3d dram 文章最新資訊

南亞科未來(lái)兩年投資500億元　提升價(jià)值凌駕市占率

　　南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年會(huì)(TSIA)表示，南亞科計(jì)劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價(jià)值，而非拉升全球市占率，未來(lái)新存儲(chǔ)器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。　　再者，南亞科召開(kāi)重大訊息指出，為導(dǎo)入20納米制程技術(shù)，從2016年2月至9月29日為止，向臺(tái)塑網(wǎng)科購(gòu)置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設(shè)備，總價(jià)款約3.43億元。整體來(lái)看，南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程，預(yù)計(jì)花430億~450億元進(jìn)行相關(guān)設(shè)備擴(kuò)
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DRAM價(jià)格漲勢(shì)延續(xù) 存儲(chǔ)器廠模組廠運(yùn)營(yíng)同步走高

　　DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價(jià)昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達(dá)2.1美元，攀上七個(gè)多月來(lái)高點(diǎn)，本季來(lái)大漲逾24%，第4季報(bào)價(jià)持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進(jìn)補(bǔ)。　　業(yè)界透露，在全球存儲(chǔ)器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動(dòng)下，DRAM漲勢(shì)延續(xù)，9月以來(lái)已連續(xù)三周上漲，漲勢(shì)明確，伴隨追價(jià)買(mǎi)盤(pán)進(jìn)場(chǎng)，漲勢(shì)加大。　　根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報(bào)價(jià)，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價(jià)來(lái)到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計(jì)本周以來(lái)二個(gè)交易日
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三星主導(dǎo)調(diào)漲報(bào)價(jià)策略 DRAM廠商有望重掌號(hào)令

　　三星主導(dǎo)調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)策略奏效，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)連四天緩步上揚(yáng)，主流DDR4 4Gb DRAM有機(jī)會(huì)向2美元叩關(guān)，也是近2個(gè)月來(lái)漲勢(shì)最明確的半導(dǎo)體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號(hào)令。　　存儲(chǔ)器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導(dǎo)價(jià)格漲勢(shì)態(tài)度積極，除8月調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)，第4季合約價(jià)也再漲一成，連同第3季合約價(jià)調(diào)漲15%，等于下半年漲幅約25%。　　2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導(dǎo)DRAM漲價(jià)策略奏效
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制程微縮產(chǎn)能損失大明年下半年DRAM將爆新行情？

　　明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。　　BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過(guò)2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組，從當(dāng)前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%，2017年成長(zhǎng)率可能減至10%，加劇供給不足問(wèn)題。　　據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
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美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

　　美光公司日前開(kāi)始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫(xiě)入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱(chēng)也更加耐用。　　Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng)，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來(lái)越多的電腦設(shè)備開(kāi)始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過(guò)必須承認(rèn)的
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制程微縮產(chǎn)能損失大明年下半年DRAM將爆新行情？

　　明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。　　BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過(guò)2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組，從當(dāng)前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%，2017年成長(zhǎng)率可能減至10%，加劇供給不足問(wèn)題。　　據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
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武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專(zhuān)家一致認(rèn)可

武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開(kāi)了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專(zhuān)家評(píng)審會(huì)，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家對(duì)
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SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等三大事業(yè)群分開(kāi)各自營(yíng)運(yùn)，事業(yè)群自行加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，而SK海力士
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2012年全球存儲(chǔ)器模組廠營(yíng)收排名

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據(jù)記憶體營(yíng)收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠排名調(diào)查，該年度全球模組市場(chǎng)總銷(xiāo)售金額為
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三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
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SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
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IC Insights：NAND與DRAM朝3D發(fā)展

隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲(chǔ)器的道路，IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動(dòng)態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
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DRAM晶片價(jià)格居高不下智能手機(jī)需求旺

近來(lái)DRAM 價(jià)格晶片大宗訂單的價(jià)格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應(yīng)給日益成長(zhǎng)的智慧手機(jī)市場(chǎng)，令人擔(dān)心個(gè)人電腦(PC)未來(lái)的供應(yīng)。預(yù)料
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SRAM簡(jiǎn)介及與DRAM/SDRAM的比較

RAMRAM是指通過(guò)指令可以隨機(jī)的、個(gè)別的對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問(wèn)的存儲(chǔ)器，一般訪問(wèn)時(shí)間基本固定，而與存儲(chǔ)單元地址無(wú)關(guān)。RAM的速度比較快，但其保
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存儲(chǔ)器價(jià)格飆升 DRAM廠營(yíng)運(yùn)旺

DRAMeXchange表示，由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場(chǎng)格局確立，加上各大DRAM供應(yīng)商按照原先規(guī)劃減少標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器部位影響下，主流模塊4GB均價(jià)在第2季上揚(yáng)16%，由23.5
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