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3d dram 文章 最新資訊

汽車車載3D技術應用助力實現(xiàn)安全駕駛

  • 3D并不是什么新技術，在消費電子領域已有廣泛的應用，但在汽車應用中卻處于起步階段，仍需要相關技術和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應用為
  • 關鍵字： 車載  3D  安全駕駛  

手機DRAM有漏洞，黑客可竊取手機最高權限

  • 　　阿姆斯特丹自由大學(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實驗室VUSec Lab本周揭露了一個可能影響所有智能手機的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動平臺或程式上，而是藏匿在手機所使用的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機的最高權限。雖然研究人員是以Android手機進行測試，但理論上該漏洞也會影響iPhone或基于其他平臺的手機。 　　研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
  • 關鍵字： DRAM  ARM  

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產(chǎn)品
  • 關鍵字： 英特爾  3D XPoint  

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產(chǎn)品
  • 關鍵字： 英特爾  3D XPoint  

存儲器價格回溫　2016年IC市場可望成長1%

  • 　　市場研究機構IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預測，由原先的-2%提升為1%;此外該機構預測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強勁表現(xiàn)。 　　IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構預期，2016年第四
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  

SMIC擴產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導體增長預測

  • 　　據(jù)ICInsight的最新預測，2016年全球半導體業(yè)的增長率將是1%，之前的預測為下降2%。它的最新預測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預測增加4%，上升至6%。 　　IC Insight修正預測的原因是DRAM的價格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達62%。如今由于智能手機及PC對于DRAM的容量需求上升，導致市場缺貨，價格止跌回升。三星等又重新開始擴大投資，增加
  • 關鍵字： SMIC  DRAM  

2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

  • 　　摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
  • 關鍵字： SSD  3D NAND  

手機DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8

  • 　　行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布，智慧機將進入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預料將用于明年初問世的Galaxy S8。 　　韓聯(lián)社報導，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動DRAM的到來，可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。 　　目前智慧機行動DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢幕、虛擬實境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當前
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

  • 　　由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 　　   　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
  • 關鍵字： 3D NAND  

Kilopass憑借其革命性的VLT技術改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品領先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術，并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。 　　“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術的領導者而聞名，我
  • 關鍵字： Kilopass  DRAM  

VLT技術 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局

  • 　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術，簡稱VLT技術。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 　　最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術 　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領域。然而當前
  • 關鍵字： VLT  DRAM  

詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

  • DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
  • 關鍵字： 存儲器    DRAM    SDRAM  

DIY 3D全息投影儀

  • YouTube上的科技頻道總不乏各種技術宅的奇思妙想，日前，一位名為“Mrwhosetheboss”發(fā)布了一則有趣的視頻，記錄了他將一臺智能手機打造成一臺3D全息投影儀的全過程。 下面就讓我們一起來見證一下奇跡發(fā)
  • 關鍵字： 3D  全息投影儀  DIY  

TrendForce：九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
  • 關鍵字： DRAM  

TrendForce：九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
  • 關鍵字： TrendForce  DRAM  
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