 推升半導體設(shè)備需求
- 鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現(xiàn)更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本,滿足車載裝置、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴式裝置發(fā)展需求,因此半導體設(shè)備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力,已研發(fā)相關(guān)的蝕刻機臺和磊晶技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸指出,隨著先進制程發(fā)展,該公司產(chǎn)品開發(fā)有兩大重點方向,一是電晶體與導線技術(shù),另一個是圖形制作與檢測技術(shù)。 應用材料副總裁兼臺灣區(qū)總裁余定陸表示,從28奈米到20奈米,甚至發(fā)展至16/14奈
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CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設(shè)備需求增
- 微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布,該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切,在過去12個月以來,EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍,主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應用挹注,制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
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FMS2015XPoint內(nèi)存之思:這個東西屬不屬于PCM?
- 美國閃存峰會上的演講提出假設(shè)性觀點。 3D XPoint內(nèi)存晶圓近照。 本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯(lián)合打造的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)作出了相關(guān)猜測——包括這項技術(shù)的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運用。我們就其中的部分內(nèi)容向知識淵博的從業(yè)專家進行了咨詢,并以此為基礎(chǔ)提出自己的觀點——同樣圍繞這兩點,該技術(shù)究竟算是什么、未來又將如何發(fā)展。 本月13號星期四在301-C會話環(huán)節(jié)中作出的這
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不同產(chǎn)品策略影響NAND供應商營收表現(xiàn)

- TrendForce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange觀察指出,2015年第二季由于NAND Flash業(yè)者對eMMC/eMCP、固態(tài)硬碟與產(chǎn)品策略的不同,營收、利潤等的各項營運指標也有不一樣的的呈現(xiàn)。各家業(yè)者除了加快15/16奈米與TLC導入eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟等嵌入產(chǎn)品外,除了三星(Samsung)以外NAND Flash業(yè)者的3D-NAND Flash,也預期陸續(xù)自今年第四季開始小量生產(chǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,受到整體經(jīng)濟環(huán)境沖擊,智慧型手機、平板電
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3d nand介紹
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